Geri Dön

GaN tabanlı heteroyapıların sıkı bağlanım kuramı

Tight binding modeling of GaN based heterostructure

  1. Tez No: 142569
  2. Yazar: EBRU ŞİMŞEK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HİLMİ ÜNLÜ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

GAN TABANLI HETER0YAPILAR1N SIKI BAĞLANIM KURAMI ÖZET Grup IH-Nitrit'ler çinko sülfür yapıda doğrudan band aralığına sahip olup yaniletkenlerin yeni bir sınıfını oluşturur. Bunlar geniş band aralıklan, termal iletkenlikleri ile bilinir. Bu özelliklerinden dolayı grup lll-Nitrit" ler ve bunlann ikili ve üçlü alaşım tabanlı heteroyapılan mavi ötesi (ultraviolet) optoelektroniğinde ve yüksek güç ve yüksek sıcaklık elektroniğindeki cihaz uygulamalannda kullanılan yaniletken alaşımlar olarak ortaya çıkar, özellikle AlGaN/GaN ve InGaN/GaN heteroyapılan, teknolojik önemleri kadar ilginç fiziksel özelliklerinden dolayı da dikkat gerektiren konular arasındadır. Heteroyapılann bütününü oluşturan yaniletkenlerin elektronik band yapılan arasındaki fark, heteroarayüzeylerdeki iletim ve değerlik potansiyel enerji engelleri ile verilmiştir. Optoelektronik cihazların çalışma prensiplerini anlamak ve performanslarını tayin edebilmek için heteroyapı enerji band yapısının, özellikle heteroyüz iletkenlik ve değerlik bandlarda oluşan bu potansiyel enerji engellerinin tasarımı son derece önemlidir. Bu tezin kapsamı içinde, GaN tabanlı heteroyapılann arayüzeylerinde oluşan enerji engellerinin sıkı bağlanım kuramı ile tasanmı incelenmiştir. Bu kuramın içeriği; komşu atomlann p-yörüngelerinin dik olmaması, p- yörüngelerinin atomik spin yörünge aynşması ve yörüngeler arasındaki etkileşim matris elementini tanımlamak için reel band yapı hesaplamalannın uygunluğudur. Bu model; sıcaklık, basınç ve gerilmenin fonksiyonu olarak grup lll-Nitrit heteroyapılann enerji band engellerini tanımlamak için önerilir. JOV

Özet (Çeviri)

TIGHT BINDING MODELING OF GAN BASED HETEROSTRUCTURE SUMMARY Group Ill-Nitrides and their alloys form a new class of semiconductors, all of which have direct bandgaps in zincblende structure. They are known to have a large bandgap and thermal conductivity. Due to these properties, group Ill-Nitrides and their binary/ternary alloys based heterostructures have emerged as some of the most promising semiconductor compounds for device applications in blue-violet optoelectronics, high temperature and high power electronics. Especially the AIGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructures have been the subject of interest because of their interesting physical properties as well as their technological importace. The difference between the electronic band structures of constituent semiconductors of a heterojunction is accomodated by the offsets in the conduction and valance band energy levels at heterointerface. Modeling of the band offsets is important for understanding the operating principles of optoelectronic devices and their performances. In this thesis, tight binding modeling is used to model the band offset of GaN based heterostructures. The model includes the nonorthogonality of the p- orbitals of adjacent atoms, atomic spin-orbit splittings of the p-orbitals with the Hartree-Fock atomic term values and linear fitting to real band structure calculations to determine interacting matrix element between the orbitais. This model is proposed to determine the band offsets of group Ill-nitride heterostructure as a function of temperature, pressure and strain. XV

Benzer Tezler

  1. Tez No

    485236

    Synthesize and characterization of ZnSe based type I and type II heterostructure nanostructures

    ZnSe tabanlı tür I ve tür II heteroyapı nanokristallerin sentezi ve karakterizasyonu

    NEGAR GHESHLAGHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ

  2. Tez No

    866049

    Photophysics of interlayer excitons in TMDC heterobilayers

    TMDC heteroyapılarındaki katmanlar arası eksitonların fotofiziği

    MEHMET ATIF DURMUŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DR. ÖĞR. ÜYESİ İBRAHİM SARPKAYA

  3. Tez No

    780232

    Güneş ışığı kullanılarak sudan hidrojen üretiminde siyah fosfor temelli nanokompozit malzemelerin fotokatalitik aktivitelerinin araştırılması

    Investigation of photocatalytic activities of black phosphorus based nanocomposite materials in hydrogen production from water by using sunlight

    EMİNEGÜL GENÇ ACAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EnerjiSelçuk Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İMREN HATAY PATIR

  4. Tez No

    1004524

    Efficient catalytic conversion of polysulfides by mxene-based heterostructures towards long-life li-S batteries

    Uzun ömürlü lityum-kükürt pil sistemleri için mxene tabanli heteroyapilarla polisülfitlerin verimli katalitik dönüşümü

    BÜŞRA ÇETİNER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    KimyaSabancı Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELMİYE ALKAN GÜRSEL

    DOÇ. DR. ALP YÜRÜM

  5. Tez No

    334728

    GaN tabanlı heteroeklem yapıların magnetotransport özellikleri

    Magnetotransport properties of GaN based heterostructures

    AYDIN BAYRAKLI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TEZER FIRAT

Geri Dön