Geri Dön

GaN tabanlı heteroyapıların sıkı bağlanım kuramı

Tight binding modeling of GaN based heterostructure

  1. Tez No: 142569
  2. Yazar: EBRU ŞİMŞEK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HİLMİ ÜNLÜ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

GAN TABANLI HETER0YAPILAR1N SIKI BAĞLANIM KURAMI ÖZET Grup IH-Nitrit'ler çinko sülfür yapıda doğrudan band aralığına sahip olup yaniletkenlerin yeni bir sınıfını oluşturur. Bunlar geniş band aralıklan, termal iletkenlikleri ile bilinir. Bu özelliklerinden dolayı grup lll-Nitrit" ler ve bunlann ikili ve üçlü alaşım tabanlı heteroyapılan mavi ötesi (ultraviolet) optoelektroniğinde ve yüksek güç ve yüksek sıcaklık elektroniğindeki cihaz uygulamalannda kullanılan yaniletken alaşımlar olarak ortaya çıkar, özellikle AlGaN/GaN ve InGaN/GaN heteroyapılan, teknolojik önemleri kadar ilginç fiziksel özelliklerinden dolayı da dikkat gerektiren konular arasındadır. Heteroyapılann bütününü oluşturan yaniletkenlerin elektronik band yapılan arasındaki fark, heteroarayüzeylerdeki iletim ve değerlik potansiyel enerji engelleri ile verilmiştir. Optoelektronik cihazların çalışma prensiplerini anlamak ve performanslarını tayin edebilmek için heteroyapı enerji band yapısının, özellikle heteroyüz iletkenlik ve değerlik bandlarda oluşan bu potansiyel enerji engellerinin tasarımı son derece önemlidir. Bu tezin kapsamı içinde, GaN tabanlı heteroyapılann arayüzeylerinde oluşan enerji engellerinin sıkı bağlanım kuramı ile tasanmı incelenmiştir. Bu kuramın içeriği; komşu atomlann p-yörüngelerinin dik olmaması, p- yörüngelerinin atomik spin yörünge aynşması ve yörüngeler arasındaki etkileşim matris elementini tanımlamak için reel band yapı hesaplamalannın uygunluğudur. Bu model; sıcaklık, basınç ve gerilmenin fonksiyonu olarak grup lll-Nitrit heteroyapılann enerji band engellerini tanımlamak için önerilir. JOV

Özet (Çeviri)

TIGHT BINDING MODELING OF GAN BASED HETEROSTRUCTURE SUMMARY Group Ill-Nitrides and their alloys form a new class of semiconductors, all of which have direct bandgaps in zincblende structure. They are known to have a large bandgap and thermal conductivity. Due to these properties, group Ill-Nitrides and their binary/ternary alloys based heterostructures have emerged as some of the most promising semiconductor compounds for device applications in blue-violet optoelectronics, high temperature and high power electronics. Especially the AIGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructures have been the subject of interest because of their interesting physical properties as well as their technological importace. The difference between the electronic band structures of constituent semiconductors of a heterojunction is accomodated by the offsets in the conduction and valance band energy levels at heterointerface. Modeling of the band offsets is important for understanding the operating principles of optoelectronic devices and their performances. In this thesis, tight binding modeling is used to model the band offset of GaN based heterostructures. The model includes the nonorthogonality of the p- orbitals of adjacent atoms, atomic spin-orbit splittings of the p-orbitals with the Hartree-Fock atomic term values and linear fitting to real band structure calculations to determine interacting matrix element between the orbitais. This model is proposed to determine the band offsets of group Ill-nitride heterostructure as a function of temperature, pressure and strain. XV

Benzer Tezler

  1. Tez No

    430270

    X-band cpw high power amplifier design by GaN based MMIC technology

    GaN tabanlı MMIC teknolojisi kullanılarak x-bantta yüksek güçlü yükselteç tasarımı

    BURAK ALPTUĞ YILMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  2. Tez No

    180620

    Investigation of bias-assisted photoenhanced electrochemical etching for fabrication of self-aligned gallium nitride based bipolar transistors

    Kendinden yerleşmeli galyum nitrit tabanlı iki kutuplu transistörlerin fabrikasyonu için potansiyel yardımlı foton katkılı elektrokimyasal aşındırma

    EMRE ALPTEKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÖZGÜR AKTAŞ

  3. Tez No

    334728

    GaN tabanlı heteroeklem yapıların magnetotransport özellikleri

    Magnetotransport properties of GaN based heterostructures

    AYDIN BAYRAKLI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TEZER FIRAT

  4. Tez No

    335660

    Design of GaN-based coplanar multi-octave band medium power MMIC amplifiers

    GaN tabanlı 1 oktavdan fazla bant genişliğine sahip olan orta güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı

    GÜLESİN EREN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  5. Tez No

    815625

    Design of GaN based S-band high linearitypower amplifier

    GaN tabanlı S-band yüksek doğrusallıklı güç amplifikatörü tasarımı

    FURKAN HÜRCAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medipol Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği ve Siber Sistemler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN DOĞAN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI

Geri Dön