Geri Dön

The growth and characterization of GaSe thin films

GaSe ince filmlerin büyütülmesi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 143308
  2. Yazar: TAHİR ÇOLAKOĞLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: GaSe, İnce filim, İletkenlik, Mobilite, Boşluk yükü, Isısal saçılma. Hoplama, Fotoakım, GaSe, Thin film, Conductivity, Mobility, Space Charge, Thermionic emission, Hopping, Photoconductivity
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

GaSe ince filimler ısısal buharlaştırma yöntemiyle Cd katkılı olarak ve katkılandırma yapılmadan büyütülmüştür. Katkılanmış ve katkılanmamış filmler için X-ışmı analizleri kristallenmenin, tavlama işlemiyle birlikte (10_14) tercihli yönünde arttığını göstermiştir. Üzerinde çalışılan örnekler için oda sıcaklığı iletkenlik ve mobilite değerleri sırasıyla katkılı filimler için, 1.3x1 01 - 3.4x1 02 (Q-cm)“1 ve 5.9 - 20.9 (cm2/V.s) ve katkılanmamış örnekler için 1.2x1 0”6 - 1.5x1 0“6 (fî-cm)”1 olarak bulunmuştur. Katkılanmamış örneklerin çok yüksek özdirenç değerlerinden dolayı bu örnekler üzerinde mobilite ölçümleri yapılamamıştır. Baskın iletim mekanizmaları yüksek sıcaklık bölgesinde (250-400 K) ısısal saçılma, 160-250 K arasında tünelleme, ve 100-150 K arasında da değişken erimli hoplama olarak tespit edilmiştir. Katkılanmamış örnekler için 250 K üzerinde ısısal saçılma iletim mekanizması baskın olarak bulunmuştur. Filim yüzeyine dik ve paralel doğrultudaki boşluk yükü sınırlı akımlar, her durum için değişik yoğunlukta iki adet yerel enerji seviyesinin varlığını açığa çıkarmıştır. Bunlar; paralel yön için 3.5x1 012 cm“3 yoğunlukta 99.8 meV ve 2.2xl05 cm”3 yoğunlukta 418.3 meV, dik yönde ise 6.2x1 025 cm“3 yoğunlukta 58.3 meV ve 3.3x1 022 cm”3 yoğunlukta 486.1 meV'tur. Fotoakımın aydınlanma şiddetine olan bağımlılığı ve aydınlanma şiddetinin üssünün /7>1 değeri iki merkezli tekrar-birleşim merkezinin varlığım hissettirmiştir.

Özet (Çeviri)

GaSe thin films were deposited by thermal evaporation technique with and without Cd doping. X-ray analysis showed that the crystalliniry increases in (1014) preferred orientation direction with annealing for doped and undoped films. The room temperature conductivity and mobility values of the samples were found to be for doped and undoped films in between 1.3x10' - 3.4xl02 (Q-cm)“1, 1.2xl0”6 - 1.5x10“ (Q-cm)”and 5.9 - 20.9 (cm /V.s) (for doped samples only), respectively. Due to the high resistivity of the undoped samples mobility measurements could not be performed. The dominant conduction mechanisms were determined to be thermionic emission in the high temperature region (250-400 K), tunneling in the range 160-250 K and between 100-150 K variable range hopping mechanism for the doped films. For the undoped films above 250 K thermionic emission was the dominant conduction mechanism. Space charge limited currents in parallel and perpendicular directions of the film surface showed two different localized energy levels with different concentrations for each case, namely, 99.8 meV with concentration 3.5xl012 cm“3 and 418.3 meV with the concentration 2.2xl05 cm”3 for parallel direction and for perpendicular direction 58.3 meV with concentration 6.2x1 025 cm“3 and 486.1 meV with concentration 3.3x1 022 cm”3. Photocurrent- illumination intensity dependences indicated that power exponent of illumination intensity with values n>\ implied two recombination centers exist in studied samples.

Benzer Tezler

  1. GaSe ince filmlerinin farklı tabanlar üzerinde sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization ofGaSe thin films by SILAR method on different substrates

    YUNUS ALKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

  2. Kimyasal biriktirme yöntemi ile CdS, ZnS ve PbS yarıiletken nano yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of CdS, ZnS and PbS semiconductor nanostructure with chemical bath deposition

    CEMALETTİN TÜRKMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    EnerjiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL

  3. Gase ince filmlerinin büyütülmesi ve fiziksel özelliklerinin araştırılması

    Growth of gase thin films and investigation of their physical properties

    MURAT DÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. HASAN MAMMADOV

  4. Structural, electrical and optical characterization of N-and Si-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method

    Bridgman yöntemi ile büyütülen N-ve Si-ekilmiş GaSe tek kristallerinin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu

    ORHAN KARABULUT

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU

    DOÇ. DR. MEHMET PARLAK

  5. Structural, electrical and optical characterization of Ge-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method

    Bridgman yöntemi ile büyütülen Ge-ekilmiş GaSe tek kristallerin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu

    HAZBULLAH KARAAĞAÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU

    PROF. DR. MEHMET PARLAK