Geri Dön

Kuantum telinde sığ verici

A shallow donor in quantum well wires

  1. Tez No: 154283
  2. Yazar: OKAN AKANKAN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. EROL OKAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Trakya Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

ÖZET Bu çalışmada kuantum tellerine hapsedilen bir elektron incelenmiştir. Sonsuz kuantum teli içindeki elektrona manyetik alan ve üç boyutlu elektrik alanın etkisi yaklaşık çözüm yöntemi olan varyasyon yöntemi kullanılarak araştırılmıştır. İyonizasyon enerjisi ve polarizasyon, yabancı atom hesaba katılarak, elektrik alan, tel genişliği ve elektrik alan uygulama açısının fonksiyonu olarak hesaplanmıştır. Üç boyutlu elektrik alan için bulunan sonuçlar daha önce tel eksenine dik yönde uygulanan sonuçlardan farklıdır. Elektrik alanın tel ekseni üzerinde bileşeninin yabancı atomun iyonizasyonunda çok etkin olduğu ve polarizasyon arttıkça, iyonizasyon enerjisinin elektrik alanın eksen bileşeniyle hızla azaldığı görülmüştür.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this study an electron confined in quantum well-wires is considered. The response of an electron to a three dimensional electric field and magnetic field in an infinite quantum well wire is investigated within a variational scheme. Taking in to account the impurity ion, ionization energy and polarization are calculated as a function of the electric field, wire width and the application angle of the electric field. It is found that the results for the spatial electric field differ from previous results found for the electric field applied in the direction perpendicular to the wire axis. The axial component of the electric field is very effective on the ionization and the ionization energy weakens rapidly with the axial component of the electric field as the polarization of the carrier distribution intensified. n

Benzer Tezler

  1. GaN / InxGa1-xN silindirik kuantum telinde verici safsızlık enerji düzeyleri

    Hydrojenic donor impurity electronic energy levels InGaN / InxGa1-xN cyrindical quantum wire

    NALAN BARAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. PINAR BAŞER

  2. Properties of shallow impurities in quantum wells and wires

    Başlık çevirisi yok

    MOHAMMAD KHALİL EL-SAİD

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1990

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  3. Alan altında kuantum telinde eksitonik bağlanma

    Excitonic binding in quantum wires under field

    MURAT BURSAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN SARI

  4. Manyetik alan etkisindeki silindirik kuantum telinde safsızlık ve eksiton bağlama enerjisinin hesaplanması

    The calculation of safsızlık and exciton binding energy in a quantum wire in the presence of magnetic field

    CANAN ALPER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. Kuantum kuyu ve tellerine hapsedilen elektronun özellikleri; elektrik alan ve yabancı atom etkisi

    The features of an electron in quantum wells and wires; the effect of electric field and impurity

    OLCAY YAMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İLHAN ERDOĞAN