ZnO/CdS/CuIn(S,Se)2 heteroeklem güneş pillerinde admittans spektroskopisi ve akım-iletim mekanizmaları
Admittance spectroscopy and current-transport mechanisms of ZnO/CdS/CuIn(S,Se)2 heterojunction solar cells
- Tez No: 184515
- Danışmanlar: PROF.DR. ŞENER OKTİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 105
Özet
Bu çalışmada toplu buharlaştırma tekniğiyle büyütülmüş olan CuIn(S,Se)2tabanlı heteroeklem aygıtların elektronik özellikleri iki grupta ele alınarakincelenmiştir. Birinci grup, Cu/In oranı sabit S/(S+Se) oranı değişken; ikinci grup iseS/(S+Se) oranı sabit Cu/In oranı değişken örneklerden oluşmaktadır. Parametreleristokiometriye bağlı güneş pillerinin akım-gerilim karakteristikleri 250C sıcaklıkta100mW/cm2'lik ışınım altında ölçülmüştür. Soğurucu tabakasındaki bakır oranı sabitörneklerde, bulunan Voc ve doluluk faktörü değerlerinin S/(S+Se) oranına göre azduyarlı iken Jsc değerlerinin azaldığı belirlenmiştir. Bununla birlikte S/(S+Se) oranısabit Cu/In oranı değişimine göre Voc ve doluluk faktörü değerlerinin arttığı ve Jscdeğerlerinin az duyarlı olduğu saptanmıştır.Eklem kapasitansı ölçümlerinde, tabakadaki Cu/In oranı sabit iken tuzakseviyelerinin aktivasyon enerji değerlerinin tümünün benzer özellik gösterdiği veyaklaşık 110meV civarında olduğu saptanmıştır. Cu/In oranı azalırken ise bir öncekituzak seviyelerinin 229meV ve 246meV olduğu saptanmıştır.Heteroeklemlerin yasak enerji aralığı değerleri kuantum verimliliği (QE)spektrali ile belirlenmiş olup soğurucu tabakanın yasak enerji aralığı değerlerinin1.0eV ile 1.3eV arasında olduğu bulunmuştur. Güneş pillerinin sıcaklığa bağımlıakım-gerilim ölçümlerinde ise baskın olan akım-iletim mekanizmaları belirlenmeyeçalışılmıştır. Tüm güneş pillerinin aktivasyon enerji değerlerinin yasak enerji aralığıdeğerlerinden daha küçük değerde olduğu bulunmuş ve baskın olan akım iletimmekanizmasının ara yüzeyde yeniden birleşme mekanizması olduğu belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
This work attempts to analyse the data on electronic properties of two groupsof CuIn(S,Se)2 based heterojunction devices deposited by co-evaporation technique.In the first group of samples; Cu/In ratio was kept constant and S/(S+Se) ratio waschanged, in the second group S/(S+Se) ratio was maintained the same while theCu/In ratio was altered. In an attempt to correlate solar cell parameters to thestoichiometry, current-voltage characteristics of these cells were measured under anillumination of 100mW/cm2 at 250C. For the constant copper content in the absorberlayers, both Voc and fill factor values are found to be only slightly sensitive to theS/(S+Se) ratios, whereas Jsc values decreased with increasing the S/(S+Se) ratios.However for the constant S/(S+Se) content, as the Cu/In ratio increases Voc and fillfactor values were observed to be improved significantly but Jsc exhibits only slightchange.From the junction capacitance measurements, for the constant Cu/In contentin the layers, all the activation energy values of the trap levels determined exhibitedsimilar values around 110meV. As the Cu/In ratio is reduced, in addition to theformer level, trap levels at about 229meV and 246meV were identified.The dependence of the band gap energy, Eg on the composition wasdetermined from the evaluation of quantum efficiency (QE) spectra of theheterojunctions. The values of the band gap energy for the absorber layers werefound to change between 1.0eV and 1.3eV. Temperature dependent current-voltagemeasurements were used to determine the dominant current mechanism in these solarcells. Basically for all types of the cells, the current was found to mainly bedominated by the recombination at the hetero-interface, with activation energiessmaller than the values of the band gap of the absorber material.
Benzer Tezler
- İnce film CIGSSe soğurucu katmanına sahip güneş hücrelerinde stokiyometrik oranların akım-iletime etkisi
Effect of the stoichiometric ratio on current-transport mechanisms of CIGSSe based heterojunction solar cells
FERHAT ERİŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN PAKMA
- Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices
Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru
BETÜL TEYMUR
Doktora
İngilizce
2022
EnerjiDuke UniversityMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ
- ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heteroeklem güneş pilinin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
A. SERTAP KAVASOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. HABİBE BAYHAN
- Fonksiyonel seramik nem dedektörleri
Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cell
NEŞE KAVASOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MURAT BAYHAN
- Cu(In,Ga)Se2 tabanlı güneş pillerinde gövde içi ve ara yüzey tuzak durumlarının incelenmesi
Investigation of bulk and interfacial defect states in Cu(In,Ga)Se2 based solar cells
ADEM DÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE BAYHAN