İndiyum antimonid (InSb) nanotellerinin elektrolitik alaşım biriktirme yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonu
Production of indium antimonid (InSb) nanowires by using electrolythic alloy plating method
- Tez No: 223817
- Danışmanlar: DOÇ.DR. GÜLTEKİN GÖLLER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Indiyum antimonid, Nano-tel, kuantum teli, alaşım biriktirme, anodizasyon, anodik alümina nano şablon, Indium Antimonide, Nano-wire, quantum wire, alloy plating, anodization, alumina template
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Indiyum Antimonid (InSb) iyi bilinen elektro-optik bir malzemedir ve kızılötesi detektörler için yüksek kuantum verimi ve yüksek duyarlılık sunmaktadır. Bununla beraber sıvı azot sıcaklığına soğutulması ihtiyacı, elektro-optik sistemlerin ek ve karmaşık ekipmanlarla büyümesi sonucunu ortaya çıkartan InSb kızılötesi detektörlerin en önemli dezavantajıdır. Yarı-iletkenlerin tek boyutlu yapıları yani kuantum telleri, üç boyutlu kristallerinden elektronik ve optik özellikleriyle farklılaşmaktadır. InSb kuantum telleri kızılötesi detektör teknolojileri için yüksek kuantum verimi ve duyarlılıkla oda sıcaklığında çalışabilme gibi üstün özellikler vaat etmektedir. Nano-tellerinin çeşitli üretim yöntemleri mevcuttur. Bu yöntemler arasında anodize alümina şablonların kullanılması, düşük maliyeti ve uygulama kolaylığı ile tercih edilen bir yöntemdir. Bu çalışmada InSb alaşımı elektrolitik alaşım biriktirme yöntemiyle alümina nano-şablonların içinde büyütülmüştür. Nano-şablonlar alüminyumun anodizasyonuyla elde edilmiş nanometre çaplarında gözeneklere sahip alümina filmlerdir. Şablonlar biriktirilen InSb kristalinin boyutlarını önceden belirlemektedir. Üretilen tellerin çapları 100-10 nm arasında değişmektedir. Üretilen nano teller yüzey ve kırık-yüzey SEM resimleri alınarak görüntülenmiş, EDS analiziyle In/Sb atomik oranı tespit edilmiştir. FT-IR kullanılarak kızılötesi soğurma spektrumları belirlenip, yarıiletkenin bant aralığı belirlenmeye çalışılmış ve RAMAN spektrumları çekilerek FT-IR sonuçları desteklenmiştir.
Özet (Çeviri)
Indium Antimonid (InSb) is a well known electro-optical material and represents high quantum efficiency and sensitivity for infrared detector applications. InSb detectors have to be used at liquid nitrogen temperature. This means complex and heavy devices are needed to operate an InSb IR detector. One dimensional semi-conductor crystals represents different electrical and optical properties then 3 D crystals. InSb quantum wires promises high quantum efficiency and sensitivity for higher temperature operating IR detectors. There are several methods to fabricate InSb nano wires. Using anodized alümina templates is a cost effective and easily applicable method to produce highly ordered semi-conductor nano wires. In this study InSb alloy was growth in nano porous anodized alümina templates. Dimensions of semiconductor nano wires were designated before plating while anodization process of the aluminum. Wires with 100nm-10nm diameter were fabricated. Produced nano-wires are characterized by taking SEM images from surfaces and cross-section images. The atomic ratio of In/Sb on the film was determined by EDS analysis and FT-IR spectrums were obtained and used to find band gap of semiconductor.
Benzer Tezler
- Performance assesment of indium antimonide photodetectors on silicon substrates
Silisyum taban üzerinde indiyum antimon fotodedektörlerinin performans değerlendirmesi
ÜMİD TÜMKAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
PROF.DR. İBRAHİM GÜNAL
- Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy
Moleküler ışın epitoksisi ile galyum arsenik kaplı silikon taban üzerine büyütülmüş indiyum antimen kızılötesi p-in fotodedektörler
AHMET TEVKE
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- InSb and InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates and InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors: Pixel and focal plane array performance
Alternatif tabanlar üzerinde InSb ve InAsSb kızılötesi fotodiyotlar ve InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler: Piksel ve odak düzlem matrisi performansı
SELÇUK ÖZER
Doktora
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi
Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell
ERHAN ONGUN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL
- Novel biocompatible quantum dots and nanoengineered assemblies for optoelectronic neural interfaces
Optoelektronik nöral arayüzleri için yeni biyouyumlu kuantum noktaları ve nanoteknolojik birleşimler
HOUMAN BAHMANI JALALI
Doktora
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiBiyomedikal Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEDAT NİZAMOĞLU