RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi
The determination of the basic parameters of metal-semiconductor contact with SiO2 interface grown by RF sputtering method
- Tez No: 212771
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Bu çalışmada, Al/n-Si/SiO2/Au yapının temel parametreleri frekans (50 kHz-5MHz) ve sıcaklığa (80 K-390K) bağlı incelendi. Al/SiO2/n-Si/Au yapının farklı frekanslar ve farklı sıcaklıklarda sığa-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G/w-V) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. C-V, G/w-V ve I-V ölçümlerinden yapının engel yüksekliği (?B), seri direnci (Rs), Fermi enerjisi (Ef), idealite faktörü (n) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak belirlendi. Yapılan deneysel ölçüm ve hesaplamalar, bu tip yapıların hemen hemen tüm parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilime, frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir. Anahtar Kelimeler : MIS yapı, MOS yapı, SiO2, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu
Özet (Çeviri)
In this study, we have investigated some parameters of Al/n-Si/SiO2/Au structures depend on frequency (50 kHz-5 MHz) and temperature (80 K-390 K). Capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G/w-V) and current-voltage (I-V) measurements at different frequency and at different temperature were made. From these measurements we calculated series resistance (Rs), potantial barrier height(?b), interface state density (Nss), Fermi energy (EF), idealite factor(n) depending on frequency and temperature. Results shows that almost all the basic parameters of this structures change by interface state density, series resistance, d.c. voltage, frequency and temperature. Key Words : MIS structure, MOS structure, SiO2, idealite factor, interface state density
Benzer Tezler
- Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri
The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer
RAZİYE ERTUĞRUL UYAR
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Püskürtüm sistemi yapılması ve yüksek sıcaklık üstüniletken ince filmlerin hazırlanması
Construction of sputtering system and preparation of high temperature superconducting thin films
ERDAL KAYNAK
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FIRAT TEZER
- Fabrication and characterization of upconverting rf magnetron sputtered ytterbium-erbium silicate thin films
RF katot püskürtme metodu ile üretilmiş üst-çevrim yapan iterbiyum-erbiyum silikate ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
MUHAMMET MUSTAFA ÇODUR
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SELÇUK YERCİ
DOÇ. DR. İPEK GÜLER
- Au/SrTiO3/n-Si (MFS) Schottky diyotların elektriksel parametrelerinin I-V, C-V ve DLTS metodu ile incelenmesi
The investigation of frequency dependent electrical characterization of Au/SrTiO3/n-Si (MFS) Schottky diodes
UMUT AYDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- The structural, magnetic,and electrical properties of co and fe ımplanted ZnO thin films
Co ve fe katkılı ZnO ince flimlerin yapısal, manyetik ve elektriksel özellikleri
OSMAN GÜRBÜZ
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SADIK GÜNER