Geri Dön

AlxGa1-xN based solar blind Schottky photodiodes

AlxGa1-xN tabanlı güneş körü Schottky fotodiyotlar

PDF İndir

  1. Tez No: 184719
  2. Yazar: TURGUT TUT
  3. Danışmanlar: PROF. EKMEL ÖZBAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Photodetector, Photodiode, Schottky Photodiode, Low DarkCurrent, Quantum Efficiency, High-Speedii
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 69

Özet

üOzetü şüüAlx Ga1−x N TABANLI GUNES KORU SCHOTTKY˙FOTODIYOTLARTurgut TutFizik Yüksek LisansuüTez Yüneticisi: Prof. Ekmel OzbayoOcak 2004Fotodetektürler optoelectronik entegre devrelerin ve fiber optik haberleşmeo ssistemlerinin ünemli elemanlarıdır.o Alx Ga1−x N optoelektronik ve elektronikuygulamalar işin ünemli bir malzemedir. Mavi ve yeşil LED'ler, mavi lazerco sdiyotlar, yüksek-güş yüksek-frekans elektroniˇi, ve UV fotodetektürleri uygulamau uc u g oalanlarından sadece bir kaş tanesidir.c Sadece 280 nm ve daha kısa dalgaboylarındaki ışıkla şalışan ve 280 nm'den daha uzun dalga boylarına karşı duyarsızs cs solan detektürler güneş kürü fotodetektürler olarak adlandırılırlar.o u s ou o Bu tezdeAl0.38 Ga62 N/GaN tabanlı gece kürü fotodetektürlerin tasarım, fabrikasyonou ove karakterizasyonuna ilişkin yaptıˇımız şalışmaları sunuyoruz.s g cs Yaptıˇimızgülşumlerde detektürlerden şok düşuk karanlık akım, yüksek kuvantum verimioc o c us ü uve yüksek detektivite elde ettik. 150 mikron şaplı aygıtlardan 25 V ters voltajdau cve 254 nm dalga boyunda yüzde 71 maximum quantum verimi ve 253 nm dalgauboyunda maksimum 0.15 A/W responsivite elde ettik. Bildiˇimiz kadarıyla bugdeˇerler bilimsel literatürde en iyi performans deˇerlerine karşılık gelmektedir.g u g s30 mikron şaplı aygıtlarda 50 ps FWHM hız performansı güzlenmiştir. Yinec o siiiaynı aygıt işin osiloskopun ülşum uzerinde etkisi güzününe alındıˇında, maksi-c o cü ü oou gmum 3-dB 4.0 GHz dalga genişliˇi elde edilmiştir.sg sAnahtarsüzcü kler:ou Fotodetektür, Fotodiyot, Düşuk Karanlık Akım, Kuvantumo us üVerimi, Yüksek Hız.uiv

Özet (Çeviri)

AbstractAlx Ga1−x N BASED SOLAR BLIND SCHOTTKYPHOTODIODESTurgut TutM. S. in PhysicsüSupervisor: Prof. Ekmel OzbayJanuary 2004Photodetectors are essential components of optoelectronic integrated circuitsand fiber optic communication systems. Alx Ga1−x N is a promising materialfor optoelectronics and electronics. Applications include blue and green LEDs,blue laser diodes, high power-high frequency electronics, and UV photodetectors.Photodetectors that operate only in the λ < 280 nm spectrum are called solar-blind detectors due to their blindness to solar radiation within the atmosphere. Inthis thesis, we present our efforts for the design, fabrication and characterizationof Al0.38 Ga62 N/GaN based solar blind Schottky photodiodes. We obtained verylow dark current, high quantum efficiency, high detectivity performance. Under25 V reverse bias, we measured a maximum quantum efficiency of 71 percent at254 nm and a maximum responsivity of 0.15 A/W at 253 nm for a 150 microndiameter device. To our knowledge, these are the best values reported in theliterature. For a 30 micron device, 50 ps FWHM pulse response is observed.When the scope response is deconvoluted, a maximum 3-dB bandwidth of 4.0GHz is obtained for 30 micron diameter Schottky photodiodes.i

Benzer Tezler

  1. Tez No

    155513

    High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications

    Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler

    NECMİ BIYIKLI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. EKMEL ÖZBAY

    PROF. ORHAN AYTÜR

  2. Tez No

    177156

    GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts

    Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler

    TURGUT TUT

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  3. Tez No

    346249

    AlxGa1-xN'a dayalı devre elemanı üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabrication of AlxGa1-xN based schottky contacts and electrical characterization

    ABDULLAH AKKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ

  4. Tez No

    860450

    Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure

    ÖZLEM BAYAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK

  5. Tez No

    881103

    Phonon mean free path - thermal conductivity relation of 𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 and 𝛽-Ga2O3 semiconductors

    𝐴𝑙𝑥𝐺𝑎1−𝑥𝑁 ve 𝛽-Ga2O3 yarıiletkenlerinin fonon ortalama serbest yolu - ısıl iletkenlik ilişkisi

    PEGAH GHANIZADEH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Makine MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN

Geri Dön