Geri Dön

Silisyum yarı iletkeninden yapılan ve p+ pp+ ve MPP+ yapılarında akım iletimine sıcaklığın etkisi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 1424
  2. Yazar: SEBAHATTİN TÜZEMEN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. NECATİ YALÇIN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1987
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Bu çalışmada, sıcaklığı 90-273 K aralığında değiştirebilecek bir sıcaklık kontrol sistemi düzenlenerek, oda sıcaklığında 1150 n-cm özdirençli,[lll] doğ rultusuna dik olarak kesilmiş p-tipı silisyum kristalleri kullanılarak hazırlan- t t t mış p pp ve Sn-pp şeklindeki yapıların çeşitli sıcaklıklarda akım-gerılım (I-V) ölçümleri yapıldı. ? + 4. p pp yapılarında alınan ölçümlerde küçük gerilimlerde omik akımlar, büyük gerilimlerde ise uzay-yükü ile sınırlı (SCL) akımlar elde edildi. Omik akımla rın sıcaklıkla arttığı, SCL akımlarının sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Omik böl gedeki akım-gerilim ölçümlerinden lineer regrasyon yöntemi ile elde edilen I-V bağıntılarından numune direncinin sıcaklık artışıyla azaldığı ortaya çıkarıldı. Oda sıcaklığındaki direnç değerinden akım iletimini sağlayan taşıyıcı yoğunlu ğu hesaplandı. Burada kristale ait taşıyıcıların tamamının akım iletimine kat kıda bulunamadıkları ortaya çıkarıldı. SCL akımı bölgesinde /f~-V bağıntılarından boşluk hareketliliğinin sıcak lık arttıkça azaldığı görüldü. Oda sıcaklığında boşluk hareketliliğinin hesap- 2 lanan u_=» 431 cm /V-s değeri diğer kaynaklarda verilen değerlerle iyi uyuşmakta- P 2 dır. Kaynaklarda genel olarak silisyumdaki boşluk hareketliliği 400-450 cm /V-s şeklinde verilmektedir. Bu ise yapılan ölçümlerin uygunluğunu doğrulamaktadır. + Sn-pp yapılarındaki I-V karakteristiklerinde de doğru beslem durumunda omik ve SCL akımları elde edildi. Burada da omik akımların sıcaklıkla arttığı, SCL akımlarının sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Ters beslem durumunda, Schottky olayı nedeniyle, gerilime zayıfça bağlı akımlar gözlendi. Ters beslem I-V ölçüm lerinden faydalanılarak çizilen lnI-(VDtV) ' Schottky grafiklerinden e boş luk engel yükseklikleri hesaplandı. Ayrıca p pp yapılarında alaşım sıcaklığında bekleme zamanının p-bölgesi- nin genişliğine etkisi araştırıldı. Alaşım sıcaklığında bekleme süresi arttıkça yapının etkin kalınlığının azaldığı bulundu.

Özet (Çeviri)

In this work, the temperature control system is designed which can vary temperature in the range of 90-273 K, and the current-voltege (I-V) measure- ments of p pp and Sn-pp devices fabricated from p-type silicon crystals grown on [ill] direction, having resistivity of 1150 ft-cm at the room temperature, a re made. t t From the measurements of p pp devices, ohmic currents in small voltages and space-charge-limited (SCL) currents in high voltages are obtained. From the expressions of I-V which are obtained by the lineer regration method from the current-voltage measurements in ohmic region, it is found that the resistance of sample decreases as increasing the temperature. The carrier concentration is calculated from the value of resistance at the room temperature. Thus it is found that all of cariers of crystal can not involve in the transportation of current. From the expressions of /T~-V in the region of SCL current, it is seen that hole mobility decreases as increasing the temperature. At the room temperature 2 the calculated value of the hole mobility (431 cm /V-s) is in agreement with va- 2 lues given in the literature which is generally given as 400-450 cm /V-s. This confirms the relaibility of our measurements. a. In the I-V characteristics of Sn-pp devices, ohmic and the SCL currents are obtained in the case of forward bias. It is also observed that the ohmic currents increase and SCL currents decrease as increasing the temperature. In the case of revers bias, since there is presence of Schottky effect, it is found that the current slightly depends on voltages. Here the barrier heights for holes are calculated from Schottky's lnI-(VDtV) ' plots which are drawn by revers bias I-V measurements. + + In addition, in the p pp devices the effect on width of p-region of wait ing time in eutectic temperature is investigated. It is found that, when waiting time in eutectic temperature is increased, the efective width of the device dec reases.

Benzer Tezler

  1. Kinetik taşınma teorisini kullanarak yarı iletkenlerin bazı özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of some properties of semiconductors using kinetic transport theory

    ADEM AKKUŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  2. Nanotribological properties of epitaxial graphene grown on silicon carbide semiconductor

    Silisyum karbür yarıiletkeni üzerinde büyütülen epitaksiyel grafenin nanotribolojik özellikleri

    YASEMİN KESKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ

    YRD. DOÇ. DR. ÖZHAN ÜNVERDİ

  3. Reaktif DC magnetron sıçratma tekniği ile n-tipi silisyum taban malzeme üzerine bakır oksit ince film biriktirme

    Deposition of copper oxide thin films with DC magnetron sputtering on n-type silicon substrate

    S. ALPER YEŞİLÇUBUK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. KELAMİ ŞEŞEN

  4. Katkılama ile polimerlerde elektriksel iletkenliğin araştırılması

    Investigation of electrical conductivity in polymers by doping

    EBRU İDMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Arel Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OSMAN YILDIRIM

  5. Yarı-katı döküm tekniği ile üretilen Al-Si alaşımlarında yapı-özellik ilişkisinin incelenmesi

    An investigation of structure-property relationship in the Al-Si alloys produced by semi-solid casting process

    MELİKA ÖZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Metal Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KADİR KOCATEPE

    PROF. DR. MEHMET ERDOĞAN