Geri Dön

Plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal depolama tekniği kullanılarak büyütülen çok katlı amorf SiOx:SiOxGe filimlerde ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi

Transmission electron microscopy characterization of ge nanocrystals in amorphous SiOx:SiOxGe multilayers films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition

  1. Tez No: 237209
  2. Yazar: KEMAL DURANDAŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SEDAT AĞAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

Bu tezde, SO2 yapılar içerisinde Ge nanokristallerinin yapısal özellikleri TEM ( Geçirmeli Elektron Mikroskobu ) kullanılarak incelenmiştir. İnce filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranları kullanılarak PECVD tekniği ile büyütüldü. PECVD cihazı kullanılarak üretilmiş örnekler, farklı sıcaklık ve sürelerde tavlanmış ve tavlanmamış (as-grown) olarak TEM görüntüleri alındı. Nanokristal oluşumlar tavlanmış ve yeterli Ge oranı katılan filmlerde gözlemlendi. Isıl tavlamanın Ge nanokristallerin özelliklerine olan etkileri saptandı. TEM yöntemi ile belirli bir sıcaklığın üzerindeki tavlamalardan Ge nanokristallerinin oluşturulabileceği, bu nanokristallerin boyutlarının tavlama sıcaklığı ve süresi ile ayarlanabileceği gösterildi. Matris içerisindeki farklı boyutlarda Ge nanokristallerin yapı özelliklerinin ayarlanılabilir olduğu gösterildi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the morphology properties of Ge nanocrystals in SiOx structures are investigated by using TEM (transmission electron microscopy) technique. Thin films have been grown with different flow rates of GeH4, SiH4 and N2O by PECVD technique. TEM images of the PECVD grown samples have been taken for different annealing temperatures and time and as grown samples. Nanocrystal formations have been observed for annealing and sufficient rate of Ge added films. The effect of thermal annealing for properties of Ge nanocrystals has been determined. With TEM method shown that annealing of over certain temperature Ge nanocrystals generate and this nanocrystals size can be controlled with annealing temperature and time. Structural properties of Ge nanocrystals at different sizes in matrix have been shown to able to change.

Benzer Tezler

  1. Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri

    Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals

    ALİM BOZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR

  2. Nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitörlerin geliştirilmesi

    Improvement of mos capacitor with ge nanocrystals

    EREN CEM KAYİKCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  3. Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitör uygulaması

    Fabrication of multilayer Ge, SiGe nanocrystals and it? s application in dot mos capacitor

    BEKTAŞ AKYAZI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  4. Biyokütle santrali külü bitki besin elementlerinin geri kazanımı ve gübre kaynağı olarak kullanımı

    Recovery of plant nutritional elements and usage as a fertilizer source from fly ash composed of biomass plant

    GÜLDANE ASLI TURP

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Çevre MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SAİM ÖZDEMİR