Geri Dön

Pt/n-InP schottky diyotların elektron radyasyonuna verdiği tepkinin farklı sıcaklık koşullarında araştırılması

Responses of Pt/n-InP schottky diode to electron irradiation in different temperature conditions

  1. Tez No: 316518
  2. Yazar: ATAKAN AKBAY
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HATUN KORKUT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ağrı İbrahim Çeçen Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 62

Özet

Bu çalısmada Pt/n-InP Schottky kontaklarının elektriksel özelliklerinde meydana gelen elektronradyasyonundan kaynaklanan değisimler farklı sıcaklık sartlarında incelendi. Öncelikle InPyarıiletkeni ayrıntıları tezde belirtilen sekilde kimyasal temizleme islemlerine maruz bırakıldı.Daha sonra önceden hazırlanmıs Zn-Au alasımı yarıiletkenin arka yüzüne termal buharlastırmayöntemiyle buharlastırıldı. Bu asamadan sonra düsük dirençli omik kontak elde etmek içinnumune azot gazı akısı altında 300 0C'de 3 dakika kuartz tüp fırında tavlandı. Dairesel formlarhalinde platin metal kontaklar magnetik alanda saçtırma yöntemi kullanılarak tavlanannumunenin ön yüzünde olusturuldu. Daha sonra numune, bir doğrusal elektron hızlandırıcı(LINAC) kullanılarak 12 MeV elektron radyasyonuna maruz bırakıldı. I-V ölçümleri 20, 160,260, 300, 320 ve 400 K sıcaklık kosullarında radyasyondan önce ve sonra alındı. TemelSchottky diyot parametreleri hem I-V-T hem de Norde metodu kullanılarak elde edildi. 160,260, 300, 320 ve 400 K'de diyodun doğru beslem elektriksel karakteristiklerinde pek fazla birdeğisim olmazken 20 K'de küçük bir değisim dikkati çekmektedir. Ters beslem akımı iseradyasyonla birlikte 20, 160, 260, 300, 320 ve 400 K sıcaklıklarının hepsinde artmıstır.

Özet (Çeviri)

Electron irradiation induced electronic properties of Pt/n-InP Schottky diode depending ondifferent temperature conditions were investigated in this study. Firstly n-type InP wafer wasexposed to the chemical cleaning process as described in detail in the thesis. Then pre-preparedZn-Au alloy was evaporated on the back side of the semiconductor by thermal evaporationmethod. After this stage, the sample was annealed 300 0C for 3 minutes under nitrogenatmosphere in a quartz tube furnace to obtain low-resistant ohmic contact. Platinum metalcontacts were formed as circular forms on the front face of the annealed sample by usingmagnetron sputtering technique. Then sample was exposed to 12 MeV electron irradiation byusing a linear electron accelerator (LINAC). I?V measurements were obtained under 20, 160,260, 300, 320 and 400 K temperature conditions before and after irradiation. Basic Schottkydiode parameters were determined by both I-V-T and Norde method. Forward currents for 160,300 and 400 K were not changed very much by irradiation but remarkable change in thecharacteristics were seen only at 20 K slightly. Reverse currents of Pt/n-InP Schottky diodewere increased distinctly at 20, 160, 260, 300, 320 and 400 K by irradiation.

Benzer Tezler

  1. Türk linyitlerinin ısıl değerlerinin kısa analiz sonuçlarından yararlanılarak saptanması

    Calculating calorific value of Turkish lignites from their proximate analysis

    İLKNUR İSKENDER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENİS KADIOĞLU

  2. Trakya bölgesi jeofizik verilerinin hücresel yapay sinir ağları kullanılarak modellenmesi

    Modelling of geophysical data in thrace region by using cellular neural network

    FARUK ÇAĞLAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Jeofizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa

    Jeofizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ MUHİTTİN ALBORA

  3. Dönüşüm yarıgruplarının görece rankı

    Relative rank of transformation semigroups

    EBRU YİĞİT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    MatematikÇukurova Üniversitesi

    Matematik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GONCA AYIK

  4. Metal/Si ve metal/Si1-xGex/Si Schottky bariyer diyotlarının elektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical properties of metal/Si and metal/Si1-xGex/Si Schottky barrier diodes

    KADİR ERTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NAİM DEREBAŞI

  5. Experiments with two-stage iterative solvers and precondilioned krylov subipace methods on nearly completely decomposoble markov chovins

    İki seviyeli dolaylı çözücüler ve iyileştirilmiş krylov altuzay yöntemleri ile neredeyse bölünebilir markov zincirleri üzerinde deneyler

    WAÜL GUEOJEB

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TUĞRUL DAYAR