InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InxGa1-xN
- Tez No: 212918
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 155
Özet
Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile GaN/Al2O3 üzerine büyütülen beş adet n-tipi InxGa1-xN (0,060 ? x ? 0,135) numunesi için safsızlık bandı iletkenliği analizleri gerçekleştirilmiştir. İletkenlik, Hall mobilitesi ve taşıycı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Çalışılan numunelerin elektron iletim özellikleri; elektron-elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon etkilerini içeren metalik bir modelle açıklandı. Ayrıca, fotolümünesans (PL), optik absorbsiyon (OA) ve yüksek çözünürlüklü X-ışınları difraksiyonu ölçümleri gerçekleştirilerek, numunelerin optiksel ve yapısal özellikleri tartışıldı. Çalışılan InxGa1-xN numuneler için band bükülme parametresi değeri PL ve OA ölçümlerinden sırası ile 3,088 eV ve 4,092 eV olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
In this work, analysis of impurity band conduction was carried out for five samples of InxGa1-xN (0,060 ? x ? 0,135) grown by MOVPE crystal grown method. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured in a temperature range of 15-350 K. Electron transport properties of studied samples were explained with electron-electron interactions and weak localization effects. Also, photoluminescence (PL), optical absorption and high resolution X-ray diffraction measurements were carried out. Then optical and structural properties of the samples were discussed. For the studied InxGa1-xN samples, value of band bowing parameter was obtained from both PL and OA measurements as 3,088 eV and 4,092 eV, respectively.
Benzer Tezler
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Mavi led'lerin mikroyapısal kusurlarının ters örgü uzay haritası ile incelenmesi
Investigation of Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Blue led's mi̇crostructure defects from reciprocal space mapping
YUNUS BAŞ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
DOÇ. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Growth and characterization of indium rich indium-gallium-nitride solar cell epitaxial structures by metal organic chemical vapor deposition
İndium oranı yüksek iniıum galyum nitrat güneş pili epitaksiyel yapılarının metal organik kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
HÜSEYİN ÇAKMAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN