Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy
Moleküler ışın epitoksisi ile galyum arsenik kaplı silikon taban üzerine büyütülmüş indiyum antimen kızılötesi p-in fotodedektörler
- Tez No: 82777
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 102
Özet
oz... MOLEKULER IŞIN EPITAKSISI İLE GALYUM ARSENİK KAPLI SİLİKON TABAN ÜZERİNE BÜYÜTÜLMÜŞ İNDİYUM ANTİMON KIZILÖTESİ p-i-n FOTODEDEKTÖRLER TEVKE, Ahmet Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi ı Ocak 1999, 102 sayfa Bu çalışmada, moleküler ışın epitaksisi ile GaAs kaplı Si üzerine büyütülmüş 3-5 um kızılötesi InSb fotodedektörlerin karakteristikleri, kaçak akım analizleri ve 8x8 'lik bir prototip dizin için gerekli okuma devresi tasarımı bildirilmiştir. InSb ve GaAs/Si arasındaki yüksek örgü uyumsuzluğuna rağmen, mükemmel InSb kalitesi ve iyi sayılabilecek dedektör performansı elde edilmiştir. Yeterince düşük akımın yanında, 400x80 um2 dedektörler 77 K sıcaklıkta 1x1 04Q sıfır gerilim direncine, ve 4. 5 um dalga boyunda, 1.2x1 04 V/W gerilim responsivitesine ulaşmıştır. Bu sonuçlar Si taban üzerine büyütülmüş InSb fotodedektörler için bilinen en iyi sonuçlardır ve Si taban üzerine monolitik entegre edilmiş geniş alanlı InSb odak düzlem matrisler için ümit vericidir. 77 K sıcaklıkta karanlık akımın ana bileşenlerinin, paralel akım ve tünelleme akım olduğu tespit edilmiştir. Dahayüksek sıcaklıklarda (125 K), sıfır gerilim direnci-alan çarpımını (RoA), sınırlayan akım bilşenlerinin, fakirleşmiş alandaki (depletion region) çoğalma ve birleşme (generation-recombination) akımı ile yüzey difüzyonu (surface diffusion) akımı olduğu gözlemlenmiştir. 8x8 'lik bir dizinin okuma devresi olarak ticari bir çoğullayıcı kullanılmış ve gerekli destekleyici devrelerin devre şemaları tasarlanmıştır. Anahtar Kelimeler : fotodedektör, InSb, odak düzlem matrisi VI
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INDIUM ANTIMONIDE INFRARED p-i-n PHOTODETECTORS GROWN ON GALIUM ARSENIDE COATED SILICON SUBSTRATES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY TEVKE, Ahmet M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Cengiz, Beşikçi January 1999, 102 pages In this study, the characteristics and dark current analysis of InSb 3-5 um infrared pin photodetectors grown on GaAs coated Si substrates by molecular beam epitaxy, and the design of a readout circuit for the display of a prototype 8x8 array are reported. Excellent InSb quality and reasonably good detector performance have been obtained in spite of the large lattice mismatch between InSb and GaAs/Si. Besides favorably low leakage current, 400x80 um2 detectors yielded a voltage responsivity of 1.2xl04 V/W at 77 K and around 4.5um with a zero bias differential resistance of nearly lxl 04Q. These are the best known results reported for InSb photodetectors on Si substrates and they are encouraging for the development of monolithic large area InSb focal plane arrays on Si substrates. At 77 K, the major components of the dark current were found mto be shunt and tunneling currents. At higher temperatures (125 K), generation-recombination in the depletion region and surface diffusion become the dominant limiting mechanisms for the zero bias resistance area product (RoA). A commercial multiplexer was used for the readout circuit of an 8x8 array, and the circuit schematics of necessary supplementary circuits were designed. Keywords : photodetector, InSb, focal plane array IV
Benzer Tezler
- Dark current mechanisms and passivation of InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates
Alternatif tabanlar üzerindeki InAsSb kızılötesi fotodiyotların karanlık akım mekanizmaları ve pasivasyonu
ÖZLEM ERSAGUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Performance assesment of indium antimonide photodetectors on silicon substrates
Silisyum taban üzerinde indiyum antimon fotodedektörlerinin performans değerlendirmesi
ÜMİD TÜMKAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
PROF.DR. İBRAHİM GÜNAL
- InSb and InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates and InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors: Pixel and focal plane array performance
Alternatif tabanlar üzerinde InSb ve InAsSb kızılötesi fotodiyotlar ve InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler: Piksel ve odak düzlem matrisi performansı
SELÇUK ÖZER
Doktora
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi
Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell
ERHAN ONGUN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL
- İndiyum antimonid (InSb) nanotellerinin elektrolitik alaşım biriktirme yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonu
Production of indium antimonid (InSb) nanowires by using electrolythic alloy plating method
BERK ALKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. GÜLTEKİN GÖLLER