Püskürtme yöntemiyle elde edilen In2o3' ün elektriksel özellikleri
Some electrical properties of In2o3 films deposied by spray pyrolysis
- Tez No: 181577
- Danışmanlar: PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Geçirgen iletken oksitler, spray pyrolysis, optikabsorpsiyon, ohmik iletim, indiyum oksit, Transparent conducting oxides, spray pyrolysis, optical absoption, ohmic conduction, indium oxide
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, In2O3 yarıiletken filmleri püskürtme yöntemiyle, 350ºC,380ºC ve 425ºC taban sıcaklıklarında ve cam tabanlar üzerinde elde edilmiştir.Elde edilen filmlerin X-ışınları kırınım desenlerinden filmlerin kristal yapısınınpolikristal oldukları ve kübik yapıda oluştukları belirlenmiştir. Filmlerinabsorpsiyon spektrumlarından yasak enerji aralıklarının 3,71eV ve 3,74eVaralığında değiştiği ve direkt bant geçişli oldukları görülmüştür. Filmler n-tipielektriksel iletim özelliği göstermiştir. Elde edilen In2O3 filmlerin, odasıcaklığında ve karanlık ortamda akım-voltaj ölçümleri alınmış ve filmlerin ohmikiletim mekanizmasına sahip oldukları belirlenmiştir. Yapılan ölçümlerdenfilmlerin özdirenç değerleri hesaplanmıştır. Hesaplanan özdirenç değerleri1,54x10-3 ile 4,86x10-3 ohm.cm arasında değişmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, In2O3 semiconductor films have been produced at 350ºC,380oC and 425oC substrate temperature on to the glass substrates by the spraypyrolysis method. X-ray diffraction spectra of the films have shown that the filmsso formed are polycrystalline and cubic structure. In2O3 films have beendetermined to have direct band gap characteristics with the band gap values lyingin the range between 3,71 and 3,74 eV by using optical method. The type of theelectrical conductivity of all films have been determined to be n-typecharacteristic by using hot probe method. The ohmic conduction mechanismshave been observed in the current-voltage characteristics of the films. Thecalculated values of the resistivity of the films have been found to lie between1,54x10-3 and 4,86x10-3 ohm.cm.
Benzer Tezler
- Alüminyum altlık üzerine ısıl püskürtme yöntemiyle kaplanan seramik ve seremik-polimer kaplamaların aşınma davranışlarının incelenmesi
Investigation of wear behavior of thermally sprayed ceramic and ceramic-polymer coatings on aluminum
UFUK AKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SABRİ KAYALI
- p- Co3O4/ n- In2O3 heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of p- Co3O4/ n- In2O3 heterojunction diode
ESRA ZEYBEKOĞLU
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EVREN TURAN
- Recycling of In2O3 from waste LCD panels & process design
Atık LCD panellerinden In2O3 geri dönüşümü ve prosestasarımı
DOĞAÇ TARI
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN
- Synthesis and characterization of novel organometallic-semiconductor nanocomposit photoelectrodes
Yeni organometalik-yarı iletken nanokompozit fotoelektrotların sentezi ve karakterizasyonu
EMRE YUSUF GÖL
Doktora
İngilizce
2022
Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN KARABUDAK
- Püskürtme yöntemiyle elde edilen in katkılı ZnO filmlerinin DC ve optik özellikleri
DC and optical properties of in doped ZnO films produced by the spray pyrolysis method
MÜJDAT ÇAĞLAR
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR