AlxGa1-xN based solar blind Schottky photodiodes
AlxGa1-xN tabanlı güneş körü Schottky fotodiyotlar
- Tez No: 184719
- Danışmanlar: PROF. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Photodetector, Photodiode, Schottky Photodiode, Low DarkCurrent, Quantum Eï¬ciency, High-Speedii
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
üOzetü şüüAlx Ga1âx N TABANLI GUNES KORU SCHOTTKYËFOTODIYOTLARTurgut TutFizik Yüksek LisansuüTez Yüneticisi: Prof. Ekmel OzbayoOcak 2004Fotodetektürler optoelectronik entegre devrelerin ve ï¬ber optik haberleşmeo ssistemlerinin ünemli elemanlarıdır.o Alx Ga1âx N optoelektronik ve elektronikuygulamalar işin ünemli bir malzemedir. Mavi ve yeşil LED'ler, mavi lazerco sdiyotlar, yüksek-güş yüksek-frekans elektroniËi, ve UV fotodetektürleri uygulamau uc u g oalanlarından sadece bir kaş tanesidir.c Sadece 280 nm ve daha kısa dalgaboylarındaki ışıkla şalışan ve 280 nm'den daha uzun dalga boylarına karşı duyarsızs cs solan detektürler güneş kürü fotodetektürler olarak adlandırılırlar.o u s ou o Bu tezdeAl0.38 Ga62 N/GaN tabanlı gece kürü fotodetektürlerin tasarım, fabrikasyonou ove karakterizasyonuna ilişkin yaptıËımız şalışmaları sunuyoruz.s g cs YaptıËimızgülşumlerde detektürlerden şok düşuk karanlık akım, yüksek kuvantum verimioc o c us ü uve yüksek detektivite elde ettik. 150 mikron şaplı aygıtlardan 25 V ters voltajdau cve 254 nm dalga boyunda yüzde 71 maximum quantum verimi ve 253 nm dalgauboyunda maksimum 0.15 A/W responsivite elde ettik. BildiËimiz kadarıyla bugdeËerler bilimsel literatürde en iyi performans deËerlerine karşılık gelmektedir.g u g s30 mikron şaplı aygıtlarda 50 ps FWHM hız performansı güzlenmiştir. Yinec o siiiaynı aygıt işin osiloskopun ülşum uzerinde etkisi güzününe alındıËında, maksi-c o cü ü oou gmum 3-dB 4.0 GHz dalga genişliËi elde edilmiştir.sg sAnahtarsüzcü kler:ou Fotodetektür, Fotodiyot, Düşuk Karanlık Akım, Kuvantumo us üVerimi, Yüksek Hız.uiv
Özet (Çeviri)
AbstractAlx Ga1âx N BASED SOLAR BLIND SCHOTTKYPHOTODIODESTurgut TutM. S. in PhysicsüSupervisor: Prof. Ekmel OzbayJanuary 2004Photodetectors are essential components of optoelectronic integrated circuitsand ï¬ber optic communication systems. Alx Ga1âx N is a promising materialfor optoelectronics and electronics. Applications include blue and green LEDs,blue laser diodes, high power-high frequency electronics, and UV photodetectors.Photodetectors that operate only in the λ < 280 nm spectrum are called solar-blind detectors due to their blindness to solar radiation within the atmosphere. Inthis thesis, we present our eï¬orts for the design, fabrication and characterizationof Al0.38 Ga62 N/GaN based solar blind Schottky photodiodes. We obtained verylow dark current, high quantum eï¬ciency, high detectivity performance. Under25 V reverse bias, we measured a maximum quantum eï¬ciency of 71 percent at254 nm and a maximum responsivity of 0.15 A/W at 253 nm for a 150 microndiameter device. To our knowledge, these are the best values reported in theliterature. For a 30 micron device, 50 ps FWHM pulse response is observed.When the scope response is deconvoluted, a maximum 3-dB bandwidth of 4.0GHz is obtained for 30 micron diameter Schottky photodiodes.i
Benzer Tezler
- High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications
Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler
NECMİ BIYIKLI
Doktora
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. EKMEL ÖZBAY
PROF. ORHAN AYTÜR
- GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts
Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler
TURGUT TUT
Doktora
İngilizce
2008
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- AlxGa1-xN'a dayalı devre elemanı üretimi ve elektriksel karakterizasyonu
Fabrication of AlxGa1-xN based schottky contacts and electrical characterization
ABDULLAH AKKAYA
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure
ÖZLEM BAYAL
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
- Phonon mean free path - thermal conductivity relation of 𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 and 𝛽-Ga2O3 semiconductors
𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 ve 𝛽-Ga2O3 yarıiletkenlerinin fonon ortalama serbest yolu - ısıl iletkenlik ilişkisi
PEGAH GHANIZADEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN