Kuru aşındırma yöntemi ile hazırlanan silikon yüzeylerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural and optical properties of silicon surfaces prepared by the dry etching technique
- Tez No: 213001
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT ULUĞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Akdeniz Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
Bu çalışmada Si plakanın HF-HNO3 karışım buharına tutulması ile sentezlenen Amonyum Silikon Florür, ASF, {(NH4)2SiF6} yapıların oluşum mekanizmalarına ilişkin literatürde önerilen iki mekanizmadan yalnızca bir tanesinin geçerliliği, Winkler yöntemi ile tepkime ürünü olarak oksijen çıkışı olup olmadığına bakılarak sınanmıştır.ASF filmlerin etkin fotolüminesans (FL) sergilemesi üzerine, sıcaklığa bağlı FL özelliği incelenmiş ve 2-2.2 eV dolaylarında ışıma yaptığı gözlenmiştir. Uyarıcı lazerin ASF filmlerin FL özelliğini etkilediği görülmüştür. Si plakanın asit karışım buharıyla etkileşim zamanı değiştirilerek oluşturulan örneklerin FL özellikleri karşılaştırılmıştır. Belirli sürelerle lazer ışığı etkisine bırakılan ASF filmlerin FTIR ölçümlerine göre, lazerin kimyasal değişikliğe neden olmadığı anlaşılmıştır. Değişik etkileşim sürelerinde oluşturulan ASF filmlerin elektron mikroskobu incelemeleri ile ASF yapıların parçacık boyutunun ~0.5?m ile 2?m arasında değiştiği gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, validity of only one of the two proposed mechanisms to explain the formation mechanism of Ammonium Silicon Fluoride-ASF {(NH4)2SiF6} films -grown on Si substrates which are exposed to the vapour of a HF-HNO3 mixture- is tested via the Winkler method by investigating whether oxygen comes out as a reaction product.As a result of observing that ASF films exhibit efficient Photoluminescence (PL), temperature-dependent PL properties of the films are investigated and luminescence around 2-2.2 eVs is observed. It is also observed that the laser beam used as the excitation source affects the PL properties of the films. Besides, PL properties of samples synthesized by varying the Si substare's duration of exposure to acid vapor are compared. According to the FTIR measurement results of ASF films exposed to laser light for specified periods, it is found that laser light causes no chemical modifications. Through electron microscope investigations of ASF films prepared at various exposure periods, it is determined that particle size varies between 0.5 and 2 ?m.
Benzer Tezler
- Biomimetic antireflection coatings on silicon
Biyobenzetim yöntemiyle silisyum tabanlı ince film yansıtmayan kaplama üretimi
MÜMİN BALABAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN KIZIL
- Piezoelektrik ile tetiklenen valfsiz mikro pompa tasarımı, üretimi ve akışkan debisini etkileyen faktörlerin belirlenmesi
Design, fabrication and defining factors affecting fluid flow rate of valveless piezoelectric-triggered micropump
SEVDA ŞİMŞEK
Doktora
Türkçe
2023
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEYHAN ONBAŞIOĞLU
PROF. DR. ALİ KOŞAR
- Kokil kalıba döküm yöntemiyle üretilen bronz ve pirinç malzemelerın sıcak dövme ve ısıl işlem sonrası aşınma ve korozyon özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the wear and corrosion properties of bronze and brass materials produced by mold casting method after hot forging and heat treatment
HANİFİ TAZE
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Metalurji MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAYRETTİN AHLATCI
- Characterization and recovery of rare earth elements from iron mining sludge
Demir madenciliği çamurundan nadir toprak elemanlarının karakterizasyonu ve geri kazanımı
AZMAT FATIMA SIDDIQUI
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Çevre Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Prof. Dr. İSMAİL KOYUNCU
Assist. Prof. Dr. BÖRTE KÖSE MUTLU
- GaN tabanlı alan etkili transistörlerde SiC arka-yüzey geçiş deliği aşındırma uygulaması
Back side via hole etching application of SiC for GaN based field effect transistors
MEHMET TAHA HALİLOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN