CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel karakteristiklerinin hesaplanması
The calculation of electrical characteristics in cCrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes
- Tez No: 222773
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç ve doğrultma oranı, Schottky D?ode, İdeality Factor, Barrier Height, Serial Resistance, rectifing range
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 46
Özet
Bu çalışmada [100] yönelimine sahip, oda sıcaklığındaki özdirenci, ?? 0,07352 ??cm, kalınlığı 400 ?m olan Moleculer Beam Epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş n-tipi GaAs yar?iletken kristali kullan?ld?. Bu kristalin bir yüzeyine 10 ? 5 torr bas?nç alt?nda CrNiCo alaşımı buharlaştırılıp doğrultucu kontak oluşturuldu. Diğer yüzeyine de 10 ? 5 torr basınç altında AuGe alaşımı buharlaştırılarak omik kontak oluşturuldu. Böylelikle CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diyotlar? elde edildi. Oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri yap?ld?. Sonuç olarak, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83'luk değerlerin literatürle uyumlu olması Schottky diyotlar için önemli uygulamalara sahip olabileceği görüşüne var?ld?.
Özet (Çeviri)
In this study, n-type GaAs semiconducor crystal grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique which has [100] direction, was the crystal thickness 400 ? m and it's room temprature resistivity was ?? 0,07352 ? -cm was used. By being evaporated CrNiCo alloy under 10 ? 5 torr pressure to a facet of the crystal, directive contact has been formed. By being evaporated AuGe alloy under 10 ? 5 torr pressure to other facet of it, omic contact has been formed as result of that, CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diodes have been made. I-V and C-V measurments were done at room temperature. Consequently, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83, as the values are suitable for the literature, it has been agreement of opinion that the values will be able to have the important application for Schottky diodes.
Benzer Tezler
- CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarında termal tavlamanın ve numune sıcaklığının elektriksel karakteristiklere etkileri
Effect of thermal annealing and sample temperature on electrical characteristics CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes
AHMET GÜMÜŞ
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Silisyum katkısının döküm CrNiCo süperalaşımının özelliklerine etkisi
Başlık çevirisi yok
HAVVA KAZDAL ZEYTİN
Doktora
Türkçe
1998
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADNAN TEKİN
- A1 / P-Si / CrNiCo schottky diyod yapısının akım iletim özellikleri ve diyot parametrelerinin tayini
Başlık çevirisi yok
DUYGU CENGİZ
- AB genişleme sürecinde Batı Balkan Ülkeleri
EU elargement and the Western Balkans
OSMAN CRNICA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Uluslararası İlişkilerAnkara ÜniversitesiUluslararası İlişkiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN UZGEL
- Hassas kesme ve kalıpları
Başlık çevirisi yok
Ü.BAHAR DARICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİmalat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET DEMİRKOL