Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of current-voltage (I-V) measurements of the Au/PVA/n-Si MIS structure on temperature
- Tez No: 234020
- Danışmanlar: DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu, seri direnç, Schottky diode, ideality factor, interface state density, series resistance, Ideality factor
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, metal-yalıtkan-yarıiletken Au/PVA/n-Si MIS yapının Schottky diyotu üretildi ve bu diyotun 80-400K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Bu ölçümlerden yararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (FB0) , arayüzey durum yoğunluğu (Nss), arayüzey durum yoğunluğu enerjisi (Ess) ve doyum akımı değerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -5V ile +5V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Cheung fonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azalmaktadır. Engel yüksekliğinin de artan sıcaklıkla arttığı belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, the Au/ PVA/ n-Si metal-insulator semiconductor MIS Schottky diode was produced and the I-V measurements of this diode were taken at the temperature range of 80-400K for different temperatures. Using these measures, the ideality factor (n), zero-bias barrier height ( ? B0), interface state density (Nss), interface state energy (Ess) and saturation current (I0) of the diode were calculated. The I-V measurement was done with 20 mV steps between -5V and +5V. By the Cheung function, series resistance (Rs) was calculated. It was found that, particularly, the ideality factor (n) and series resistance (Rs) of the diode depend on the temperature, and it decreases with increasing temperature. It was determined that the barrier height increases when the temperature increases.
Benzer Tezler
- Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi
The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination
UMUT AYDEMİR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- The preparation of Au/Zn-nanoparticle-doped PVA/n- SiC (MPS) structures and the investigation of their electrical and dielectric properties as function of frequency and temperature using impedance spectroscopy method
Au/Zn-nanoparçacıkla-katkılı PVA/n- SiC (MPS) yapıların hazırlanması ve elektrik ile dielektrik özelliklerinin empedans spektroskopi metodu kullanılarak frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
MOHAMMAD HUSSEIN ALI AL DHAROB
Doktora
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Tegomer H-Si 2111-Ce(IV) redoks çifti ile başlatılmış NIPAAM jelleri ve PNIPAAM/PVSi 2250 semi IPN'leri
NIPAAM gels initiated by tegomer H-Si 2111 and PNIPAAM/PVSi 2250 semi IPN's
EMİNE KAZANCIOĞLU
- Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diyotların temel elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of temperature dependent basic electrical parameters of Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diodes
SEDA BENGİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Beta radyasyonuna maruz bırakılan au/(PVA:gr)/n-si schottky diyotların elektrik ve dielektrik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of electrical and dielectric parameters of au/(PVA:gr)/n-si schottky diodes exposed to beta radiation
ÖZLEM ABAY
Doktora
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK