Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diyotların temel elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of temperature dependent basic electrical parameters of Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diodes
- Tez No: 233736
- Danışmanlar: DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu çalışmada, Au/PVA/n-Si (Metal-yalıtkan-yarıiletken) Schottky diyotların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400K sıcaklık ve ±6V voltaj aralığında 1 MHz için incelendi. Deneysel sonuçlardan, seri dirençten dolayı doğru beslem C-V grafiğinin bir pik verdiği gözlendi. MIS yapının G/w-V eğrilerinde, belirgin bir voltaj değerinde gözlenen kesişme ideal bir MIS davranışa göre beklenmeyen bir durumdur. Elde edilen ölçümlerden Schottky engel yüksekliği (?b), tüketim tabakası genişliği (Wd), arayüzey durumları (Nss), seri direnç (Rs) ve diğer temel elektriksel parametreler hesaplandı. Nss ve Rs değerlerinin önemli ölçüde sıcaklığa bağlı olduğu tespit edildi. Rs değerleri artan sıcaklıkla azalırken, Nss ise artan sıcaklıkla artmaktadır. Ayrıca, MIS yapının 1 MHz yüksek frekansta ölçülen Cm ve Gm/w değerleri, gerçek Cc ve Gc/w değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi.
Özet (Çeviri)
In this study, the capacitance - voltage (C-V) and conductance - voltage (G/w-V) characteristics of Au/PVA/n-Si (metal-insulator-semiconductor) Schottky diodes have been investigated over a wide temperature and the voltage range of 80- 400K and ±6 V, respectively, at 1 MHz. It is found that in the presence of series resistance, the forward bias C-V plots exhibit a peak. The crossing of the G/w?V curves appears as an abnormality compared to the conventional behavior of ideal MIS diode. From the evaluation of the experimental measurements, Schottky barrier height (?b), depletion layer thickness (Wd), surface states (Nss), series resistance (Rs) and other main electrical parameters were calculated. Nss and Rs values are important parameters that strongly influence the electrical parameters in MIS Schottky diode. When the Rs decreases with increasing temperature, the Nss increases with increasing temperature. In addition, Cm ve Gm/w values measured at 1MHz high frequency were corrected for the effect of series resistance to obtain the real Cc and Gc/w.
Benzer Tezler
- Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of current-voltage (I-V) measurements of the Au/PVA/n-Si MIS structure on temperature
REYHAN ÖZAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Au/(Bi-katkılı) polivinil alkol/n-si schottky engel diyotlarının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa ve aydınlatma şiddetıne bağlı incelenmesi
Illumination effect on current-voltage (i-v) characteristics of au/pva/n-si schottky barrier diodes (sbds) at various temperatures
H. GÖKÇEN ÇETİNKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Investigation of electrical properties of metal-polymer-semiconductor (MPS) structures depending on frequency and voltage
Metal-polimer-yarı iletken (MPS) yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve gerilime bağlı olarak incelenmesi
TAHSEEN JAWAD KADHIM ALGABRI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHADDİN ALPTEKİN
- Au/PVA:Zn/n-Si (MPS)schottky engel diyodun elektriksel özelliklerinin sıcaklık ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of temperature and radiation dependent electrical characteristics of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) schottky barrier diodes
İLKE TAŞÇIOĞLU
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi
The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination
UMUT AYDEMİR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL