Geri Dön

Properties of light emmtting diodes following cobalt - 60 irradiation

Işık saçan diyotların cobalt - 60 radyasyonu altındaki özellikleri

  1. Tez No: 153654
  2. Yazar: ŞAFAK ÖZCAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. İBRAHİM GÜNAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Işık saçan diyot, gamma ışıması, cobalt-60, GaP, GaAsP, akım geçiş mekanizması, radyasyon tahribatı, Light emitting diode, gamma radiation, cobalt-60, GaP, GaAsP, current transport mechanism, radiation damage IV
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

oz IŞIK SAÇAN DİYOTLARIN COBALT-60 RADYASYONU ALTINDAKİ ÖZELLİKLERİ Özcan, Şafak Y.Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. İbrahim Günal Eylül 2004, 71 sayfa Bu çalışmanın asıl amacı gamma radyasyonunun ışık saçan diyotlann (LED) özellikleri üzerindeki etkilerini araştırmaktır. Bu çalışmada GaP ve GaAsP ışık saçan diyotlar kullanılmıştır. Işınlamanın diyotlann çeşitli özelliklerini değiştirdiği gözlemlenmiştir. Seçilen örnekler cobalt-60 gamma hücresi kullanılarak ışmlanmıştır. Çeşitli gamma dozları için ışınlama öncesi ve sonrası diyotlann I-V karakteristikleri ve spektral dağılımlan kaydedilmişir. Kapasitans ölçümleri 1MHz frekansta ve oda sıcaklığında yapılmıştır. Gamma ışınlaması bu LED'lerin elektriksel ışıldama şiddetinde azalmaya ve doğru yöndeki akımda artışa sebep olmaktadır. GaP diyotlarda baskın akım geçiş mekanizması radyasyonla değişmektedir. Seri dirençlerde gözlemlenebilir bir değişiklik olmamıştır. Işınlama sonucunda yeşil LED'lerde saf sizlik atom yoğunluğu aynı kalmakta fakat kırmızı LED'lerde C-V ölçümlerinden görülebileceği üzere artmaktadır. Radyasyon etkisi altında bulunan ortamlarda kullanılacak bu tip LED'lerin devre tasarımcılannın ve kullamcılannm güvenilir uygulamalar için bu cihazlann özelliklerinin değişimlerini göz önünde bulundurmalan gerekmektedir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT PROPERTIES OF LIGHT EMITTING DIODES FOLLOWING COB ALT-60 IRRADIATION Özcan, Şafak M.S., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Ibrahim Giinal September 2004, 71 pages The main purpose of this study is to investigate the effects of gamma radiation on the properties of the light emitting diodes. GaP and GaAsP LEDs are used in the study. It is observed that the exposure of a light emitting diode affects its various properties. A cobalt-60 gamma-cell is used to irradiate the selected light emitting diodes. For the different total doses of gamma pre-irradiation and post-irradiation I-V characteristics and spectral responses are recorded. The capacitance characteristics are measured at 1MHz at room temperature. Gamma ray bombardment of these LEDs results in reduction of electroluminescent intensity and increase in forward current up to levels tested. In GaP diodes dominant current transport mechanism has found to be effected by irradiation. No noticeable change is observed in the series resistances. The impurity density remains same in the green LED and increases in the red one due to the irradiation, which is deduced from the C-V characteristics. Both the circuit designers and the users should be aware of these effects in order to reach a reliable application for these components in a radiation environment.

Benzer Tezler

  1. Development and investigation of white light emitting diodes with blue emitting carbon dots-coated dysprosium doped luminescent glasses

    Mavi ışıyan karbon kuantum nokta kaplanmış disprosyum katkılı lüminesan camlardan beyaz ışık led geliştirilmesi ve incelenmesi

    BEYZA ÖZLEM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MİRAY ÇELİKBİLEK ERSUNDU

  2. Red thermally activated delayed fluorescence emitters in organic light emitting diodes: a computational approach

    Organik ışık yayan diyotlarda kırmızı renkte ışıma yapan termal aktif gecikmeli floresan materyalleri: hesaplamalı yaklaşım

    CANSU DAL KAYNAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    KimyaBoğaziçi Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞARON ÇATAK

    PROF. DR. VİKTORYA AVİYENTE

  3. Investigation of infrared phosphorescence properties of chromium doped lanthanum gallogermanate phosphors sythesized by sol-gel method

    Sol-gel yöntemi ile sentezlenen krom katkılı lantan galogermanat fosforlarının kızılötesi fosforesans özelliklerinin incelenmesi

    BURCU CAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK

  4. Rational molecular design enables efficient organic solar cells and organic light emitting devices

    Verimli organik güneş pilleri ve organik ışık yayan cihazlar için akılcı molekülerin tasarımı

    EDA ALEMDAR YILMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ ÇIRPAN

    PROF. DR. LEVENT KAMİL TOPPARE

  5. Fabrication of silicon nanowires by electroless etching and investigation of their photovoltaic properties

    Silisyum nanotellerin elektrokimyasal dağlama ile üretimi ve güneş pili uygulamalarının araştırılması

    BARIŞ ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    YRD. DOÇ. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN