Katmanlı TIInS2 kristalinin dielektrik spektroskopisi
Dielectric spectroscopy of layered TInS2 crystal
- Tez No: 171128
- Danışmanlar: DOÇ.DR. FERİD SALEHLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
t ÖZET TlInS2 katmanlı ferroelektrik kristalinin geniş bir sıcaklık aralığında (95K - 420K ) ve geniş bir frekans (30Hz- ile 13 MHz) aralığında dielektrik özellikleri katlara dik ve paralel yönde incelenmiş bunun sonucunda a.c. iletkenliğin evrensel Jonscher formülüne uygun olarak değiştiği tespit edilmiştir. Katlara dik yöndeki anizotropi, katlara paralel yöndeki anizotropi den çok daha fazla olduğu ve bunun sonucu olarak katlara dik yöndeki iletkenlik olaylarının incelenen sıcaklık aralığında tamamen atlama (hopping) mekanizmasının sorumlu olduğu sonucuna varılmıştır. Bununla birlikte katlara paralel yönde yapılan incelemelerde 300 K civarına kadar yine iletkenlikten sorumlu sürecin atlama mekanizması bu sıcaklıktan sonraki sıcaklıklarda katkı seviyeleri-band geçişlerinin iletkenlikten sorumlu olduğu ortaya konmuştur. Sanal dielektrik sabitin ( e* ) ve iletkenliğin ( a ) ölçeksiz faz geçişinde (Tj), yaklaşık olarak 3 KHz -20 KHz aralığında maksimumdan geçtiği gözlenmiş bu frekansların ölçeksiz fazın karakteristik frekansları olduğu sonucuna varılmıştır. Elektriksel modülün geniş sıcaklık aralığında atlama mekanizmasına bağlı olan durulma zamanlan elde edilmiştir ayrıca sanal düzlem diyagramlarında ölçeksiz faza tekabül eden 10“5 ve 10”8 sn aralığında hızlı bir durulma mekanizması belirlenmiştir. Oluşan bu hızlı mekanizma ölçeksiz faz içinde oluşan soliton duvarları ile yük taşıyıcılarının etkileşmesinden kaynaklandığı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY As the dielectric properties of TİI11S2 layered ferroelectric crystal is analyzed in perpendicular and parallel directions in a large temperature range ( 95K - 420K) and frequency (30Hz - 13MHz) range, it is determined that a.c. conductance of materials changes as in the universal formula of Jonscher. Perpendicular anisotropy is much greater than parallel anisotropy, and as a result of this it is determined that all the conductivity phenomena in the perpendicular direction of layers are due to hopping mechanisms in this temperature range. On the other hand, analyzes in parallel direction show us hopping mechanisms are again responsible process for conductance until 300K but electron transitions from dopped level to conductance band are responsible for this above 300K. It is observed that during the incommensurate phase transition the values of imaginery dielectric constant (s“) and conductivity (a ) are maximum about between 3KHz-20KHz and it is determined that these frequencies are the characteristic frequencies for unsealed phases. Relaxation times of electrical module that depends on the hopping mechanism are obtained at wide temperature range. A rapid relaxation mechanism is also determined in imaginery plane diagrams which refer to incomensurate phase between time interval of 10”5 and 10“8 seconds. It is understood that this rapid mechanism stems from interaction between soliton walls, which is formed in the ”incomensurate" phase, and the charge carriers.
Benzer Tezler
- A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi
Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy
YAKUP BAKIŞ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- Lantan katkılı TIIıns2 katmanlı ferroelektrik yarıiletken kristallerin piroelektrik özelliklerine ışık veya elektrik alan ile uyarılmış yapısal safsızlıkların etkisi
Effect of structural defects excited by light or electric field on the pyroelectric properties of lantanium doped TIIins2 layered ferroelectric semiconductor crystals
ELİF ACAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Fe ve Cr atomları ile katkılandırılmış T1InS2 kristalinde faz geçişleri çevresinde dielektrik ve manyetik özellikler
Dielectric and magnetic properties in the vicinity of phase transitions in T1InS2 crystal doped by fe and cr atoms
ASİYE GONCA ONAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- TIInS2 ve TIGaSe2 katmanlı ferroelektrik kristallerinde faz geçişleri ve dielektrik özelliklerin incelenmesi
The investigation of dielectric properties and phase transitions in TIInS2 ve TIGaSe2 layered ferroelectric crystals
ERDOĞAN ŞENTÜRK
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Tlgase2 ve tlıns2 katmanlı kristallerinin doğal kusurlarının ultrasonik ses hızı yöntemiyle incelenmesi
Investigation of native defects of tlgase2 and tlins2 layered crystals by ultrasonics velocity measurements
CAFER KIRBAŞ
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY