Geri Dön

H2 öntavlamalı Au/N-GaaS diyotlarda elektriksel karakteristiklerin Schottky metal kalınlığı ve sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi

Investigation of Schottky metal thickness and temperature dependent changes on the electrical characteristics of Au/N-GaaS diodes with H2 pre-anneal

  1. Tez No: 177027
  2. Yazar: ÖMER GÜLLÜ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET BİBER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada yarıiletken teknolojisinde verimli bir şekilde kullanılabilecek nanometre kalınlıklı Au/n-GaAs Schottky diyotlara ait akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) gibi elektriksel karakteristikler numune sıcaklığına ve ısıl tavlama sıcaklığına bağlı olarak detaylı bir şekilde ele alındı. Diyotlarda meydana gelen taşıyıcı iletim mekanizması, tekli ve ikili Gauss dağılımı temelinde incelendi. Ayrıca sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilen diyot parametreleri üzerine, engel metali kalınlığının ve hidrojen ile yüzey hazırlamanın etkileri araştırıldı. Hidrojen ortamında yapılan tavlama işleminin metal-yarıiletken yüzeyini pasive ederek potansiyel engelinin düşmesine neden olduğu görüldü. Ayrıca, artan metal kalınlığının diyotların engel yüksekliğini ve idealite faktörünü azalttığı gözlemlendi. Bu durumun literatür (Jin et al. (1991); Yuan et al. (1993); Wang ve Ashok (1994); Jang ve Lee (2002); Chen ve Chou (2004); Forment et al. (2004)) ile iyi bir uyum sergilediği sonucuna varıldı. Ayrıca, sıcaklığa bağlı ters beslem C-V ölçümlerinden engel yüksekliği ve taşıyıcı konsantrasyonları hesaplandı. En son olarak, tüm diyotlar azot ortamında ısıl tavlama işlemine maruz bırakıldı. Burada hidrojenle önceden tavlanan diyotların genel olarak daha geç bozulduğu görüldü. Bu da üretilen diyotlarda hidrojen ile tavlama işleminin diyotun ısıl kararlılığını artırarak MESFET'lerde verimli bir şekilde kullanılabilirliğini ortaya koymaktadır.

Özet (Çeviri)

In this study, the electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes with nm metal thickness, such as current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V), have been investigated as a function of sample temperature and thermal annealing temperature. Transport mechanisms of the diodes have been handled on the basis of single/double Gaussian barrier distribution. Also, it has been looked into impact mechanisms and effects of barrier metal thickness and hydrogen annealing procedure on the temperature dependent diode parameters. Barrier heights of the diodes fabricated from the samples annealed in hydrogen atmosphere were smaller than those of reference diodes. This was attributed to the fact that hydrogen atoms passivated dangling bonds on metal-semiconductor interface. It was seen that this result was in good agreement with studies of Jin et al. (1991); Yuan et al. (1993); Wang ve Ashok (1994); Jang ve Lee (2002); Chen ve Chou (2004); Forment et al. (2004). In addition, barrier height and carrier doping concentration of the device were obtained from temperature dependent reverse bias C-V measurements. Finally, all devices were exposed to thermal annealing in nitrogen atmosphere. It was observed that hydrogen pre-annealed devices have longer lifetimes. This demonsrates that hydrogen pre-annealing procedure enhances the stability of the diode, and can be efficiently used in MESFETs.

Benzer Tezler

  1. Wiener süzgeci ile görüntü onarımında yeni bir yaklaşım

    A New approach in image restoration by wiener filtering

    MELİKE DİŞBUDAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. MEHMET ERTUĞRUL ÇELEBİ

  2. Transonic wing flows using nonequilibrium algebraic turbulence model

    Dengede olmayan cebrik türbülans modeli ile transonik kanat akışları

    ŞENER YILMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Havacılık ve Uzay Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. M. ZEKİ ERİM

  3. Bir otonom su altı araç modelinin hidrodinamik akış karakteristiklerinin deneysel araştırılması

    Experimental investigation of hydrodynamic flow characteristics of an autonomous underwater vehicle model

    MEHMET ERDEM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Havacılık ve Uzay MühendisliğiNecmettin Erbakan Üniversitesi

    Uçak Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUAMMER ÖZGÖREN

  4. Ön tavlamalı ve ön tavlamasız TIG kaynağı yapılan P91 ve P92 çelik boruların mikroyapı ve mekanik özelliklerinin karakterizasyonu

    The investigation of microstructure and mechanical properties P91 and P92 steel pipes welded by TIG

    İSMAİL HAKKI KARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Metalurji MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ACARER

    DOÇ. DR. HAYRETTİN AHLATCI

  5. Geçirgen yüzeylerinden düzgün üfleme veya emme yapılan dikdörtgen kesitli model etrafındaki iki boyutlu türbülanslı akışın sayısal incelenmesi

    Numerical analysis of two dimensional turbulent flow around a porous rectangular cylinder with uniform injection or suction

    OSMAN TURAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Makine MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BURHAN ÇUHADAROĞLU