Ge yarıiletken numunelerinin elektriksel karakterizasyonu
The Temperature depent electron transport in Ge
- Tez No: 180108
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. YASEMİN ÇİFTÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Hall mobilitesi, Elektron iletim, X-ışını Kırınımı, Hall Mobility, electron transport, X-RayDifraction
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada germanyum yarıiletkenlerinin iletim özellikleri incelendi. Üç tipGe numunenin manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi 35-350 sıcaklık aralığındayapıldı. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri kuvvet modeli kullanılarak analiz edildi.İncelenen numuneler yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlik gösterirkendüşük sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Özdirenç, HallMobilitesi ve taşıyıcı yoğunlukları araştırıldı. Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hallölçümleri birbirleri ve literatürle karşılaştırıldı. Sıcaklık bağımlı bireysel bantparametreleri, E g 'leri ve safsızlık bağlanma enerjileri hesaplandı.Bilim Kodu : 202.1.147
Özet (Çeviri)
In this work, the transport properties of Ge semiconductors were investigated.Temperature dependent conductivity, Hall mobility measurement in Ge semiconductorswere carried out at the temperature range 35-350 K. The studied samples show n-typeelectrical conductivity at high temperatures while they show n-type electricalconductivity at intermediate temperatures region. The activation energy and the bandgap have been calculated from the temperature resistivity measurement.Science Code : 202.1.147
Benzer Tezler
- Investigation of structural, optical and electrical properties of MBE grown Si-Ge thin films
MBE ile büyütülmüş Si-Ge ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
İSA ŞEKER
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAYRAM ÜNAL
- Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi
ŞENGÜL AKYOL
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Sol-jel yöntemi ile üretilen ti(IV) katkılı Zno tabanlı seyreltik manyetik yarıiletken nano tozların ve ince filmlerin karakterizasyonu
Characterization of ti(IV) doped zno based dilute magnetic semiconductor nano powders and thin films synthesized by the sol-gel method
EMİNE TÜRKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Makine MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HAKAN ADA
DOÇ. DR. ELİF AŞIKUZUN TOKEŞER