RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi
The determination of the basic parameters of metal-semiconductor contact with SiO2 interface grown by RF sputtering method
- Tez No: 212771
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MIS yapı, MOS yapı, SiO2, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu, MIS structure, MOS structure, SiO2, idealite factor, interface state density
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Al/n-Si/SiO2/Au yapının temel parametreleri frekans (50 kHz-5MHz) ve sıcaklığa (80 K-390K) bağlı incelendi. Al/SiO2/n-Si/Au yapının farklı frekanslar ve farklı sıcaklıklarda sığa-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G/w-V) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. C-V, G/w-V ve I-V ölçümlerinden yapının engel yüksekliği (?B), seri direnci (Rs), Fermi enerjisi (Ef), idealite faktörü (n) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak belirlendi. Yapılan deneysel ölçüm ve hesaplamalar, bu tip yapıların hemen hemen tüm parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilime, frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, we have investigated some parameters of Al/n-Si/SiO2/Au structures depend on frequency (50 kHz-5 MHz) and temperature (80 K-390 K). Capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G/w-V) and current-voltage (I-V) measurements at different frequency and at different temperature were made. From these measurements we calculated series resistance (Rs), potantial barrier height(?b), interface state density (Nss), Fermi energy (EF), idealite factor(n) depending on frequency and temperature. Results shows that almost all the basic parameters of this structures change by interface state density, series resistance, d.c. voltage, frequency and temperature.
Benzer Tezler
- Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri
The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer
RAZİYE ERTUĞRUL UYAR
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Püskürtüm sistemi yapılması ve yüksek sıcaklık üstüniletken ince filmlerin hazırlanması
Construction of sputtering system and preparation of high temperature superconducting thin films
ERDAL KAYNAK
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FIRAT TEZER
- Lateks spesifik IgE'nin tanısal değerinin araştırılması
The research of diagnostic value of lateks spesific IgE
FERİDUN GÜRLEK
Tıpta Yan Dal Uzmanlık
Türkçe
2014
Allerji ve İmmünolojiEge Üniversitesiİç Hastalıkları Ana Bilim Dalı
PROF. DR. E. NİHAL METE GÖKMEN
- Fabrication and characterization of upconverting rf magnetron sputtered ytterbium-erbium silicate thin films
RF katot püskürtme metodu ile üretilmiş üst-çevrim yapan iterbiyum-erbiyum silikate ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
MUHAMMET MUSTAFA ÇODUR
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DR. ÖĞR. ÜYESİ SELÇUK YERCİ
DOÇ. DR. İPEK GÜLER
- RF püskürtme yöntemi ile üretilen Ti katkılı ZnO nano malzemenin karakterizasyonu
Characterization of Ti-doped ZnO nanomaterial produced by RF sputtering method
CHOUSEIN BAIRAM
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BARIŞ KINACI