Geri Dön

Doğal yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin frekansa bağlı incelenmesi

The investigation of frequency dependent electrical characteristics at Al/p-Si Schottky diodes with a native insulator layer

  1. Tez No: 387057
  2. Yazar: HATİCE KANBUR
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 64

Özet

Doğal yalıtkan arayüzey tabakaya (SiO2) sahip Al/p-Si Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında incelendi. Arayüzey durum yoğunluğunun (Nss) dağılım profili doğru beslem I-V ölçümlerinden enerjinin (Ess- Ev) bir fonksiyonu olarak, engel yüksekliğinin (e) gerilime bağlı olduğu dikkate alınarak elde edildi. Ayrıca kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri geniş bir frekans aralığında (10 kHz - 1 MHz) çalışıldı. İlave (excess) kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. İlave kapasitansın bu davranışı, artan frekansla arayüzey durum yoğunluklarının azalmasına atfedildi. Deneysel sonuçlar Schottky diyotların I-V, C-V ve G-V karakteristiklerinin sadece Nss'den değil aynı zamanda seri direnç Rs'den de etkilendiğini ve Schottky diyotların elektriksel özellikleri üzerinde Nss ve Rs'nin önemli bir yere sahip olduğunu gösterdi.

Özet (Çeviri)

The current-voltage (I-V) characteristics of Al/p-Si Schottky diodes with the native interfacial insulator layer (SiO2) were measured at room temperature. The density of interface states (Nss) distribution profile as a function of (Ess- Ev) was extracted from the forward bias I-V measurements by taking into account the bias dependence of the effective barrier height (e). In addition the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements are studied at frequency range of 10 kHz to 1 MHz. The excess capacitance was observed to decrease with increasing frequency. Such behavior of excess capacitance has been attributed to the fact that the apparent density of Nss decreases with increasing frequency. Experimental results show that the I-V, C-V and G-V characteristics of Schottky Diodes are affected not only in Nss but in also series resistance (Rs), and the location of Nss and Rs have a significant role on electrical characteristics of Schottky diodes.

Benzer Tezler

  1. Doğal yalıtkan tabakalı Al/p-Si schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin frekansa bağlı incelenmesi

    The investigation of frequency dependent electrical characteristics at Al/p-Si schottky diodes with a native insulator layer

    HATİCE KAMBUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence of electrical characteristics of the Al/p-Si Schottky diodes with insulator layer

    HATİCE KANBUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  4. A fully-differential bulk-micromachined MEMS accelerometer with interdigitated fingers

    İçiçe geçmiş parmaklar ile tam-diferensiyel gövde-mikroişlenmiş MEMS ivmeölçer

    OSMAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. TAYFUN AKIN

  5. Investigation of the catalytic performance of tin nanowires produced by aluminum anodic oxide template method for electrochemical CO2 reduction

    Alüminyum anodik oksit şablon yöntemiyle üretilen kalay nanotellerin elektrokimyasal CO2 redüksiyonuna yönelik katalitik performansinin i̇ncelenmesi

    DİLAN ER GÖNÜL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN