Geri Dön

CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel karakteristiklerinin hesaplanması

The calculation of electrical characteristics in cCrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes

  1. Tez No: 222773
  2. Yazar: YUSUF ÖZKARA
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç ve doğrultma oranı, Schottky D?ode, İdeality Factor, Barrier Height, Serial Resistance, rectifing range
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Niğde Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 46

Özet

Bu çalışmada [100] yönelimine sahip, oda sıcaklığındaki özdirenci, ?? 0,07352 ??cm, kalınlığı 400 ?m olan Moleculer Beam Epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş n-tipi GaAs yar?iletken kristali kullan?ld?. Bu kristalin bir yüzeyine 10 ? 5 torr bas?nç alt?nda CrNiCo alaşımı buharlaştırılıp doğrultucu kontak oluşturuldu. Diğer yüzeyine de 10 ? 5 torr basınç altında AuGe alaşımı buharlaştırılarak omik kontak oluşturuldu. Böylelikle CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diyotlar? elde edildi. Oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri yap?ld?. Sonuç olarak, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83'luk değerlerin literatürle uyumlu olması Schottky diyotlar için önemli uygulamalara sahip olabileceği görüşüne var?ld?.

Özet (Çeviri)

In this study, n-type GaAs semiconducor crystal grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique which has [100] direction, was the crystal thickness 400 ? m and it's room temprature resistivity was ?? 0,07352 ? -cm was used. By being evaporated CrNiCo alloy under 10 ? 5 torr pressure to a facet of the crystal, directive contact has been formed. By being evaporated AuGe alloy under 10 ? 5 torr pressure to other facet of it, omic contact has been formed as result of that, CrNiCo/MBE n-GaAs Schottky diodes have been made. I-V and C-V measurments were done at room temperature. Consequently, o ? = 0,83 eV, 0 V = 1,21 eV ve n = 1,83, as the values are suitable for the literature, it has been agreement of opinion that the values will be able to have the important application for Schottky diodes.

Benzer Tezler

  1. CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diyotlarında termal tavlamanın ve numune sıcaklığının elektriksel karakteristiklere etkileri

    Effect of thermal annealing and sample temperature on electrical characteristics CrNiCo/MBE n-GaAs schottky diodes

    AHMET GÜMÜŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  2. Silisyum katkısının döküm CrNiCo süperalaşımının özelliklerine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    HAVVA KAZDAL ZEYTİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADNAN TEKİN

  3. AB genişleme sürecinde Batı Balkan Ülkeleri

    EU elargement and the Western Balkans

    OSMAN CRNICA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Uluslararası İlişkilerAnkara Üniversitesi

    Uluslararası İlişkiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLHAN UZGEL

  4. Hassas kesme ve kalıpları

    Başlık çevirisi yok

    Ü.BAHAR DARICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İmalat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET DEMİRKOL