İnce filmlerin kalınlık ve optiksel sabitlerinin bulunması
Determination of optical constants and thickness of thin films
- Tez No: 150028
- Danışmanlar: PROF.DR. TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Thin Films, Amorphous Silicon, Thickness, Refractive Index, Absorbtion Cofficient, Electrical Conductivity, Urbach's Constant, Electronical Band Gap
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi İNCE FİLMLERİN OPTİK SABİTLERİNİN VE KALINLIĞININ BELİRLENMESİ Mine ERDEM ÖZGÜR Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman: Prof.Dr.Tülay SERİN Bu çalışmanın amacı ince filmlerin kalınlık, soğurma sabiti, kırılma indisi ve band aralığı enerjisi gibi optiksel özelliklerini yeni bir yöntem yardımıyla incelemektir. Bu amaçla saf a-Si:H (Hidrojenlendirilmiş amorf silikon) ince filmlerinin, Perkin Elmer UV-VIS Spectrometer Lambda 2S spektrometresinde 600-1100 nm dalga boyu aralığında geçiş spektrumları ölçülmüştür. Bu spektrumlardan ince filmin geçirdiği ışığın geçiş genliği değerleri ölçülerek, ince filmin her dalga boyundaki kırılma indisi değerleri, bu değerler kullanılarak ortalama kalınlığı ve her dalga boyundaki soğurma sabiti değerleri hesaplanmıştır. Daha sonra her dalga boyunda elde edilen soğurma sabitlerinin karesinin enerjiye karşı grafiği çizilerek, bu grafikten ince filmin bant aralığı enerji değeri (Eg) hesaplanmıştır. a-Si:H ince filmler için Eg=l,78 eV bulunmuştur Soğurma sabitinin enerjiye karşı yarı logaritmik grafiği çizilerek bu grafikten Urbach sabiti (Eo) hesaplanmıştır. Aynı zamanda ince filmlerin elektriksel iletkenlikleri 40 °C - 100 °C aralığında iki nokta yöntemi yardımıyla bulunmuş ve bu değerler kullanılarak örneklerin aktivasyon enerjisi hesaplanmıştır. Ea=0,68 eV bulunmuştur. Saf a-Si:H ince filmin band aralığı enerjisi aktivasyon enerjisinin yaklaşık iki katıdır. 2004, 70 sayfa ANAHTAR KELİMELER: İnce Filmler, Amorf Silikon, Kalınlık, Kırılma İndisi, Soğurma Sabiti, Elektriksel İletkenlik, Urbach Sabiti, Elektronik Bant Aralığı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Master Thesis DETERMINATION OF OPTICAL CONSTANTS AND THICKNESS OF THIN FILMS Mine ERDEM ÖZGÜR Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Engineering Physics Supervisor: Prof.Dr.Tülay SERİN The purpose of this thesis is to investigate a new method for determining optical properties of thin films such as thickness, refractive index and absorption coefficients For this reason, the transmission spectrums of pure a-Si:H thin films were measured between 600-1000 nm wavelength range by using a Perkin Elmer UV-VIS Lambda 2S spectrometer. Using the obtained spectrums, the refractive indexes, the average thickness and the absorption coefficients of thin films were determined for each wavelength by measuring the transmission amplitude of the light that transmit through thin films. After that, the curve of absorption coefficient for each wavelength versus energy was obtained. Using this graph, energy band gap value (Eg) for a-Si:H thin film was calculated. The energy band gap value for a-Si:H thin film is Eg=1.78 eV. The logaritmic plot of the absorption coefficient versus energy was drawn and using this graph the Urbach Coefficient (Eo) was calculated. In addition, the electrical conductivity of thin films was calculated between range of 40°C-100°C temperatures by two point method and using these values the activation energy of thin films was determined Ea=0.68 eV was found. The energy of band gap of a-Si:H thin film is almost two times than activation energy. 2004, 70 pages
Benzer Tezler
- Çok kristalli CdTe ince filmlerinin optiksel özellikleri: Optiksel sabitlerin 'zarf yöntemiyle' saptanması
Optical properties of polycrystalline cdte thin films: Determination of optical constants by 'envelope method'
BENGÜL ZENCİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN
- Püskürtme yöntemiyle büyütülen Cu katkılı ZnO filmlerin optiksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical properties of Cu doped ZnO deposited by means of spray method
ZEYNEP GÜNDÜZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TÜLAY SERİN
- Fiziksel kaplama teknikleriyle üretilen CuIn1-xGaxSe2 ince filmlerin yapısal, elektriksel ve optiksel özellikleri
Structural, electrical and optical properties of CuIn1-xGaxSe2 thin films fabricated by physical deposition techniques
SARE AKGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi
Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD
YAĞMUR ALTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- Bizmut katkılı ZnO ince filmlerin X-ışını yansıma yöntemiyle bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Inventigation of some physical propertices of bismuth doped ZnO thin films by X-ray reflection
AHMET AFYONCUOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FERHAT ASLAN