Geri Dön

Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Investigation of current-voltage (I-V) measurements of the Au/PVA/n-Si MIS structure on temperature

  1. Tez No: 234020
  2. Yazar: REYHAN ÖZAYDIN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu, seri direnç
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 68

Özet

Bu çalışmada, metal-yalıtkan-yarıiletken Au/PVA/n-Si MIS yapının Schottky diyotu üretildi ve bu diyotun 80-400K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Bu ölçümlerden yararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (FB0) , arayüzey durum yoğunluğu (Nss), arayüzey durum yoğunluğu enerjisi (Ess) ve doyum akımı değerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -5V ile +5V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Cheung fonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azalmaktadır. Engel yüksekliğinin de artan sıcaklıkla arttığı belirlendi.

Özet (Çeviri)

In this study, the Au/ PVA/ n-Si metal-insulator semiconductor MIS Schottky diode was produced and the I-V measurements of this diode were taken at the temperature range of 80-400K for different temperatures. Using these measures, the ideality factor (n), zero-bias barrier height ( ? B0), interface state density (Nss), interface state energy (Ess) and saturation current (I0) of the diode were calculated. The I-V measurement was done with 20 mV steps between -5V and +5V. By the Cheung function, series resistance (Rs) was calculated. It was found that, particularly, the ideality factor (n) and series resistance (Rs) of the diode depend on the temperature, and it decreases with increasing temperature. It was determined that the barrier height increases when the temperature increases.Key Words :Schottky diode, ideality factor, interface state density, series resistance

Benzer Tezler

  1. Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diyotların temel elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    Investigation of temperature dependent basic electrical parameters of Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diodes

    SEDA BENGİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL

  2. Au/(Bi-katkılı) polivinil alkol/n-si schottky engel diyotlarının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa ve aydınlatma şiddetıne bağlı incelenmesi

    Illumination effect on current-voltage (i-v) characteristics of au/pva/n-si schottky barrier diodes (sbds) at various temperatures

    H. GÖKÇEN ÇETİNKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Investigation of electrical properties of metal-polymer-semiconductor (MPS) structures depending on frequency and voltage

    Metal-polimer-yarı iletken (MPS) yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve gerilime bağlı olarak incelenmesi

    TAHSEEN JAWAD KADHIM ALGABRI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHADDİN ALPTEKİN

  4. Au/PVA:Zn/n-Si (MPS)schottky engel diyodun elektriksel özelliklerinin sıcaklık ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature and radiation dependent electrical characteristics of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) schottky barrier diodes

    İLKE TAŞÇIOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi

    The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination

    UMUT AYDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL