Geri Dön

GaN / InxGa1-xN silindirik kuantum telinde verici safsızlık enerji düzeyleri

Hydrojenic donor impurity electronic energy levels InGaN / InxGa1-xN cyrindical quantum wire

  1. Tez No: 354384
  2. Yazar: NALAN BARAZ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. PINAR BAŞER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

Bu tezde çinko sülfür (ZB) yapısında GaN/InxGa1-xN silindirik kuantum kuyu telindeki elektron enerji düzeyleri ve verici safsızlık bağlanma enerjisi etkin kütle yaklaşımı ve varyasyonel teknik kullanılarak hesaplandı. Sayısal sonuçlar, taban durum bağlanma enerjisinin safsızlık konumuna ve CQWWs yapı parametrelerine bağlı olduğunu gösterdi. CQWWs merkezindeki verici sığ safsızlık bağlanma enerjisi en büyük değeri alır. Safsızlık konumu tel merkezinden telin kenarına doğru değiştikçe bağlanma enerjisi azalır. Ayrıca, bağlanma enerjisinin maksimumun değerlerine yakın bağlanma enerjileri In konsantrasyonuna bağlı olduğu için, In konsantrasyonunun sistemin davranışı üzerinde önemli bir etkiye sahip olduğu bulundu. Özellikle endüstriyel uygulamaları yüzünden çok popüler olan bu malzeme grubu geniş ve direk bir bant aralığına sahip olmasından dolayı çok önemlidir.

Özet (Çeviri)

In this dissertation, within the framework of effective-mass approximation, electron energy levels and the binding energy of a hydrogenic donor impurity in zinc-blende (ZB) GaN/InxGa1-xN cylindrical quantum well wires (CQWWs) are calculated using variational procedures. Numerical results show that the ground-state donor binding energy Eb is highly dependent on the impurity position and to the CQWWs structural parameters. The donor binding energy for a shallow donor impurity located at the center of the CQWW is the largest. As the impurity position changes from the center of the wire to its edge, the donor binding energy gets smaller. Also, It has been found that In concentration is a very important parameter to tailor the system, since the binding energies close to binding energy maxima are strongly dependent on In content. This material group is very popular because of its industrial applications due to its direct and large band gap.KEY WORDS: Hydrojenic Donor Impurity, Electronic Energy, Quantum Wires

Benzer Tezler

  1. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    Assist. Prof. AYKUTLU DANA

    DR. NECMİ BIYIKLI

  2. AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini

    Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures

    SABİT KORCAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  3. GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures

    SAİME ŞEBNEM ÇETİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  4. Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization

    İSMAİL ALTUNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı

    Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN

    SEVİL SARIKURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN