Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure
- Tez No: 860450
- Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Bu tez çalışmasında, yüksek kalitede azotlu yapılardan malzemeler üretilip, Yüksek Elektron Mobiliteli Transistör yapılarak bu örneklerin dislokasyon yoğunluklarının hesaplanması amaçlanmıştır. Örnekler Grup-III Nitrüt malzemeler safir alttaş üzerine GaN tabakalı ve AlN ara tabakalı olarak Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemi ile Bilkent Üniversitesi Nanotam'da büyütülmüştür. Daha sonra elde edilen üç numune Gazi Üniversitesi Fotonik Araştırma ve Uygulama Merkezinde yapısal ve elektirksel olarak analiz edilmek üzere incelenmiştir. Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HR-XRD), Foto-Lüminesans (PL) ve Hall Etkisi Ölçüm Sistemi (HEMS) ile karakterize edilmiştir. GaN ile safir alttaş arasındaki %16'lık örgü uyumsuzluğu dikkate alınarak filmin tamamında tekdüze, yüksek kristal kalitesine ve pürüzsüz yüzey morfolojisine sahip yapı elde edebilmek amaçlanmıştır. Bu doğrultuda kusur yoğunluğunu azaltabilmek için öncelikle desenlendirilmiş safir alttaş (PSS) kullanılmış ve büyütme parametrelerinde yer alan düşük V/III oranlı GaN büyütme adımı farklı sürelerde gerçekleştirilerek kristal kalitesine etkileri incelenmiştir. Bu etkilerin değerlendirilmesi için HR-XRD sistemi ile vida tipi ve karışım tipi dislokasyon FWHM değerleri hesaplanmıştır ve literatürdeki değerlerle karşılaştırılmıştır
Özet (Çeviri)
In this thesis, it is aimed to produce high quality nitride materials and to calculate the dislocation densities of these samples by making transistors with high electron mobility. Samples of Group-III Nitride materials were grown on sapphire substrate with GaN layer and AlN interlayer by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method at Bileknt University Nanotam. The three samples obtained were then analyzed structurally and electrically at Gazi University Photonics Research and Application Center. They were characterized by High Resolution X-Ray Diffraction (HR-XRD), Photo-Luminescence (PL) and Hall Effect Measurement System (HEMS). Considering the lattice mismatch of 16% between GaN and sapphire substrate, it was aimed to obtain a uniform structure with high crystal quality and smooth surface morphology throughout the film. In order to reduce the defect density, patterned sapphire substrate (PSS) was first used and the effects on crystal quality were investigated by performing the low V/III ratio GaN growth step in the growth parameters at different times. To evaluate these effects, screw and mixed dislocation FWHM values were calculated by HR-XRD system and compared with the values in the literature.
Benzer Tezler
- High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications
Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler
NECMİ BIYIKLI
Doktora
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. EKMEL ÖZBAY
PROF. ORHAN AYTÜR
- Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure
ZEKİ TEKELİ
- Nanoyapılı maddeler yardımı ile enerjetik materyallerin tayini
Determination of energetic materials tith the aid of nanostructured substances
ZİYA CAN
- Nitrit ve nitrat tayinine yönelik polimer membran temelli tek elektrotlu biyosensör sisteminin hazırlanması ve uygulamaları
Preparation of polymer membrane based single electrod biosensor system and application for determination of nitrite and nitrate
ALİ ERDOĞAN
- Influence of boron nitride addition on the performance of high temperature PEM fuel cell based on polybenzimidazole membrane
Polibenzimidazole temelli yüksek sıcaklık PEM yakıt hücresinin performansına bor nitrit ilavesinin etkisi
DEDAR EMAD HUSSIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Kimya MühendisliğiAtılım ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
ASSOC. DR. YILSER DEVRİM
