Plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal depolama tekniği kullanılarak büyütülen çok katlı amorf SiOx:SiOxGe filimlerde ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi
Transmission electron microscopy characterization of ge nanocrystals in amorphous SiOx:SiOxGe multilayers films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition
- Tez No: 237209
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEDAT AĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
Bu tezde, SO2 yapılar içerisinde Ge nanokristallerinin yapısal özellikleri TEM ( Geçirmeli Elektron Mikroskobu ) kullanılarak incelenmiştir. İnce filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranları kullanılarak PECVD tekniği ile büyütüldü. PECVD cihazı kullanılarak üretilmiş örnekler, farklı sıcaklık ve sürelerde tavlanmış ve tavlanmamış (as-grown) olarak TEM görüntüleri alındı. Nanokristal oluşumlar tavlanmış ve yeterli Ge oranı katılan filmlerde gözlemlendi. Isıl tavlamanın Ge nanokristallerin özelliklerine olan etkileri saptandı. TEM yöntemi ile belirli bir sıcaklığın üzerindeki tavlamalardan Ge nanokristallerinin oluşturulabileceği, bu nanokristallerin boyutlarının tavlama sıcaklığı ve süresi ile ayarlanabileceği gösterildi. Matris içerisindeki farklı boyutlarda Ge nanokristallerin yapı özelliklerinin ayarlanılabilir olduğu gösterildi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the morphology properties of Ge nanocrystals in SiOx structures are investigated by using TEM (transmission electron microscopy) technique. Thin films have been grown with different flow rates of GeH4, SiH4 and N2O by PECVD technique. TEM images of the PECVD grown samples have been taken for different annealing temperatures and time and as grown samples. Nanocrystal formations have been observed for annealing and sufficient rate of Ge added films. The effect of thermal annealing for properties of Ge nanocrystals has been determined. With TEM method shown that annealing of over certain temperature Ge nanocrystals generate and this nanocrystals size can be controlled with annealing temperature and time. Structural properties of Ge nanocrystals at different sizes in matrix have been shown to able to change.
Benzer Tezler
- Güneş hücrelerinde yararlanılabilecek plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal buhar depolama (PECVD) yöntemi ile büyütülmüş Sİ3N4 matris içerisinde silikon nanokristalli ince filmlerin elde edilmesi
PECVD grown with Si nanocrystals in Sİ3N4 matrice thin layers to be use for solar cells
REŞAT KARATEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri
Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals
ALİM BOZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
- Nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitörlerin geliştirilmesi
Improvement of mos capacitor with ge nanocrystals
EREN CEM KAYİKCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitör uygulaması
Fabrication of multilayer Ge, SiGe nanocrystals and it? s application in dot mos capacitor
BEKTAŞ AKYAZI
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Biyokütle santrali külü bitki besin elementlerinin geri kazanımı ve gübre kaynağı olarak kullanımı
Recovery of plant nutritional elements and usage as a fertilizer source from fly ash composed of biomass plant
GÜLDANE ASLI TURP
Doktora
Türkçe
2023
Çevre MühendisliğiSakarya ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAİM ÖZDEMİR