InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InxGa1-xN
- Tez No: 212918
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile GaN/Al2O3 üzerine büyütülen beş adet n-tipi InxGa1-xN (0,060 ? x ? 0,135) numunesi için safsızlık bandı iletkenliği analizleri gerçekleştirilmiştir. İletkenlik, Hall mobilitesi ve taşıycı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Çalışılan numunelerin elektron iletim özellikleri; elektron-elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon etkilerini içeren metalik bir modelle açıklandı. Ayrıca, fotolümünesans (PL), optik absorbsiyon (OA) ve yüksek çözünürlüklü X-ışınları difraksiyonu ölçümleri gerçekleştirilerek, numunelerin optiksel ve yapısal özellikleri tartışıldı. Çalışılan InxGa1-xN numuneler için band bükülme parametresi değeri PL ve OA ölçümlerinden sırası ile 3,088 eV ve 4,092 eV olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
In this work, analysis of impurity band conduction was carried out for five samples of InxGa1-xN (0,060 ? x ? 0,135) grown by MOVPE crystal grown method. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured in a temperature range of 15-350 K. Electron transport properties of studied samples were explained with electron-electron interactions and weak localization effects. Also, photoluminescence (PL), optical absorption and high resolution X-ray diffraction measurements were carried out. Then optical and structural properties of the samples were discussed. For the studied InxGa1-xN samples, value of band bowing parameter was obtained from both PL and OA measurements as 3,088 eV and 4,092 eV, respectively.
Benzer Tezler
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Identification and characterization of traps in InGaAs short wavelength infrared photodetectors by deep level transient spectroscopy
InGaAs kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörlerdeki tuzakların derin seviye geçici spektroskopi yöntemiyle belirlenmesi ve karakterizasyonu
NARDIN AVISHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- In katkılanmış GaN yarıiletken bileşiğinin fiziksel özelliklerinin iteratif yöntemle belirlenmesi
Determination od physical properties of In doped GaN semiconductor compound by iterative method
HURİYE SENEM AYDOĞDU
- InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device
GÖKSENİN KALYON
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL