Doğal yalıtkan tabakalı Al/p-Si schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin frekansa bağlı incelenmesi
The investigation of frequency dependent electrical characteristics at Al/p-Si schottky diodes with a native insulator layer
- Tez No: 166128
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İlave kapasitans, arayûzey durumları, seri direnç, yalıtkan tabaka, frekansa bağlılık, Excess capacitance, interface states, series resistance, insulator layer, frequency dependent
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
iii DOĞAL YALITKAN TABAKALİ Al/p-Si SCHOTTKY DİYOTLARD A ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİN FREKANSA BAĞLI İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Hatice KANBUR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 2005 ÖZET Doğal yalıtkan arayûzey tabakaya (S1O2) sahip Al/p-Si Schottky diyotlarm akım-gerilim (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında incelendi. Arayûzey durum yoğunluğunun (N^) dağdım profili doğru heslem I-V ölçümlerinden enerjinin (E^- Ev) bir fonksiyonu olarak, engel yüksekliğinin (<3>e) gerilime bağlı olduğu dikkate alınarak elde edildi. Ayrıca kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri geniş bir frekans aralığında (10 kHz - 1 MHz) çalışıldı. İlave (excess) kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. İlave kapasitansın bu davranışı, artan frekansla arayûzey durum yoğunluklarının azalmasına atfedildi. Deneysel sonuçlar Schottky diyotlarm I- V, C-V ve G-V karakteristiklerinin sadece Ngs'den değil aynı zamanda seri direnç R/den de etkilendiğini ve Schottky diyotlarm elektriksel özellikleri üzerinde Nss ve R/nin önemli bir yere sahip olduğunu gösterdi Bilim Kodu : 404.05.0 1
Özet (Çeviri)
IV THE INVESTIGATION OF FREQUENCY DEPENDENT ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT Al/p-Si SCHOTTKY DIODES WITH A NATIVE INSULATOR LAYER (M.Sc Thesis) Hatice KANBUR GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY June 2005 ABSTRACT The current-voltage (I-V) characteristics of Al/p-Si Schottky diodes with the native interfacial insulator layer (Si02) were measured at room temperature. The density of interface states (N®,) distribution profile as a function of (Ess- Ev) was extracted from the forward bias I-V measurements by taking into account the bias dependence of the effective barrier height (<&e). In addition the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements are studied at frequency range of 10 kHz to 1 MHz. The excess capacitance was observed to decrease with increasing frequency. Such behavior of excess capacitance has been attributed to the fact that the apparent density of Nss decreases with increasing frequency. Experimental results show that the I-V, C- V and G-V characteristics of Schottky Diodes are affected not only in N^ but in also series resistance (Rs), and the location of Nss and Rs have a significant role on electrical characteristics of Schottky diodes. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Doğal yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin frekansa bağlı incelenmesi
The investigation of frequency dependent electrical characteristics at Al/p-Si Schottky diodes with a native insulator layer
HATİCE KANBUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence of electrical characteristics of the Al/p-Si Schottky diodes with insulator layer
HATİCE KANBUR
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Investigation of the catalytic performance of tin nanowires produced by aluminum anodic oxide template method for electrochemical CO2 reduction
Alüminyum anodik oksit şablon yöntemiyle üretilen kalay nanotellerin elektrokimyasal CO2 redüksiyonuna yönelik katalitik performansinin i̇ncelenmesi
DİLAN ER GÖNÜL
Doktora
İngilizce
2023
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- A fully-differential bulk-micromachined MEMS accelerometer with interdigitated fingers
İçiçe geçmiş parmaklar ile tam-diferensiyel gövde-mikroişlenmiş MEMS ivmeölçer
OSMAN AYDIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. TAYFUN AKIN