Geri Dön

Schottky diyot parametreleri üzerine engel yükseklik dağılımının etkisi

Schottky diyot parametreleri üzerine engel yükseklik dağiliminin etkisi

  1. Tez No: 246095
  2. Yazar: VOLKAN YILDIRIM
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky engel diyot, akım-gerilim karakteristiği, seri direnç, termiyonik emisyon, inhomojenite, Schottky barrier diode, current-voltage characteristic, series resistance, thermoionic emission, inhomogenity
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 108

Özet

Kimyasal olarak temizlenmiş n-Si altlıklar üzerine In, Bi, In%18wtBi ve In%46wtBi'nin termal buharlaştırılmasıyla In/n-Si, Bi/n-Si, In%18wtBi/n-Si/, In%46wtBi/n-Si Schottky engel diyotları üretildi.Aynı şartlarda hazırlanan Schottky engel diyotlarının akım-gerilim (I-V) karakteristikleri, 300 K sıcaklığında ve karanlıkta HP 4140B picoampermeter cihazı kullanılarak ölçüldü. Üretilen Schottky engel diyotlarının; idealite faktörü ve engel yüksekliği gibi karakteristik parametreleri termiyonik emisyon teorisi kullanarak doğru beslem akım-gerilim karakteristiklerinden elde edildi. In/n-Si, Bi/n-Si, In%18wtBi/n-Si, In%46wtBi/n-Si Schottky engel diyotlarının doğru beslem lnI-V karakteristiklerinden elde edilen doyum akım (Io) değerleri kullanılarak engel yüksekliklerinin; Bi/n-Si için 0.78 ile 0.83 eV; In/n-Si için 0.75 ile 0.80 eV; In%18wtBi/n-Si için 0.72 ile 0.77 eV; In%46wtBi/n-Si için 0.78 ile 0.84 eV arasında değiştiği belirlendi. Üretilen diyotların lnI-V grafiklerinin lineer bölgelerinin eğimlerinden bulunan idealite faktörlerinin ise; Bi/n-Si için 1.27 ile 1.46; In/n-Si için 1.12 ile 1.22; In%18wtBi/n-Si için 1.32 ile 1.40; In%46wtBi/n-Si için 1.20 ile 1.31 arasında değişim gösterdiği bulundu. Ayrıca diyotların seri direnç, engel yüksekliği ve idealite faktörü gibi karakteristik parametreleri Cheung fonksiyonları yardımı ile bulunarak lnI-V grafiğinden elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Cheung fonksiyonlarından elde edilen idealite faktörünün, lnI-V grafiğinden elde edilenden daha büyük ve engel yüksekliğinin ise lnI-V grafiğinden elde edilenden daha küçük olduğu bulundu.Aynı şartlarda üretilen diyotların karakteristik parametlerinin değişim göstermesi, engel inhomojenite modeline dayandırılarak açıklandı.Metal ve alaşım kullanılarak üretilen diyotların homojen engel yükseklikleri de elde edilerek birbirleriyle karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

In/n-Si, Bi/n-Si, In%18wtBi/n-Si and In%46wtBi/n-Si Schottky barrier diodes were fabricated by thermal evaporation of In, Bi, In%18wtBi and In%46wtBi onto chemically etched n-Si substrates.The current-voltage (I-V) characteristics of the identically prepared Schottky barrier diodes were measured by using a Hewlett- Packard 4140B picoampermeter at room temperature (300oK) and in the dark. The values of ideality factor and barrier height were calculated from the slopes and intercepts of the straight lines of the semilog-forward bias I-V characteristics of each one of the diodes with the help of the thermionic emission theory. The barrier heights for Bi/n-Si, In/n-Si, In%18wtBi/n-Si and In%46wtBi/n-Si Schottky barrier diodes were found in the range of 0.78-0.83 eV, 0.75- 0.80 eV, 0.72- 0.77 eV and 0.78- 0.84 eV, respectively. The ideality factors of these diodes were also found in the range of 1.27- 1.46, 1.12- 1.22, 1.32-1.40 and 1.20- 1.31, respectively. Furthermore, Schottky diode parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were determined using the Cheung`s functions and compared with the results obtained from lnI-V characteristics. It has been found that the ideality factors obtained from lnI-V are lower than obtained from Cheung`s functions and the barier heights obtained from lnI-V are higher than obtained from Cheung`s functions.Fluctuation in characteristic parameters of diodes fabricated at the same conditions was explained by the barrier inhomogeneity model.The homogeny barrier heights of the fabricated diodes by using metal and alloy were also calculated and compared with each other.

Benzer Tezler

  1. Schottky metalinin kalınlığı ve H2 tavlamasının Au/n-GaAs diyotlarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri

    Influences of the thickness of the schottky metal and hydrogen annealing on the characteristic diode parameters of the Au/n-GaAs diodes

    ÖMER GÜLLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. MEHMET BİBER

  2. Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması

    y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode

    SERHAT GÜLOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN

  3. H2 öntavlamalı Au/N-GaaS diyotlarda elektriksel karakteristiklerin Schottky metal kalınlığı ve sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi

    Investigation of Schottky metal thickness and temperature dependent changes on the electrical characteristics of Au/N-GaaS diodes with H2 pre-anneal

    ÖMER GÜLLÜ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET BİBER

  4. n-InP yarıiletkeni ile hazırlanan TiO2 arayüzey tabakalı metal yarıiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    INVESTIGATING THE ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL SEMICONDUCTOR CONTACTS PREPARED ON n-InP SEMICONDUCTOR WITH TiO2 INTERFACIAL LAYER

    AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN ÖZER

  5. Au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polimer-yarıiletken yapının elektriksel parametreleri üzerine sıcaklık ve frekans etkisi

    The effect of temperture and frequency on electrical parameters of au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polymer-semiconductor structure

    AYSEL BÜYÜKBAŞ ULUŞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM TATAROĞLU