CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel karakteristiklerinin hesaplanması
The calculation of electrical characteristics in cCrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes
- Tez No: 222773
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç ve doğrultma oranı, Schottky D?ode, İdeality Factor, Barrier Height, Serial Resistance, rectifing range
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 46
Özet
Bu çalışmada [100] yönelimine sahip, oda sıcaklığındaki özdirenci, ?? 0,07352 ??cm, kalınlığı 400 ?m olan Moleculer Beam Epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş n-tipi GaAs yar?iletken kristali kullan?ld?. Bu kristalin bir yüzeyine 10 ? 5 torr bas?nç alt?nda CrNiCo alaşımı buharlaştırılıp doğrultucu kontak oluşturuldu. Diğer yüzeyine de 10 ? 5 torr basınç altında AuGe alaşımı buharlaştırılarak omik kontak oluşturuldu. Böylelikle CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diyotlar? elde edildi. Oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri yap?ld?. Sonuç olarak, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83'luk değerlerin literatürle uyumlu olması Schottky diyotlar için önemli uygulamalara sahip olabileceği görüşüne var?ld?.
Özet (Çeviri)
In this study, n-type GaAs semiconducor crystal grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique which has [100] direction, was the crystal thickness 400 ? m and it's room temprature resistivity was ?? 0,07352 ? -cm was used. By being evaporated CrNiCo alloy under 10 ? 5 torr pressure to a facet of the crystal, directive contact has been formed. By being evaporated AuGe alloy under 10 ? 5 torr pressure to other facet of it, omic contact has been formed as result of that, CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diodes have been made. I-V and C-V measurments were done at room temperature. Consequently, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83, as the values are suitable for the literature, it has been agreement of opinion that the values will be able to have the important application for Schottky diodes.
Benzer Tezler
- CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarında termal tavlamanın ve numune sıcaklığının elektriksel karakteristiklere etkileri
Effect of thermal annealing and sample temperature on electrical characteristics CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes
AHMET GÜMÜŞ
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Silisyum katkısının döküm CrNiCo süperalaşımının özelliklerine etkisi
Başlık çevirisi yok
HAVVA KAZDAL ZEYTİN
Doktora
Türkçe
1998
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADNAN TEKİN
- A1 / P-Si / CrNiCo schottky diyod yapısının akım iletim özellikleri ve diyot parametrelerinin tayini
Başlık çevirisi yok
DUYGU CENGİZ
- AB genişleme sürecinde Batı Balkan Ülkeleri
EU elargement and the Western Balkans
OSMAN CRNICA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Uluslararası İlişkilerAnkara ÜniversitesiUluslararası İlişkiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN UZGEL
- Kronik hastalıkla yaşam ölçeği'nin türk toplumunda geçerlik ve güvenirliğin incelenmesi
Investigation of the validity and reliability of the living with chronic disease scale in Turkish population
MERVE CAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
HemşirelikSüleyman Demirel Üniversitesiİç Hastalıkları Hemşireliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ KAMURAN CERİT