Silisyum dioksit depozisyon sistemi
Silicon dioxide deposition system
- Tez No: 22067
- Danışmanlar: PROF. DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1992
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
ÖZET Yapılan çalışma, iki inçlik silisyum pul üzerinde kimyasal buhar yoğuşturma metoduyla katkılı ve katkısız silisyum di oksit film oluşturacak bir depozisyon sisteminin tasarım ve gerçeklenmesidir. Araştırma amaçlı çalışmalarda kullanılacak sistem bir seferde tek pul işleyecektir. İlk etapta katkısız film oluşturulması hedeflenmişse de, sistem katkı gazlarının eklenmesiyle katkılı filmler oluşturacak şekilde tasarlanmıştır. Sozkonusu filmler, yarıiletken teknolojisinde, pasivasyon, mas_ keleme, yalıtım, amacıyla kullanılabildikleri gibi difüzyon işlemlerinde katkı kaynağı görevi de görebilirler. Sistemin tasarımında, emniyet, güvenilirlik, raaliyet, film kalitesi ve kolay kullanım kriterleri göz önüne alınmıştır. Emniyet açısından, sistemin deneyimli kişiler tarafından kullara İması ve yalnız çalışılmaması önerilir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY SILICON DIOXIDE DEPOSITION SYSTEM This work consists of the design and the realiza_ t i on of an atmospheric pressure chemical vapor deposi_ tion reactor. Despite the fact that all the arrange_ merits are made in order to obtain undoped silica films, both phosphosilica glass and borphosphosilica glass films can be deposited by adding phosphpine and diboran. The system has all the gas and electrical connections for one type of dopant but. it can be easily modified to add second dopant source. This kind of films are of prime importance in solid state technology. They can be used as passivation layer, isolation layer between two conductor films, dopant source for diffusion process and masking layer. Reliabilty, cost, feasibility and film quality are the key criterions in designing this reac_ tor. The system must be used by experienced persons. Chemical vapor deposition is defined as the forma_ tion of a solid film on a substrate by reaction of vapor phase chemicals Creactants5 that contain the required constituents. These reactant gases are introduced into a reaction chamber and are decomposed and reacted at a heated surface to form the thin film. A wide variety of thin films utilized in VLSI fabrication is prepared by CVD. Specific deposition methods are developed to form such thin films, based on their potential capabilities for satisfying demanding criteria. CVD processes are often selected over competing deposition techniques be_ cause they offer the following advantages: a? high pur_ ity films can be achieved W a great variety of chemical compositions can be deposited c:> some films cannot be deposited with adequate film properties by any other methods d3 good economy and process control are possible in many cases. A CVD process can be summarized as consisting of the following sequence of stepsi a3 a given composition of reactant gases and diluent inert gases is introduced into a reaction chamber W the gas species move to the substrate c? the reactants are absorbed on the substrate
Benzer Tezler
- Silisyum dioksit nanoparçacıklarının insan retinal pigment epitel hücreleri üzerine etkisinin araştırılması
Investigation of the effect of silicon dioxide nanoparticles on human retinal pigment epithelial cells
AYŞE HÜMEYRA KAYNAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
BiyofizikMersin ÜniversitesiBiyofizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÜLKÜ ÇÖMELEKOĞLU
- Silisyum dioksit ve bazı endofit bakterilerin fasulyede adi yaprak yanıklığı hastalığına (Xanthomonas axonopodis pv. phaseoli) ve bitki gelişimi üzerine etkileri
Effects of endophyte bacteria and silicate on common bacterial blight (Xanthomonas axonopodis pv. phaseoli) disease in common bean
RUKEN ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
ZiraatVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiBitki Koruma Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET AKKÖPRÜ
- Ge nanokristallerin SiNx ve SiOx matris içerisindeki optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of ge nanocrystal in SiNx and SiOx matrix
MEHMET SERKAN TOKAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. SEDAT AĞAN
- Silisyum dioksit katkılı süperhidrofobik termoplastik kopoliester elastomer yüzeylerin eldesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of silicon dioxide doped superhydrophobic thermoplastic copolyester elastomer surfaces
BATUHAN ZEYREK
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Polimer Bilim ve TeknolojisiKocaeli ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDİNÇ DOĞANCI
- Gözenekli ve içi boş nanoyapı formunda SİO2 tabanlı sinerjistik terapi ajanlarının geliştirilmesi ve in-vitro terapi performanslarının belirlenmesi
Development of SİO2 based synergistic therapy agents in the form of porous and hollow nanostructures and determination of their in-vitro therapy performance
İLAYDA COŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Kimya MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ALİ TUNCEL
DOÇ. DR. FATOŞ ÇİĞDEM KİP