Yarı iletken gaz boşalma yapılarının fotoelektrik özellikleri
Fotoelectric properties of semiconductor gas discharge structures
- Tez No: 212703
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
YGBY fotodetektör kararsızlıkları farklı gazlarda geniş basınç aralığı, elektrotlar arası mesafe ve elektrot alan çaplarında deneysel olarak araştırıldı. GaAs katotlu gaz boşalma sisteminin AVK'sı incelendi. Kararlı bir voltajla beslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım ve BIE kararsızlıkları meydana gelir. YGBY'deki kararsızlıkların deneysel şartlara bağlı olarak detektör tarafından oluşturulduğu açıkça gösterilmiştir. N-tipli AVK'ya sahip GaAs katotta elektriksel kararsızlıklar hem akım hem de BIE verileri kullanılarak analiz edildi. EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığı, materyalin N-tipli AVK'sına ve sonuç olarak GaAs detektöre yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Sistemde elektriksel domeinlerin dinamiğinden yani onların üretimi, hareketi ve bozulmasından kaynaklanan akım kararsızlıkları gözlenmiştir. Fotodetektöre yüksek bir U0 uygulandığında homojen olmayan uzaysal BIE dağılımının meydana geldiği bunun da sistemin çalışma özelliklerini bozduğu farkedilmiştir.
Özet (Çeviri)
SGDS photodetector instabilities was studied experimentally at different gases in a wide pressures p range, interelectrode distances d and different diameters D of the detector areas. The CVC of the gas discharge system with GaAs cathode was studied. While being driven with a stationary voltage, it generates current and DLE instabilities with different amplitudes of oscillation. It was unambiguously proved that instabilities in the SGDS may be provoked by a detector, depending on the experimental conditions. SGD with an N-shaped CVC was analyzed using both the current and DLE data showing the electrical instability in the GaAs detector. The presence of deep electronic levels of defects, so called EL2 centers, give rise to the N-type CVC of the material, as a consequence, to oscillations in current when a dc voltage of a high magnitude is applied to a GaAs detector. The current instabilities that are due to dynamical of electrical domains, namely, by their generation, movement and decaying are observed in the system. It was found that application of high U0 to the detector give rise to non-uniform spatial distribution of the DLE, which disturbed the operation of the system.
Benzer Tezler
- Yarıiletken fotodedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Investigation of an infrared image converter with a semiconductor photodetector
GÜLŞEHRİ ERDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- CCD teknolojisine dayalı olan yarıiletken foto-dedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
MURAT AKPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi
Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell
ERHAN ONGUN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL
- Yarı iletken gaz boşalma sisteminde plazma süreçlerinin özellikleri
Pecularities of plasma processes over semiconductor gas discharge system
AYŞE İNALÖZ
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- Işığa duyarlı yarı iletken gaz boşalma yapısının karakteristik özellikleri
Characteristic properties of the photosensitive semiconductor gas discharge structure
HATİCE HİLAL YÜCEL KURT
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHTİYAR SALAMOV