Geri Dön

Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure

  1. Tez No: 860450
  2. Yazar: ÖZLEM BAYAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 100

Özet

Bu tez çalışmasında, yüksek kalitede azotlu yapılardan malzemeler üretilip, Yüksek Elektron Mobiliteli Transistör yapılarak bu örneklerin dislokasyon yoğunluklarının hesaplanması amaçlanmıştır. Örnekler Grup-III Nitrüt malzemeler safir alttaş üzerine GaN tabakalı ve AlN ara tabakalı olarak Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemi ile Bilkent Üniversitesi Nanotam'da büyütülmüştür. Daha sonra elde edilen üç numune Gazi Üniversitesi Fotonik Araştırma ve Uygulama Merkezinde yapısal ve elektirksel olarak analiz edilmek üzere incelenmiştir. Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HR-XRD), Foto-Lüminesans (PL) ve Hall Etkisi Ölçüm Sistemi (HEMS) ile karakterize edilmiştir. GaN ile safir alttaş arasındaki %16'lık örgü uyumsuzluğu dikkate alınarak filmin tamamında tekdüze, yüksek kristal kalitesine ve pürüzsüz yüzey morfolojisine sahip yapı elde edebilmek amaçlanmıştır. Bu doğrultuda kusur yoğunluğunu azaltabilmek için öncelikle desenlendirilmiş safir alttaş (PSS) kullanılmış ve büyütme parametrelerinde yer alan düşük V/III oranlı GaN büyütme adımı farklı sürelerde gerçekleştirilerek kristal kalitesine etkileri incelenmiştir. Bu etkilerin değerlendirilmesi için HR-XRD sistemi ile vida tipi ve karışım tipi dislokasyon FWHM değerleri hesaplanmıştır ve literatürdeki değerlerle karşılaştırılmıştır

Özet (Çeviri)

In this thesis, it is aimed to produce high quality nitride materials and to calculate the dislocation densities of these samples by making transistors with high electron mobility. Samples of Group-III Nitride materials were grown on sapphire substrate with GaN layer and AlN interlayer by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method at Bileknt University Nanotam. The three samples obtained were then analyzed structurally and electrically at Gazi University Photonics Research and Application Center. They were characterized by High Resolution X-Ray Diffraction (HR-XRD), Photo-Luminescence (PL) and Hall Effect Measurement System (HEMS). Considering the lattice mismatch of 16% between GaN and sapphire substrate, it was aimed to obtain a uniform structure with high crystal quality and smooth surface morphology throughout the film. In order to reduce the defect density, patterned sapphire substrate (PSS) was first used and the effects on crystal quality were investigated by performing the low V/III ratio GaN growth step in the growth parameters at different times. To evaluate these effects, screw and mixed dislocation FWHM values were calculated by HR-XRD system and compared with the values in the literature.

Benzer Tezler

  1. High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications

    Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler

    NECMİ BIYIKLI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. EKMEL ÖZBAY

    PROF. ORHAN AYTÜR

  2. Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure

    ZEKİ TEKELİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK

  3. Nanoyapılı maddeler yardımı ile enerjetik materyallerin tayini

    Determination of energetic materials tith the aid of nanostructured substances

    ZİYA CAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Kimyaİstanbul Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AYŞEM ARDA

  4. Nitrit ve nitrat tayinine yönelik polimer membran temelli tek elektrotlu biyosensör sisteminin hazırlanması ve uygulamaları

    Preparation of polymer membrane based single electrod biosensor system and application for determination of nitrite and nitrate

    ALİ ERDOĞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Biyokimyaİnönü Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMET YILMAZ

  5. Influence of boron nitride addition on the performance of high temperature PEM fuel cell based on polybenzimidazole membrane

    Polibenzimidazole temelli yüksek sıcaklık PEM yakıt hücresinin performansına bor nitrit ilavesinin etkisi

    DEDAR EMAD HUSSIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Kimya MühendisliğiAtılım Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    ASSOC. DR. YILSER DEVRİM