Elektron radyasyonunun Au/n-Si/Au-Sb Schottky kontakların elektriksel karakteristikleri üzerine etkileri
The effects of electron irradiation on the electricial characterictics of Au/n-Si/Au-Sb Schottky contacts
- Tez No: 238017
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: n-Si, Schottky diyot, elektron ışınlanması, Schottky kontakları, n-Si, Schottky diode, Electron irradiation, Schottky contacts
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Au/n-Si/Au-Sb Schottky kontaklarda 25 gray, 50 gray ve 75 gray dozdaki elektron ışınlamasının elektriksel karakteristikleri üzerindeki etkileri ortaya çıkarıldı. 4200C ve 4500C sıcaklıklarda tavlanan kontakların ışınlamadan önce ve ışınlamalardan sonra I-V (akım-gerilim), C-V (kapasite-gerilim) ve C-f (kapasite-frekans) ölçümleri alındı. Düz beslem I-V grafikleri yardımıyla kontakların idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri hesaplandı. Cheung fonksiyonları yardımıyla idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Işınlanmadan önce 4200C'de tavlanan Au/n-Si/Au-Sb diyodunun idealite faktörü 1.152, engel yüksekliği 0.772 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1.254 engel yüksekliği ise 0.794 eV hesaplandı. Işınlanmadan önce 4500C'de tavlanan Au/n-Si/Au-Sb diyodunun idealite faktörü 1.231, engel yüksekliği 0.742 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1.384 engel yüksekliği 0.761 eV olarak hesaplandı. Işınlamayla idealite faktöründe ve engel yüksekliğinde artış gözlendi. Tavlama sıcaklığının artmasıyla idealite faktöründeki artış diyotların akım iletim mekanizmasının termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı. Bu durum yapının bozulmasına atfedildi. Ters beslem C-V grafikleri yardımıyla difüzyon potansiyelleri, engel yükseklikleri, fermi enerji seviyeleri ve donor konsantrasyonları hesaplandı. Artan ışınlamayla birlikte kapasitenin ve donor konsantrasyonunun azaldığı gözlendi. Radyasyonun diyotlarda oluşturduğu kusurlar nedeniyle diyotların ideallikten saptığı gözlendi.
Özet (Çeviri)
The effects of electrical characterictis of electron irradiation of 25 gray, 50 gray and 75 gray in Au/n-Si/Au-Sb Schottky are revealed.The I-V, C-V, and C-f measurements are taken before and after the irradiation of contacts that are annealed at 4200C and 4500C for 3 minutes. As a result of the forward bias measures, idealiy factors and the values of barrier heights are calculated. Ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode annealed at 4200C before irradiation was calculated as 1.152, and the barrier height was calculated as 0.772 eV; however, ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode after irradiation was calculated as 1.254, and the barrier height was calculated 0.794 eV. Ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode annealed at 4500C before irradiation was calculated as 1.231,and the barrier height was calculated as 0.742 eV; however, ideality factor of Au/n-Si/Au-Sb diode after irradiation was calculated as 1.384, and the barrier height was calculated 0.761 eV. An increase in ideality factor and barrier height was observed with the irradiaton. The increase in ideality factor resulted from the increasing of annealing temparature and electron irradiation was explained with the deviation of current transport mechanism from the thermoionic emission theory. This situation is related with the corruption of the cyristal structure. The diffusion potentials, barrier heights, Fermi energy levels and doping concentrations were calculated by using reverse bias C-V graphics. With the increasing irradiation, capacitance value and doping concentrations were observed to be increase. Because of the defects that the electron irradiation caused in the diodes, the diodes were observed to be deviate from the ideal situation.
Benzer Tezler
- Beta radyasyonuna maruz bırakılan au/(PVA:gr)/n-si schottky diyotların elektrik ve dielektrik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of electrical and dielectric parameters of au/(PVA:gr)/n-si schottky diodes exposed to beta radiation
ÖZLEM ABAY
Doktora
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Mobil telefon kullanımına bağlı oluşan 900-1800 mhz radyo frekans dalgalarının meydana getirdiği elektromanyetik alanın iliak kanat kemik mineral yoğunluğuna etkisi
The effect of electromagnetic fields on bone mineral density of iliac bone produced by 900-1800 mhz radio frequency waves dependent on cellular phone usage
BEŞİR ANDAÇ AKSOY
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2006
Ortopedi ve TravmatolojiSüleyman Demirel ÜniversitesiOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NEVRES HÜRRİYET AYDOĞAN
- B4C esaslı kompozitlerin B4C/Me başlangıç tozlarından hareketle spark plazma sinterleme (SPS) yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of B4C based composites from B4C/Me starting powders by using spark plasma sintering (SPS) method
MERAL CENGİZ
Doktora
Türkçe
2016
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ ŞAHİN
- The role of oxidative stress factors in the pathophysiology of Ocular Rosacea, analysis of tears and other materials
Oküler Rosacea patofizyolojisinde oksidatif stres faktörlerinin rolü, gözyaşı ve diğer materyallerin analizi
NİLÜFER YEŞİLIRMAK
Doktora
İngilizce
2023
BiyokimyaGazi ÜniversitesiTıbbi Biyokimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NESLİHAN BUKAN
PROF. DR. JEAN-LOUIS BOURGES
- ZnO tabanlı omik ve schottky yapılar üzerine radyasyon etkilerinin incelenmesi
The radiation effects and the response on the major parameters of the ohmic and schottky contacts on n-ZnO
NEBİ GEDİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. CEVDET COŞKUN