Effect of localized states on the photocurrent in amorphous silicon alloys
Amorf silisyum alaşımlarındaki yerel durumların foto akıma etkisi
- Tez No: 255265
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 98
Özet
Amorf silisyum alaşımı ince filimler plazma yardımcılı kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle büyütüldü. Optoelektronik ölçümlerin yapılabilmesi için, saydam metal elektrot biriktirilerek diyot yapılar üretildi. Yasak enerji aralığındaki yerel durum yoğunlukları ve fotoakım mekanizmaları inceleyen kuramsal altyapı çalışıldı. Bu bilgiler ışığında, sönümlü fotoakım kullanan uçuş süresi ölçüm tekniği, filmlerdeki bant eteklerinin karakteristik enerjilerinin ve yaygın durumlardaki taşıyıcı hareketliliğinin elde edilmesi için kullanıldı. Filmlerdeki gerçek yerel durum yoğunlukları, sabit foto-akım ölçümü vasıtasıyla elde edilen optik soğurma katsayısı kullanılarak belirlendi. Son olarak, yapıya az miktarda Oksijen atomu karışmasının taşıyıcı hareketliliğine ve yerel durum yoğunluğuna olumsuz etkisi gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Amorphous Silicon alloy thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition technique. In order to make optoelectronic measurements, diode structures were fabricated by depositing transparent metal electrodes. Theoretical background of localized density of states in the mobility gap and photocurrent mechanisms has been revisited. In light of this, time of flight technique, using transient photocurrent, was utilized to determine mobility in extended states and characteristic energy of tail states in the film. The actual density of states (DOS) in the mobility gap of the deposited films were determined by using absorption coefficients obtained via constant photocurrent measurements. Finally, adverse effects of small Oxygen incorporation on mobility and DOS were observed.
Benzer Tezler
- Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLEN AKTAŞ
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Interlayer coupling in ferroelectric multilayers: Domain structures and effect of space charges
Başlık çevirisi yok
MAHMUT BARIŞ OKATAN
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiThe University of ConnecticutProf. Dr. S. PAMİR ALPAY
- Topological aspects of charge transport in quantum many-body systems
Kuantum çok parçacıklı sistemlerindeki yük taşınımının topolojik yönleri
MOHAMMAD YAHYAVI
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BALAZS HETENYI
- Çok düşük karbonlu çeliklerin sac şekillendirilebilirliği
Başlık çevirisi yok
M.BİNNAZ AKSAKAL KUNAÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Malzemesi ve İmalat Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET DEMİRKOL