Electirical transport in metal-oxide-semiconductor capacitors
Metal-oksit-yarı iletken kondansatörlerde elektiriksel taşıma
- Tez No: 153448
- Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-Oksit-Yarı iletken, aşırı ince oksit, Schottky salımı, Fowler- Nordheim, Poole-Frenkel, kapan., Metal-Oxide-Semiconductor, ultra-thin oxide, Schottky emission, Fowler- Nordheim, Poole-Frenkel, trap. iv
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 86
Özet
oz METAL-OKSİT-YARI İLETKEN KONDANSATÖRLERDE ELEKTRİKSEL TAŞIMA Arıkan, Mustafa Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Raşit Turan Ağustos 2004, 75 sayfa Metal-Oksit-Yarı iletken (MOS) kondansatörlerdeki elektriksel taşıma mekanizmaları incelendi. Bu çalışmada kullanılan aygıtlar akım-gerilim yöntemleri kullanılarak karakterize edildi. Fiziksel katsayı çıkarımı ve bilgisayarla yaratılmış verilerin uyumu yöntemleri deneysel verilere uygulandı. İki aygıt incelendi: Göreceli kalın oksit (125 nm) ve aşırı ince oksit (3 nm) MOS yapıları. Bu aygıtların gerilim ve sıcaklık bağımlılıkları günümüzdeki akım-gerilim modelleri kullanılarak açıklandı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT ELECTRICAL TRANSPORT IN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITORS Ankan, Mustafa M. Sc, Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Raşit Turan August 2004, 75 pages The current transport mechanisms in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors have been studied. The devices used in this study have characterized by current-voltage analyses. Physical parameter extractions and computer generated fit methods have been applied to experimental data. Two devices have been investigated: A relatively thick oxide (125 nm) and an ultra-thin oxide (3 nm) MOS structures. The voltage and temperature dependence of these devices have been explained by using present current transport models.
Benzer Tezler
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Electrical characterization of electron selective titanium dioxide and hole selective molybdenum trioxide heterocontacts on crystalline silicon
Silisyum alttaş üzerınde büyütülmüş, electron geçirgen titanyum dioksit ve hol geçirgen molibden trioksit ince film tabakalarının electriksel karekterizasyonu
DOĞUŞCAN AHİBOZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülmüş al2o3 ince filmlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of al2o3 thin films deposited by atomic layer deposition method
KEMAL KAPLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Katodik Ark Pvd yöntemi ile üretilmiş tiaın ve tin kaplamalarının korozyon özellikleri
Başlık çevirisi yok
LEVENT CANDEMİR