Au/(Bi-katkılı) polivinil alkol/n-si schottky engel diyotlarının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa ve aydınlatma şiddetıne bağlı incelenmesi
Illumination effect on current-voltage (i-v) characteristics of au/pva/n-si schottky barrier diodes (sbds) at various temperatures
- Tez No: 365453
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Bu çalışmada, Au/polivinil alkol (Bi-katkılı)/n-Si Schottky engel diyotun elektriksel karakteristikleri akım-voltaj (I-V) ölçümleri kullanılarak doğru ve ters ön-gerilimlerde, karanlık ve farklı aydınlatma şiddetlerinde (50-250 W) 80 K, 160 K, 240 K ve 320 K için incelendi. Doğru ön-gerilim I-V ölçümlerinden, aydınlatma şiddetine bağlı olarak deneysel doyum akımı ( Io), sıfır beslem engel yüksekliği ( ? Bo), idealite faktörü (n), seri direnç (R)s ve şönt direnci (Rsh) gibi temel diyot parametreleri karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri için elde edildi. Tüm bu parametrelerin aydınlatma şiddetine oldukça bağlı olduğu gözlendi. n ve ? Bo `nin aydınlatma şiddeti altındaki düzgün değişimi ve Rs ve Rsh `ın üstel değişimi farklı sıcaklıklardaki ölçümlerde gözlendi. Farklı sıcaklıklarda dn/dP ve d ? Bo/dP hesaplamalarındaki aydınlatma katsayısı sırasıyla pozitif ve negatif değerdedir. Doğru ön-gerilim I-V karakteristikleri bize düşük sıcaklıklarda doyum akımına ulaşılamadığını gösteriyor ve bu durum 320 K için geçerliliğini yitiriyor. Aynı zamanda 50 W aydınlatma şiddeti altında 320 K de diyotun dolum oranı (FF) 0,40 olarak hesaplandı. Denesel sonuçlar bize diyotun optoelektronik uygulamalarda fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösteriyor.
Özet (Çeviri)
In this study, the illumination dependence of forward and reverse bias current-voltage (I-V) characteristics of the PVA (Bi-Doped)/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) have been investigated at 80, 160, 240 and 320 K. The main diode parameters such as reverse-saturation current (Io), zero-bias barrier height ( ? Bo), ideality factor (n), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) were obtained from the I-V measurements for each temperature both in dark and under various illumination intensities (50-250 W). All of these parameters were found to be strong function of illumination and temperature. While the change in n and ? Bo with illumination was found to change linearly, the change in Rs and Rsh was found to change exponentally for each temperature. The illumination cofficient of dn/dP and d ? Bo/dP was found to be positive and negative for each temperature, respectively. The reverse bias I-V characteristics show considerably a non-saturating behaviour at low temperatures but it througly began disappear at 320 K. The fill factor (FF) was found to be 0.40 at 320 K under 50 W. The forward bias I-V characteristics of the diodes have been also explained by the SCLC model. The obtained experimental results show that the fabricated diode can be used a photodiode in optoelectronic applications.
Benzer Tezler
- Bizmut katkılı kurşun içeriği azaltılmış organik-inorganik hibrit perovskit nanokompozit güneş pillerinin üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of bismuth-doped leadfree organic-inorganic hybrid perovskite nanocomposite solar cells
HAZAL AYDOĞMUŞOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Mühendislik BilimleriKütahya Dumlupınar ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN GÖÇMEZ
- Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi
Series resistance effects in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures
GÖKHAN ÇEBİŞLİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
- Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyod yapılarında I-V karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of the I-V characteristics in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures
BEKİR VARLIBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
- Silisyum ve galyum arsenit yüzeylerine tutunmuş grafitik nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of graphitic nano structures adsorbed on silicon and gallium arsenide surfaces
CEREN TAYRAN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
PROF. DR. SÜLEYMAN ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU
- Exploring acceptance of e-exam using PLS-SEM approach: A case study in Turkey
PLS-SEM yaklaşımı ile e-sınavın kabulünün araştırılması: Türkiye'de bir vaka çalışması
PAŞA ÇİÇEKLİDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Endüstri ve Endüstri Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÜLŞAH HANÇERLİOĞULLARI