Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin belirlenmesinde frekans optimizasyonu
Frequence optimization for determination of characteristic parameters of schottky diodes
- Tez No: 182447
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Engel yüksekliği, İdealite faktörü, Metal-Yarıiletkenkontak, Schottky kontaki, Barrier height, Ideality factor, Metal-Semiconductor contact, Schottky contact.iii
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
Bu çalışmada daha önceden üretilmiş olan Sn/p-Si Schottky kontaklarıkullanıldı. Numuneler diyot A, diyot B, diyot C ve diyot D olarak adlandırıldı.Numunelerin karanlıkta Akım-Voltaj (I-V), Kapasitans-Voltaj (C-V) ve Kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi FizikBölümü ölçüm laboratuarında oda sıcaklığında alındı. Numunelerin idealitefaktörleri (n) ve engel yükseklikleri (Φb), doğru beslem I-V karakteristiklerinden veayrıca sonuçların uyumluluğunu kontrol etmek için Cheungs Fonksiyonlarındanhesaplandı. Numunelerin seri dirençleri Cheungs Fonksiyonlarından belirlendi.Numunelerin iki ayrı frekans değerinde (1 MHz ve 5 MHz'de) C-V karakteristiklerikullanılarak engel yükseklikleri hesaplandı. Numunelerin 5 MHz'deki engelyüksekliği değerlerinin 1 MHz'deki engel yüksekliği değerlerinden daha büyükolduğu tespit edildi ve bu durum kontakların arayüzey hallerine atfedildi. İlaveolarak, diyot A'nın 100 kHz-20 MHz frekans aralığında C-V karakteristiklerindendifüzyon potansiyelini hesaplayarak, difüzyon potansiyeli-frekans değişimigözlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, Sn/p-Si Schottky contacts fabricated previously were used.Samples have been named to be diode A, diode B, diode C and diode D. The darkcurrent-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f)measurements of the samples were carried out in Yuzuncu Yil University Faculty ofScience and Arts Department of Physics Measurement Laboratory at roomtemperature. The values of ideality factor (n) and barrier height of the samples werecalculated from the forward bias I-V characteristics, and also by using Cheungs?Functions to check the consistency of the results. Series resistances of the diodeswere determined from the Cheungs? Functions. At the two different frequencyvalues of 1 MHz and 5 MHz, barrier height values of the samples were calculated byusing C-V characteristics. It is determined that the values of barrier height of thesamples at 5 MHz were higher than those at 1 MHz, and this case was attributed tothe interface states of the contacts. Additionally, by calculating diffusion potentialfrom the C-V characteristics of the diode A at the range from 100 kHz to 20 MHz,relations berween diffusion potential and frequency was observed.
Benzer Tezler
- Metal/III-V yarıiletken schottky diyotların karakteristik parametrelerinin deneysel ve teorik olarak hesaplanması
Experimental and theoretical calculating of the characteristic parameters of metal/III-V semiconductor schottky diodes
SERDAR KOÇKANAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HÜLYA DOĞAN
- Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature
KADİR EJDERHA
Doktora
Türkçe
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs Schottky engel diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimleri
Effects of sample temperature and thermal annealing on characteristic parameters of sputtered Ni/n-GaAs Schottky barrier diodes
NEZİR YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2009
Bilim ve TeknolojiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Organik pyronin-B, polipirol ve inorganik yarıiletken schottky diyotların fabrikasyonu ve karakteristik parametrelerinin tayini
The Fabrication and determination of the characteristics parameters of the organic pyronin-B, polypyrrole and inorganic semiconductor schottky diodes
MUZAFFER ÇAKAR
- Au/n-GaAs schottky diyotların karakteristik parametreleri üzerine hidrostatik basıncın etkisi
Hydrostatic pressure effect on caracteristic parameter of Au/n-GaAs schottky diodes
GÜVEN ÇANKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NAZIM UÇAR