Ag-gözenekli silisyum eklemlerin kapasitif özellikleri
Capacitive properties of Ag-porous silicon junctios
- Tez No: 139835
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Porous Silicon, Relative Humidity, Capacity-Based Sensors, Ag-Porous Silicon Junctions, Humidity Sensors vm
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
ÖZET Özdirenci 0.006-0.015 Ocm ve kalınlığı yaklaşık 381 fj.ni olan Sb katkılı «-tipi monokristalik silisyumun yüzey bölgesinde elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum (GS) tabakası oluşturuldu. GS filmin gözenekliliği % 35-50 olarak hesaplandı; kalınlığı 5-20 um arasında ölçüldü; optik geçirgenliğine spektrofotometre ile 300-1000 nm aralığında bakıldı; soğurma katsayısı hesaplanarak absorbsiyon katsayısı spektrumu çizildi ve yasak enerji aralığı yaklaşık 1.41 eV olarak bulundu. Elektron demeti yöntemiyle Ag-GS eklemleri elde edildi. Eklemlerin yüzey kontakları yapılıp aydınlık ve karanlık ortamlarda akım-voltaj karakteristikleri ölçüldü. Ag-GS eklemin daha yüksek doğrultma katsayısına ve daha küçük ışık duyarlılığına sahip olduğu görüldü. Ag-GS eklemlerin farklı ortamlarda (normal, aydınlık, karanlık ve nem) 0.05-100 kHz frekanslarda (seri ve paralel olarak) kapasitans-voltaj karakteristikleri ölçüldü. Ag-GS eklemin kalınlığının iyonlaşmış akseptörlerin konsantrasyonu ile ters orantılı olduğu bulundu. Ag-GS-Si eklemlerin kapasitansına nemin etkisi incelendi. % 35-95 nispi nemlik aralığında kapasitansta 5 nF'dan 800 nF'a kadar keskin bir artış elde edildi. BelH bir nispi nemlikte frekans azaldıkça kapasitansın arttığı gözlendi. Nemin etkisi ile Ag-GS-Si eklemin kapasitansındaki artışın, Ag-GS eklemine göre daha keskin olduğu belirlendi. Ag-GS-Si eklemlerin nem ortamına tepki süresi incelendi. Ag-GS-Si eklemlerin nem ortamından normal oda ortamına çıkarıldıktan sonra kapasitansın ilk değerine ulaşma süresi yaklaşık 10-20 saniye olarak tespit edildi. Anahtar Kelimeler : Gözenekli Silisyum, Nispi Nem, Kapasitif-Esaslı Sensörler, Ag- Gözenekli Silisyum Eklemler, Nem Sensörleri vıı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Porous silicon (PS) layer has been formed by electrochemical method at surface region of Sb- doped «-type monocrystalline silicon with 0.006-0.015 Qcm resistivity and 381 um thickness approximately. The porosity of PS film has been calculated as 35-50 %; the thickness of PS film has been measured between 5-20 um; optical transmission has been investigated at 300- 1000 nm interval by using spectrophotometer; absorption coefficient spectrum has bçen drawn by being calculated absorption coefficient, and energy gap has been found 1.41 eV approximately. Ag-PS junctions have been obtained by electron beam method. After surface contacts of junctions have been made, current-voltage characteristics have been measured in the light and dark medium. It has been seen that Ag-PS junction has higher rectification coefficient and lower light sensitivity. Capacitance-voltage characteristics of Ag-PS junctions have been measured in different medium (normal, light, dark, and humidity) at frequencies of 0.05-100 kHz (as series and parallel). It has been found that the thickness of Ag-PS junction is inversely propotional wjth the concentration of ionized acceptors. The effect of humidity on Ag-PS-Si junctions' capacitance has been investigated, A sharp increase from 5 nF to 800 nF in capacitance has been obtained at interval 35-95 % relative humidity. The decrease of frequency to the increase of capacitance has been observed at a certain relative humidity. The increase in capacitance of Ag-PS-Si junction with the effect of humidity has been determined sharper than Ag-PS junction's. The response time of Ag-PS-Si junctions' capacitance to humidity medium has been investigated. After Ag-PS-Si junctions has been taken out from humidity medium to normal room medium, the reach time to the initial value of capacitance has been found 10-20 seconds approximately.
Benzer Tezler
- Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The Electrical properties of metal-prous silicon junctions
SUNA ÖZTEMEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Çeşitli metallerin (Au, Ag, Cu, Pd) ve metal kalınlığının gözenekli silisyum esaslı hidrojen pili parametrelerine etkisi
Effect of various metals (Au, Ag, Cu, Pd) and metal thickness on the porous silicon ?based hydrogen cell parameters
SEVİNÇ YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ
- Gözenekli silisyum tabanlı sensörlerin hazırlanması ve incelenmesi
Preparation and investigation of porous silicon based sensors
SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. EMİN DURUL ÖREN
- Gözenekli silisyumun optik ve elektriksel özelliklerine metalizasyon katkısının incelenmesi
Investigation of additions of some metal salts to optical and electrical properties of porous silicon
NAZAN CEYLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KADİR ESMER
- Anodizasyon koşullarının gözenekli silisyum esaslı hidrojen pili parametrelerine etkisi
Effect of anodization conditions of porous silicon based hydrogen cell parameters
EMİNE ESRA AĞCABAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ