Düşük besleme gerilimli gövdeden sürmeli işlemsel kuvvetlendirici tasarımı
Low voltage bulk driven operational-amplifier design
- Tez No: 223824
- Danışmanlar: PROF.DR. SAİT TÜRKÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Düşük besleme gerilimi, gövdeden sürme, işlemsel kuvvetlendirici, Low Voltage, Bulk-driven, Op-amp
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, analog devre tasarımının temel elemanları arasında yer alan düşük besleme gerilimi ile çalışan işlemsel kuvvetlendirici tasarlanmıştır. Klasik işlemsel kuvvetlendirici yapısında gövdeden sürme tekniği kullanılarak, işlemsel kuvvetlendiricinin düşük besleme gerilimi ile giriş salınım aralığı performansında kısıtlama olmadan çalışabilmesi sağlanmıştır. Gövdeden sürme tekniği incelenerek düşük besleme gerilimli yapılarda sağladığı avantajlar incelenmiştir. Teknoloji gelişimi ile küçülen MOSFET boyutlarının da getirdiği avantajlar kullanılarak tasarlanan yapıda literatürde yer alan çalışmalara nazaran kazanç band genişliği özelliklerinde gelişmeler sağlanmıştır. Tasarlanan devre simüle edilerek elde edilen sonuçlar literatürdeki verilerle karşılaştırılmıştır. Sonuç olarak gövdeden sürme tekniğinin, düşük besleme gerilimli uygulamalar için elverişli olduğu gösterilmiş ve kullanım alanının yaygınlaşması için bir referans oluşturulmuştur.
Özet (Çeviri)
In this study, a Low Voltage Operational Amplifier which is among the basic elements of analog circuit design has been designed. Functioning of Operational Amplifier at low voltage supply has been provided without any restriction on the performance of the input signal swing range by means of the use of bulk driving technique at the classic Operational Amplifier structure. Bulk driving technique and its advantages provided at low voltage supply have been examined. When compared with the existing studies of the literature, improvements have been obtained at the gain band-width specification of the designed structure by the use of advantages provided by MOSFET process scaling down parallel with technological developments. The designed circuit has been simulated and the results have been compared with the data of literature. Consequently, it has been proved that the bulk driving technique is convenient for low supply voltage applications and a reference study has been created for the spread of its field of use.
Benzer Tezler
- Analysis and design of cryogenic bulk-driven analog integrated circuits
Kriyojenik gövdeden sürmeli analog tümdevrelerin analiz ve tasarımı
MEHMET AYTUĞ ORMANCI
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
İstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Düşük güçlü MOS tasarım yöntemlerinin incelenmesi ve bazı üniversal aktif elemanlara uygulanması
Investigation of low power MOS design methods and application to some universal active elements
PELİN DOĞAN SEKRETER
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Erciyes ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Design of a controller for a biped robot in the lateral plane
İki ayaklı robot için ön düzlemde kontrolcü tasarımı
DAVUT AKDAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Unıversıty Of Salford ManchesterElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Cu(In,Ga)Se2 tabanlı güneş pillerinde gövde içi ve ara yüzey tuzak durumlarının incelenmesi
Investigation of bulk and interfacial defect states in Cu(In,Ga)Se2 based solar cells
ADEM DÖNMEZ
- Low-voltage low-power design and implementation of current-mode circuits
Düşük besleme gerilimli düşük güç tüketen akım-modlu devrelerin tasarımı ve gerçeklenmesi
CEM ÇAKIR
Doktora
İngilizce
2010
Boğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...