Physical properties of CdSe thin films produced by thermal evaporation and e-beam techniques
Termal buharlaştırma ve e-demeti teknikleri kullanılarak üretilmiş CdSe ince filmlerin fiziksel özellikleri
- Tez No: 181133
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CdSe, İnce filim, Isısal buharlaştırma, elekron demeti ilebuharlaştırma, İletkenlik, Optik enerji aralığı, Fotoakım, Fototepki.vii, CdSe, Thin film, Thermal evaporation, E-beam evaporation, Opticalenergy gap, Conductivity, Photoconductivity, Photoresponse.v
- Yıl: 2006
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 99
Özet
CdSe ince filimler ısısal buharlaştırma ve elektron demeti buharlaştırmateknikleri ile iyi temizlenmiş cam tabanlar üzerine büyütülmüştür. Örneklerin birkısmı üzerine düşük dozda bor ekilmiştir. EDAX ve X-ışını analizleri hemen hemenbire bir oranlı çoklu kristal filimlerin (002) tercihli yönünde büyüdügünügöstermiştir. Optik ölçümlerin analizi yaklaşık 700 nm dalga boyunda soğurmanınhızlı bir şekilde arttığını ve dogrudan izin verilmiş bir geçiş oldugunu göstermiştir.Filimlerin yasak enerji aralığının 1.7 eV civarında oldugu tespit edilmiştir. Isısalbuharlaştırma ve elektron demeti ile buharlaştırma teknikleri ile büyütülmüşörneklerin oda sıcaklığındaki iletkenlik değerlerinin sırasıyla 9.4 ile 7.5x10-4(â¦-cm)-1ve 1.6x10-6 ile 5.7x10-7(â¦-cm)-1 arasında değiştiği gözlemlenmiştir. Bor ekimisonrasında bu filimlerin iletkenliklerinin sırasıyla 5 ve 8 kat arttığı gözlenmiştir.Mobilite ölçümleri sadece ısısal buharlaştırma ile hazırlanmış veya elektron demetiile buharlaştırma tekniği ile hazırlanıp bor ekilmiş örnekler üzerinde yapılabilmiştirve 8.8 ile 86.8 (cm2/V.s) arasında değişen mobilite değerleri bulunmuştur. Bütünviörneklerde ısısal saçılmanın 250 K üzeri sıcaklıklarda baskın iletim mekanizmasıoldugu, 150-240 K ve 80-140 K sıcaklık aralıklarında sırasıyla tünelleme ve değişkenerimli hoplama mekanizmaları olduğu gözlenmiştir. Aydınlanma şiddeti-fotoakımgrafikleri, ölçümlerin yapıldığı sıcaklık aralığı olan 80-400 K aralığının alt ve üstbölgelerinde baskın olan iki tekrar bileşim merkezinin varlığını ortaya koymuştur.Fototepki ölçümleri 1.72 eV tepe değeri vererek optik geçirgenlik ölçümlerinidoğrulamıştır.
Özet (Çeviri)
CdSe thin films were deposited by thermal evaporation and e-beamevaporation techniques on to well cleaned glass substrates. Low dose of boron havebeen implanted on a group of samples. EDAX and X-ray patterns revealed thatalmost stoichiometric polycrystalline films have been deposited in (002) preferredorientation. An analysis of optical measurements revealed a sharp increase inabsorption coefficient below 700 nm and existence of a direct allowed transition. Thecalculated band gap was around 1.7 eV. The room temperature conductivity valuesof the samples were found to be between 9.4 and 7.5x10-4 (â¦-cm)-1 and 1.6x10-6 and5.7x10-7 (â¦-cm)-1for the thermally evaporated and e-beam evaporated samplesrespectively. After B implantation conductivity of these films increased 5 and 8times respectively. Hall mobility measurements could be performed only on thethermally evaporated and B-implanted e-beam evaporated samples and found to bebetween 8.8 and 86.8 (cm2/V.s). The dominant conduction mechanism weredetermined to be thermionic emission above 250 K for all samples. Tunneling andivvariable range hopping mechanisms have been observed between 150-240 K and 80-140 K respectively. Photoconductivity-illumination intensity plots indicated tworecombination centers dominating at the low and high regions of studied temperaturerange of 80-400 K. Photoresponse measurements have corrected optical band gapmeasurements by giving peak value at 1.72 eV.
Benzer Tezler
- Elektrodepozisyon yöntemi ile üretilen ve güneş pili üretimine uygun olan CdSe/PbS hetero yapıların bazı fiziksel özellikleri
Some physcal propecties of the CdSe/PbS hetero structures produced by the electrodeposition method and suitable for solar cell production
FERMAN YAVUZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYÇA KIYAK YILDIRIM
- İnce yaygı CdS ve CdSe yarı-iletkenlerin optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
A study of optical and structural properties of thin film CdS and CdSe semiconductors
ASUMAN AŞIKOĞLU BOZKURT
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET HİKMET YÜKSELİCİ
- Synthesis & characterization of CdSe/ZnS quantum dots
CdSe/ZnS kuantum noktalarının sentezi ve karakterizasyonu
HAKAN AYDIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- CdSe/CdTe kuantum nokta duyarlı güneş pillerinin fotovoltaik performansının incelenmesi
Investigating photovoltaic performance of CdSe/CdTequantum dot solar cells
ABDÜLKADİR AYDOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSA ÇADIRCI
- Formation and investigation of organic-inorganic compound structures on the surfaces at nanoscale with scanning probes
Nano ölçekte taramalı uç ile organik ve inorganik bileşiklerin çeşitli yüzeylerde oluşumu ve araştırılması
ELİF PEKSU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ