Elektron radyasyonunun Au/n-Si/Au-Sb Schottky kontakların elektriksel karakteristikleri üzerine etkileri
The effects of electron irradiation on the electricial characterictics of Au/n-Si/Au-Sb Schottky contacts
- Tez No: 238017
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: n-Si, Schottky diyot, elektron ışınlanması, n-Si, Schottky diode, Electron irradiation
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Au/n-Si/Au-Sb Schottky kontaklarda 25 gray, 50 gray ve 75 gray dozdaki elektron ışınlamasının elektriksel karakteristikleri üzerindeki etkileri ortaya çıkarıldı. 4200C ve 4500C sıcaklıklarda tavlanan kontakların ışınlamadan önce ve ışınlamalardan sonra I-V (akım-gerilim), C-V (kapasite-gerilim) ve C-f (kapasite-frekans) ölçümleri alındı. Düz beslem I-V grafikleri yardımıyla kontakların idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri hesaplandı. Cheung fonksiyonları yardımıyla idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Işınlanmadan önce 4200C'de tavlanan Au/n-Si/Au-Sb diyodunun idealite faktörü 1.152, engel yüksekliği 0.772 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1.254 engel yüksekliği ise 0.794 eV hesaplandı. Işınlanmadan önce 4500C'de tavlanan Au/n-Si/Au-Sb diyodunun idealite faktörü 1.231, engel yüksekliği 0.742 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1.384 engel yüksekliği 0.761 eV olarak hesaplandı. Işınlamayla idealite faktöründe ve engel yüksekliğinde artış gözlendi. Tavlama sıcaklığının artmasıyla idealite faktöründeki artış diyotların akım iletim mekanizmasının termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı. Bu durum yapının bozulmasına atfedildi. Ters beslem C-V grafikleri yardımıyla difüzyon potansiyelleri, engel yükseklikleri, fermi enerji seviyeleri ve donor konsantrasyonları hesaplandı. Artan ışınlamayla birlikte kapasitenin ve donor konsantrasyonunun azaldığı gözlendi. Radyasyonun diyotlarda oluşturduğu kusurlar nedeniyle diyotların ideallikten saptığı gözlendi.
Özet (Çeviri)
The effects of electrical characterictis of electron irradiation of 25 gray, 50 gray and 75 gray in Au/n-Si/Au-Sb Schottky are revealed.The I-V, C-V, and C-f measurements are taken before and after the irradiation of contacts that are annealed at 4200C and 4500C for 3 minutes. As a result of the forward bias measures, idealiy factors and the values of barrier heights are calculated. Ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode annealed at 4200C before irradiation was calculated as 1.152, and the barrier height was calculated as 0.772 eV; however, ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode after irradiation was calculated as 1.254, and the barrier height was calculated 0.794 eV. Ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode annealed at 4500C before irradiation was calculated as 1.231,and the barrier height was calculated as 0.742 eV; however, ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode after irradiation was calculated as 1.384, and the barrier height was calculated 0.761 eV. An increase in ideality factor and barrier height was observed with the irradiaton. The increase in ideality factor resulted from the increasing of annealing temparature and electron irradiation was explained with the deviation of current transport mechanism from the thermoionic emission theory. This situation is related with the corruption of the cyristal structure. The diffusion potentials, barrier heights, Fermi energy levels and doping concentrations were calculated by using reverse bias C-V graphics. With the increasing irradiation, capacitance value and doping concentrations were observed to be increase. Because of the defects that the electron irradiation caused in the diodes, the diodes were observed to be deviate from the ideal situation.
Benzer Tezler
- ZnO tabanlı omik ve schottky yapılar üzerine radyasyon etkilerinin incelenmesi
The radiation effects and the response on the major parameters of the ohmic and schottky contacts on n-ZnO
NEBİ GEDİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. CEVDET COŞKUN
- Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC tabanlı schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda yüksek enerjili ve düşük dozlu elektronlarla ışınlamanın etkisi
The influence of high energy and low dose electron irradiation on Ni /n-4H-SiC and Ni /n-6H-SiC based schottky and Au/Ni /n-4h-sic and au/ni /n-6h-sic ohmic contacts
KÜBRA ÇINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Pt/n-InP schottky diyotların elektron radyasyonuna verdiği tepkinin farklı sıcaklık koşullarında araştırılması
Responses of Pt/n-InP schottky diode to electron irradiation in different temperature conditions
ATAKAN AKBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAğrı İbrahim Çeçen ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HATUN KORKUT
- Polarization of electron impact radiation of rare gases
Nadir gazların elektron darbe radyasyonunun polarizasyonu
MEHMET TAHİR KAVAK
Yüksek Lisans
İngilizce
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiUniversity of StirlingAtom ve Molekül Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. HANS KLEINPOPPEN
- Gama radyasyonunun bazı ilaçlarda oluşturduğu yapısal bozuklukların elektron paramanyetik rezonans ve simülasyon tekniği ile incelenmesi
Analysis of structural defects caused by gamma radiation on some medicines through electron paramagnetic resonance and simulation techniques
FIRAT AKBALIK
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN OSMANOĞLU