GaN / InxGa1-xN silindirik kuantum telinde verici safsızlık enerji düzeyleri
Hydrojenic donor impurity electronic energy levels InGaN / InxGa1-xN cyrindical quantum wire
- Tez No: 354384
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. PINAR BAŞER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kuantum teli, Safsızlık, Hydrojenic Donor Impurity, Electronic Energy, Quantum Wires, Quantum wire, Impurity
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde çinko sülfür (ZB) yapısında GaN/InxGa1-xN silindirik kuantum kuyu telindeki elektron enerji düzeyleri ve verici safsızlık bağlanma enerjisi etkin kütle yaklaşımı ve varyasyonel teknik kullanılarak hesaplandı. Sayısal sonuçlar, taban durum bağlanma enerjisinin safsızlık konumuna ve CQWWs yapı parametrelerine bağlı olduğunu gösterdi. CQWWs merkezindeki verici sığ safsızlık bağlanma enerjisi en büyük değeri alır. Safsızlık konumu tel merkezinden telin kenarına doğru değiştikçe bağlanma enerjisi azalır. Ayrıca, bağlanma enerjisinin maksimumun değerlerine yakın bağlanma enerjileri In konsantrasyonuna bağlı olduğu için, In konsantrasyonunun sistemin davranışı üzerinde önemli bir etkiye sahip olduğu bulundu. Özellikle endüstriyel uygulamaları yüzünden çok popüler olan bu malzeme grubu geniş ve direk bir bant aralığına sahip olmasından dolayı çok önemlidir.
Özet (Çeviri)
In this dissertation, within the framework of effective-mass approximation, electron energy levels and the binding energy of a hydrogenic donor impurity in zinc-blende (ZB) GaN/InxGa1-xN cylindrical quantum well wires (CQWWs) are calculated using variational procedures. Numerical results show that the ground-state donor binding energy Eb is highly dependent on the impurity position and to the CQWWs structural parameters. The donor binding energy for a shallow donor impurity located at the center of the CQWW is the largest. As the impurity position changes from the center of the wire to its edge, the donor binding energy gets smaller. Also, It has been found that In concentration is a very important parameter to tailor the system, since the binding energies close to binding energy maxima are strongly dependent on In content. This material group is very popular because of its industrial applications due to its direct and large band gap.
Benzer Tezler
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electron transport properties AllnN/AlN/(InGaN)/GaN in multi-structures with InGaN quantum well
GÜLSER KARAKOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN
SEVİL SARIKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InxGa1-xN
ABDULLAH YILDIZ