Geri Dön

İndiyum antimonid (InSb) nanotellerinin elektrolitik alaşım biriktirme yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonu

Production of indium antimonid (InSb) nanowires by using electrolythic alloy plating method

  1. Tez No: 223817
  2. Yazar: BERK ALKAN
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. GÜLTEKİN GÖLLER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Indiyum antimonid, Nano-tel, kuantum teli, alaşım biriktirme, anodizasyon, anodik alümina nano şablon, Indium Antimonide, Nano-wire, quantum wire, alloy plating, anodization, alumina template
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

Indiyum Antimonid (InSb) iyi bilinen elektro-optik bir malzemedir ve kızılötesi detektörler için yüksek kuantum verimi ve yüksek duyarlılık sunmaktadır. Bununla beraber sıvı azot sıcaklığına soğutulması ihtiyacı, elektro-optik sistemlerin ek ve karmaşık ekipmanlarla büyümesi sonucunu ortaya çıkartan InSb kızılötesi detektörlerin en önemli dezavantajıdır. Yarı-iletkenlerin tek boyutlu yapıları yani kuantum telleri, üç boyutlu kristallerinden elektronik ve optik özellikleriyle farklılaşmaktadır. InSb kuantum telleri kızılötesi detektör teknolojileri için yüksek kuantum verimi ve duyarlılıkla oda sıcaklığında çalışabilme gibi üstün özellikler vaat etmektedir. Nano-tellerinin çeşitli üretim yöntemleri mevcuttur. Bu yöntemler arasında anodize alümina şablonların kullanılması, düşük maliyeti ve uygulama kolaylığı ile tercih edilen bir yöntemdir. Bu çalışmada InSb alaşımı elektrolitik alaşım biriktirme yöntemiyle alümina nano-şablonların içinde büyütülmüştür. Nano-şablonlar alüminyumun anodizasyonuyla elde edilmiş nanometre çaplarında gözeneklere sahip alümina filmlerdir. Şablonlar biriktirilen InSb kristalinin boyutlarını önceden belirlemektedir. Üretilen tellerin çapları 100-10 nm arasında değişmektedir. Üretilen nano teller yüzey ve kırık-yüzey SEM resimleri alınarak görüntülenmiş, EDS analiziyle In/Sb atomik oranı tespit edilmiştir. FT-IR kullanılarak kızılötesi soğurma spektrumları belirlenip, yarıiletkenin bant aralığı belirlenmeye çalışılmış ve RAMAN spektrumları çekilerek FT-IR sonuçları desteklenmiştir.

Özet (Çeviri)

Indium Antimonid (InSb) is a well known electro-optical material and represents high quantum efficiency and sensitivity for infrared detector applications. InSb detectors have to be used at liquid nitrogen temperature. This means complex and heavy devices are needed to operate an InSb IR detector. One dimensional semi-conductor crystals represents different electrical and optical properties then 3 D crystals. InSb quantum wires promises high quantum efficiency and sensitivity for higher temperature operating IR detectors. There are several methods to fabricate InSb nano wires. Using anodized alümina templates is a cost effective and easily applicable method to produce highly ordered semi-conductor nano wires. In this study InSb alloy was growth in nano porous anodized alümina templates. Dimensions of semiconductor nano wires were designated before plating while anodization process of the aluminum. Wires with 100nm-10nm diameter were fabricated. Produced nano-wires are characterized by taking SEM images from surfaces and cross-section images. The atomic ratio of In/Sb on the film was determined by EDS analysis and FT-IR spectrums were obtained and used to find band gap of semiconductor.

Benzer Tezler

  1. Performance assesment of indium antimonide photodetectors on silicon substrates

    Silisyum taban üzerinde indiyum antimon fotodedektörlerinin performans değerlendirmesi

    ÜMİD TÜMKAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

    PROF.DR. İBRAHİM GÜNAL

  2. Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy

    Moleküler ışın epitoksisi ile galyum arsenik kaplı silikon taban üzerine büyütülmüş indiyum antimen kızılötesi p-in fotodedektörler

    AHMET TEVKE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

  3. InSb and InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates and InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors: Pixel and focal plane array performance

    Alternatif tabanlar üzerinde InSb ve InAsSb kızılötesi fotodiyotlar ve InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler: Piksel ve odak düzlem matrisi performansı

    SELÇUK ÖZER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  4. Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi

    Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell

    ERHAN ONGUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL

  5. Novel biocompatible quantum dots and nanoengineered assemblies for optoelectronic neural interfaces

    Optoelektronik nöral arayüzleri için yeni biyouyumlu kuantum noktaları ve nanoteknolojik birleşimler

    HOUMAN BAHMANI JALALI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Biyomedikal Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEDAT NİZAMOĞLU