GaN tabanlı heteroyapıların sıkı bağlanım kuramı
Tight binding modeling of GaN based heterostructure
- Tez No: 142569
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
GAN TABANLI HETER0YAPILAR1N SIKI BAĞLANIM KURAMI ÖZET Grup IH-Nitrit'ler çinko sülfür yapıda doğrudan band aralığına sahip olup yaniletkenlerin yeni bir sınıfını oluşturur. Bunlar geniş band aralıklan, termal iletkenlikleri ile bilinir. Bu özelliklerinden dolayı grup lll-Nitrit" ler ve bunlann ikili ve üçlü alaşım tabanlı heteroyapılan mavi ötesi (ultraviolet) optoelektroniğinde ve yüksek güç ve yüksek sıcaklık elektroniğindeki cihaz uygulamalannda kullanılan yaniletken alaşımlar olarak ortaya çıkar, özellikle AlGaN/GaN ve InGaN/GaN heteroyapılan, teknolojik önemleri kadar ilginç fiziksel özelliklerinden dolayı da dikkat gerektiren konular arasındadır. Heteroyapılann bütününü oluşturan yaniletkenlerin elektronik band yapılan arasındaki fark, heteroarayüzeylerdeki iletim ve değerlik potansiyel enerji engelleri ile verilmiştir. Optoelektronik cihazların çalışma prensiplerini anlamak ve performanslarını tayin edebilmek için heteroyapı enerji band yapısının, özellikle heteroyüz iletkenlik ve değerlik bandlarda oluşan bu potansiyel enerji engellerinin tasarımı son derece önemlidir. Bu tezin kapsamı içinde, GaN tabanlı heteroyapılann arayüzeylerinde oluşan enerji engellerinin sıkı bağlanım kuramı ile tasanmı incelenmiştir. Bu kuramın içeriği; komşu atomlann p-yörüngelerinin dik olmaması, p- yörüngelerinin atomik spin yörünge aynşması ve yörüngeler arasındaki etkileşim matris elementini tanımlamak için reel band yapı hesaplamalannın uygunluğudur. Bu model; sıcaklık, basınç ve gerilmenin fonksiyonu olarak grup lll-Nitrit heteroyapılann enerji band engellerini tanımlamak için önerilir. JOV
Özet (Çeviri)
TIGHT BINDING MODELING OF GAN BASED HETEROSTRUCTURE SUMMARY Group Ill-Nitrides and their alloys form a new class of semiconductors, all of which have direct bandgaps in zincblende structure. They are known to have a large bandgap and thermal conductivity. Due to these properties, group Ill-Nitrides and their binary/ternary alloys based heterostructures have emerged as some of the most promising semiconductor compounds for device applications in blue-violet optoelectronics, high temperature and high power electronics. Especially the AIGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructures have been the subject of interest because of their interesting physical properties as well as their technological importace. The difference between the electronic band structures of constituent semiconductors of a heterojunction is accomodated by the offsets in the conduction and valance band energy levels at heterointerface. Modeling of the band offsets is important for understanding the operating principles of optoelectronic devices and their performances. In this thesis, tight binding modeling is used to model the band offset of GaN based heterostructures. The model includes the nonorthogonality of the p- orbitals of adjacent atoms, atomic spin-orbit splittings of the p-orbitals with the Hartree-Fock atomic term values and linear fitting to real band structure calculations to determine interacting matrix element between the orbitais. This model is proposed to determine the band offsets of group Ill-nitride heterostructure as a function of temperature, pressure and strain. XV
Benzer Tezler
- Fabrikasyon adımları için GaN tabanlı mikroşerit HEMT'lerin DC karakterizasyonu
DC characterization of GaN-based microstrip HEMT for fabrication steps
ELİF ALAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN
- GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar
GaN based hot electron light emitting heterojunction
FEYZA SÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- X-band cpw high power amplifier design by GaN based MMIC technology
GaN tabanlı MMIC teknolojisi kullanılarak x-bantta yüksek güçlü yükselteç tasarımı
BURAK ALPTUĞ YILMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- GaN tabanlı güç aygıtları için pasivasyon tabakası geliştirilmesi
Passivation layer development for GaN based power devices
GÜLŞAH ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AKIN BACIOĞLU
- Gan-based robust low-noise amplifier
Gan tabanlı dayanıklı alçak gürültülü yükselteç
OĞUZ KAZAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATİCE ÖZLEM AYDIN ÇİVİ
DR. FATİH KOÇER