Al-Au/GaTe schottky yapıların sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V-T) ve kapasite-gerilim (C-V-T) karakteristikleri
Current-voltage and capacitance-voltage characteristics on temperature dependent of Al-Au/GaTe schottky contact structures
- Tez No: 232790
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: GaTe, Tabakalı kristal, Schottky, I-V ölçümleri, C-V ölçümleri, Engel yüksekliği, İdealite faktörü, Schottky engel homojensizliği, Çoklu Gauss Dağılımı, Richardson grafiği, Lineerize edilmiş Richardson grafiği, Derin seviyeler, GaTe, Layered crystal, Schottky diodes, I-V measurements, C-V measurements, Barrier height, Ideality factor, Schottky barrier inhomogeneities, multi-Gaussian distribution, Richardson plot, Lineerized Richardson plot, Deep levels
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 174
Özet
ÖZETDoktora TeziAl-Au/GaTe SCHOTTKY YAPILARIN SICAKLIĞA BAĞLIAKIM-GERİLİM (I-V-T) ve KAPASİTE-GERİLİM (C-V-T) KARAKTERİSTİKLERİMurat GÜLNAHARAtatürk ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim DalıDanışman: Prof. Dr. Hasan EFEOĞLUGaTe ile güvenilir kontak yapıların elde edilmesinin amaçlandığı bu çalışmada, optimize edilmiş koşullarda Al/GaTe ve Au/GaTe Schottky kontak fabrikasyonları yapıldı. Al-Au/GaTe Schottky kontaklarının sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V-T), kapasite gerilim (C-V-T) ve sabit gerilimde kapasite-sıcaklık (C-T) ölçümleri yapıldı ve bu ölçümlerin farklı metotlarla karakterizasyonu incelendi.Yapılan ölçümlerde, Al/GaTe ve Au/GaTe'ye ait oldukça lineer I-V-T değişimleri elde edildi. Seri direncin çok süratli olarak arttığı gözlenen numunelerde idealite faktörü ve engel yüksekliğinin oldukça sınırlı değişimler gösterdikleri gözlendi. Düşük sıcaklıklarda serbest taşıyıcı yoğunluğunun hızlı azalışından dolayı ikili Gauss dağılımına neden olacak biçimde idealite faktöründe artış, engel yüksekliğinde azalışı ve Richardson grafiğinin sapması, Schottky engel homojensizlikleri ve `freeze out' etkisiyle ilişkilendirildi. Homojensizlikler Gauss dağılımı ve denklemleri kullanılarak ifade edilmeye çalışıldı. İkili Gauss dağılımının bu homojensizlikleri başarıyla tasvir ettikleri görüldü. Modifiye Richardson grafiğinin yetersiz olmasından dolayı Lineerize Richardson grafiğinin güvenilir olarak Richardson sabitini verdiği görüldü. Ayrıca Schottky engelinde homojensizliklere sebep olan tünelleme akımları, görüntü-yük etkisi, ara yüzey tabakasının etkisi gibi nedenler açıklanmaya çalışıldı ve idealite faktörü ve engel yüksekliği gibi parametrelerin uygulama gerilimiyle değişimleri incelendi. Al/GaTe ve Au/GaTe'nin 1 Mhz frekansta yapılan C-V-T ve C-T ölçümlerinden derin seviyelerin ve seri direncin kapasitansa olan etkisi ve C-V engel yüksekliğinin sıcaklığa bağlı değişimi incelendi. Böylece C-V engel yüksekliği ve I-V engel yüksekliği arasında oluşan farkın sebepleri üzerinde durulduğu bu çalışmada ideal Schottky kontak yapısı oluşturulmaya çalışıldı.2008, 174 sayfa
Özet (Çeviri)
ABSTRACTPh.D. ThesisCURRENT ? VOLTAGE and CAPACITANCE ? VOLTAGE CHARACTERISTICS ON TEMPERATURE DEPENDENT OFAl-Au/GaTe SCHOTTKY CONTACT STRUCTURESMurat GÜLNAHARAtatürk UniversityGraduate School of Natural and Applied SciencesDepartment of PhysicsSupervisor: Prof. Dr. Hasan EFEOĞLUReliable contacts on GaTe was obtained by means of optimized Al/GaTe and Au/GaTe Schottky contact fabrications. Afterwards the current-voltage (I-V-T), capacitance-voltage (C-V-T) and capacitance (C-T) measurements were done as function of temperature and this measurements were appreciated with using different methods.In the measurements, linear ln(I)-V-T relation of Al/GaTe and Au/GaTe were observed. The series resistance increased very quickly as temperature lowered. Ideality factor and barrier height presented a limited change with decreasing temperature. Deviation of Richardson plot related to changes of the ideality factor and the barrier height at low temperatures caused by the decrease of free carrier density. These relations are explained by double Gaussian distribution. In general the inhomogeneities were expressed by using multiple Gauss distribution and the anomalies in this study were defined with double-Gaussian distribution successfully. Richardson constant was obtained as reliable from the lineerized Richardson plot after failure of well known modified Richardson plot. Besides the behaviors caused Schottky barrier inhomogeneities as the effect of interface layer, the image force lowering, the tunneling currents were studied and the variations with bias of the barrier parameters as the ideality factor and the barrier height were analyzed. C-V-T and C-T measurements of Al/GaTe and Au/GaTe were made at 1 MHz. The effect of the deep levels and the series resistance on the capacitance were also studied. Finally variation of C-V barrier height on temperature were also studied.2008, 174 page
Benzer Tezler
- Tek yan band yukarı karıştırıcı tasarımı
Desining a single side band up convertor
METİN ERDOĞDU
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts
HİDAYET ÇETİN
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi
The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters
İRFAN ALP GEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu
The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization
CEVDET COŞKUN
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU