Modulation response of A 1.55 mm InGaAsP semiconductor laser diode
Yarı iletken 1.55 mm InGaAsP lazer diyodunun modülasyon tepkisi
- Tez No: 24489
- Danışmanlar: DOÇ. DR. M. S. ÖZYAZICI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Lazer Diyodu, Modülasyon Tepkesi. iv, Modülasyon tepkisi, Laser Diode, Modulation Response. iii, Laser diodes, Modulation response
- Yıl: 1992
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET YARI İLETKEN 1.55 Jlm InGaAsP LAZER DÎYODUNUN MODÜLASYON TEPKESİ TA?LUK, M. Emin Yüksek Lisans Tezi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. M. S. ÖZYAZICI Eylül 1992, 76 sayfa Sağrı âalga kılavuzlu 1.55 Hm InGaAsP lazer diyodunun modülasyon karekter istiği tek-mod değişim denklemlerine dayalı bir matematiksel model oluşturularak incelendi. Tek-mod demişim denklemleri dördüncü dereceden Runge-Kutta-Fehlberg metudu kullanarak çözüldü. 1.55 Jim InGaAsP lazer diyodlarının önemli parametreleri olan Auger birleşimi, ısımasız birleşim ve kazanç sıkıştırması dikkate alındı. Hesaplamalarda aynızamanda lazer diyodunun parametrelerinin modülasyon tepkesine etkisi dahil edildi. Bilgisayar kullanılarak laser diyodunun modülasyon tepkesi simüle edildi. Standart cihaz parametreleri sağrı dalga kilavuzu yapılı 1.55 ]im InGaAsP lazer için alındı. Lazer modülasyonun tepkesine etki eden parametreler belirlendi. Bütün parametreler arasında kazanç sıkıştırması, foton ömrü ve Auger birleşimi parametreleri en çok etkili parametreler olduğu bulundu.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT MODULATION RESPONSE OF A 1.55 pro InGaAsP SEMICONDUCTOR LASER DIODE TAGLUK, M.Emin M.S. in Electrical and Electronic Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. M. S. OZYAZICI September 1992, 76 Pages The high frequency direct modulation characteristic of a 1.55 ]im InGaAsP ridge waveguide laser diode is investigated by using a mathematical model based on single-mode rate equations. Single-mode rate equations are solved numerically by using fourth order Runge-Kutta-Fehlberg method. The important parameters of a 1.55 Jim InGaAsP semiconductor lasers such as Auger recombination, nonradiative recombination and gain compression are taken into account. The effect of laser parasitics on the modulation response is also included in calculations. The direct modulation response of the laser diode is simulated by use of computer. Standard device parameters are taken for 1.55um InGaAsP ridge-waveguide structure laser. The parameters effecting the modulation response of the laser diode are identified. It is found that among all laser parameters the gain compression, photon lifetime and Auger recombination are the most effective parameters.
Benzer Tezler
- Digital interpolation and modulation system design for communication DaCs
Haberleşme S/A dönüştürücüleri için sayisal ara değerleme ve modülasyon sistemi tasarimi
GÜRER ÖZBEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TÜRKER KÜYEL
- Sürekli faz modülasyonunun çok düzeyli kodlanması
Multilevel coding of continuous phase modulation
İBRAHİM ALTUNBAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ÜMİT AYGÖLÜ
- Tau agregasyon inhibitörü 'metilen mavisi'nin öğrenme ve hafıza üzerine etkilerinin araştırılması
Investigation of the effects of tau aggregation inhibitor methylene blue on learning and memory
NURBANU YILDIZ
- Karbon bazlı elektrotlar kullanılarak trifluralin için elektrokimyasal sensör geliştirilmesi
Development of electrochemical sensor for trifluralin using carbon-based electrodes
ÜMİT GEGE
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
KimyaÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YUSUF DİLGİN
- Tungsten oksit (WO3) ince filmlerinin elektrokromik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrochromic properties of tungsten oxide (WO3) thin films
MÜRÜVVET ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET PEKSÖZ