Effect of localized states on the photocurrent in amorphous silicon alloys
Amorf silisyum alaşımlarındaki yerel durumların foto akıma etkisi
- Tez No: 255265
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İnce filmler, Thin films
- Yıl: 2009
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Amorf silisyum alaşımı ince filimler plazma yardımcılı kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle büyütüldü. Optoelektronik ölçümlerin yapılabilmesi için, saydam metal elektrot biriktirilerek diyot yapılar üretildi. Yasak enerji aralığındaki yerel durum yoğunlukları ve fotoakım mekanizmaları inceleyen kuramsal altyapı çalışıldı. Bu bilgiler ışığında, sönümlü fotoakım kullanan uçuş süresi ölçüm tekniği, filmlerdeki bant eteklerinin karakteristik enerjilerinin ve yaygın durumlardaki taşıyıcı hareketliliğinin elde edilmesi için kullanıldı. Filmlerdeki gerçek yerel durum yoğunlukları, sabit foto-akım ölçümü vasıtasıyla elde edilen optik soğurma katsayısı kullanılarak belirlendi. Son olarak, yapıya az miktarda Oksijen atomu karışmasının taşıyıcı hareketliliğine ve yerel durum yoğunluğuna olumsuz etkisi gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
Amorphous Silicon alloy thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition technique. In order to make optoelectronic measurements, diode structures were fabricated by depositing transparent metal electrodes. Theoretical background of localized density of states in the mobility gap and photocurrent mechanisms has been revisited. In light of this, time of flight technique, using transient photocurrent, was utilized to determine mobility in extended states and characteristic energy of tail states in the film. The actual density of states (DOS) in the mobility gap of the deposited films were determined by using absorption coefficients obtained via constant photocurrent measurements. Finally, adverse effects of small Oxygen incorporation on mobility and DOS were observed.
Benzer Tezler
- Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLEN AKTAŞ
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
BAHAR TÜRKYILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
- Diesel motorları yakıt püskürtme sistemlerinin dinamik simülasyonu
Başlık çevirisi yok
İRFAN KARAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ BORAT
- Doğuştan kalça çıkıklı hastalarda kalça patolojilerinin bilgisayarlı tomografi ile değerlendirilmesi
Başlık çevirisi yok
NECDET ŞÜKRÜ ALTUN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1987
Ortopedi ve TravmatolojiGazi ÜniversitesiOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ORHAN ASLANOĞLU