Amorf silisyum monoksit filmlerde (a-SiOx) ısıl uyarlamalı akım ölçümleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 173970
- Danışmanlar: DR. NECDET BAŞTÜRK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1982
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
İÜ ÖZET Bu çalışmada, vakum buharlaştırması ile elde edilen a-SiO filmleri üzerinde, 120K-400K aralığında, Isıl Uyarmalı Akım (Thermally Stimulated Current) ölçümleri _7 yapıldı. Silisyum monoksit filmler 2.10 torr basınç ta ve buharlaştırma hızının 13 aVs-35 R/s değerlerinde hazırlandı. Buharlaştırma sırasında cam tabanlar 125- 170°C sıcaklık aralığında tutularak 2000-6200 8 kalın lığında filmler elde edildi. Isıl Uyarmalı Akım (IUA) ölçümleri 120K-400K sı caklık bölgesinde çalışabilen bir kriyostat kullanıla rak vakumda alındı. 120K'da u.v. ve beyaz ışıkla aydın latılan filmlerin IUA eğrilerinde, çalışma koşullarına bağlı olarak, 210K, 260K ve 320K sıcaklıklarında oluşan 1-3 tepe gözlendi. Bu tepeler hazırlama koşullarının, ısıtma hızının, aydınlatma enerjisi ve süresinin fonksi yonu j^lârak incelendi. IUA eğrilerindeki tepelere kar şılık gelen enerji değerleri, farklı değerlendirme yön temleri kullanılarak, 260K için 0,22 eV-0,36 e¥, 320K için 0,57 eV-0,61 eV olarak hesaplandı. Bu değerlerin daha Önceki çalışmalarda hesaplananlarla uyum içinde olduğu bulundu.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT TSC measurements were made on evaporated silicon monoxide films between 120-400 K. Amorphous SiO films -7 were prepared in high vacuum at 2x10 torr and the deposition rate was between 13-35 A/sec. Substrate temperature were kept at a value between 125-170 C to obtain SiO films with stable electrical properties. The thickness of the films were in the range 2000-6200 8. TSC were measured in a vacuum cryostat. Most of the TSC spectrum shows three distinct current peaks at 210K, 260K and 320K. These peaks are examined as a func tion of sample preparation conditions, heating rates, illumination energy and time. The depts of the energy levels from the conducting paths were determined as 0,22-0,36 eV for 260K peak and 0,57-0,61 eV for 320K peak by making use of different calculation methods. The energy level value of 210K peak could not be calculated using these methods but it must be less than 0,2 eV.
Benzer Tezler
- Amorf silisyum bazlı diyotlarda negatif sığa etkisi
Negative capacitance effect in amorphous silicon based diodes
AYNUR ANUTGAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÖKHAN GÖKOĞLU
- Effect of localized states on the photocurrent in amorphous silicon alloys
Amorf silisyum alaşımlarındaki yerel durumların foto akıma etkisi
MEHMET BAHADIR BEBEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Instability studies in amorphous silicon based alloys
Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları
ORHAN ÖZDEMİR
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Optical properties of silicon based amorphous thin films
Silisyum tabanlı amorf ince filmlerin optik özellikleri
BARIŞ AKAOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Ellipsometric and UV-VIS transmittance analysis of amorphouse silicon carbide thin films
Amorf silisyum karbür ince filmlerin elipsometrik ve mor ötesi-görünür bölge optik geçirme analizi
ALİ ALKAN GÜLSES
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU