Geri Dön

H2 öntavlamalı Au/N-GaaS diyotlarda elektriksel karakteristiklerin Schottky metal kalınlığı ve sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi

Investigation of Schottky metal thickness and temperature dependent changes on the electrical characteristics of Au/N-GaaS diodes with H2 pre-anneal

PDF İndir

  1. Tez No: 177027
  2. Yazar: ÖMER GÜLLÜ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET BİBER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 144

Özet

Bu çalışmada yarıiletken teknolojisinde verimli bir şekilde kullanılabilecek nanometre kalınlıklı Au/n-GaAs Schottky diyotlara ait akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) gibi elektriksel karakteristikler numune sıcaklığına ve ısıl tavlama sıcaklığına bağlı olarak detaylı bir şekilde ele alındı. Diyotlarda meydana gelen taşıyıcı iletim mekanizması, tekli ve ikili Gauss dağılımı temelinde incelendi. Ayrıca sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilen diyot parametreleri üzerine, engel metali kalınlığının ve hidrojen ile yüzey hazırlamanın etkileri araştırıldı. Hidrojen ortamında yapılan tavlama işleminin metal-yarıiletken yüzeyini pasive ederek potansiyel engelinin düşmesine neden olduğu görüldü. Ayrıca, artan metal kalınlığının diyotların engel yüksekliğini ve idealite faktörünü azalttığı gözlemlendi. Bu durumun literatür (Jin et al. (1991); Yuan et al. (1993); Wang ve Ashok (1994); Jang ve Lee (2002); Chen ve Chou (2004); Forment et al. (2004)) ile iyi bir uyum sergilediği sonucuna varıldı. Ayrıca, sıcaklığa bağlı ters beslem C-V ölçümlerinden engel yüksekliği ve taşıyıcı konsantrasyonları hesaplandı. En son olarak, tüm diyotlar azot ortamında ısıl tavlama işlemine maruz bırakıldı. Burada hidrojenle önceden tavlanan diyotların genel olarak daha geç bozulduğu görüldü. Bu da üretilen diyotlarda hidrojen ile tavlama işleminin diyotun ısıl kararlılığını artırarak MESFET'lerde verimli bir şekilde kullanılabilirliğini ortaya koymaktadır.

Özet (Çeviri)

In this study, the electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes with nm metal thickness, such as current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V), have been investigated as a function of sample temperature and thermal annealing temperature. Transport mechanisms of the diodes have been handled on the basis of single/double Gaussian barrier distribution. Also, it has been looked into impact mechanisms and effects of barrier metal thickness and hydrogen annealing procedure on the temperature dependent diode parameters. Barrier heights of the diodes fabricated from the samples annealed in hydrogen atmosphere were smaller than those of reference diodes. This was attributed to the fact that hydrogen atoms passivated dangling bonds on metal-semiconductor interface. It was seen that this result was in good agreement with studies of Jin et al. (1991); Yuan et al. (1993); Wang ve Ashok (1994); Jang ve Lee (2002); Chen ve Chou (2004); Forment et al. (2004). In addition, barrier height and carrier doping concentration of the device were obtained from temperature dependent reverse bias C-V measurements. Finally, all devices were exposed to thermal annealing in nitrogen atmosphere. It was observed that hydrogen pre-annealed devices have longer lifetimes. This demonsrates that hydrogen pre-annealing procedure enhances the stability of the diode, and can be efficiently used in MESFETs.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    70886

    Rezinle güçlendirilmiş bir cam-iyonomer simanın in vitro ve in vivo olarak araştırılması

    In vitro and in vivo evaluation of a resin reinforced glassionomer cement

    METE ÖZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Diş HekimliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Ortodonti Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SELİM ARICI

  2. Tez No

    341142

    H2/H mixed robust controller synthesis for a fin actuation system

    Bir kanat tahrik sistemi için H2/H tümleşik gürbüz kontrolcü sentezi

    TUNCAY UĞURLU ÖLÇER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Makine MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. R. TUNA BALKAN

    PROF. DR. BÜLENT E. PLATİN

  3. Tez No

    657105

    H2 ayrımı için ZIF tabanlı MOF membranların hazırlanması ve karakterizasyonu

    Preparation and characterization of ZIF based MOF membranes for H2 separation

    EMİNE ŞİMAL MİRZA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Kimya MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BERNA TOPUZ

  4. Tez No

    497701

    Bisipital oluk morfolojisi ve biseps tendonu uzun başındaki farklılıkların biseps tendiniti üzerindeki etkileri

    The effects of bisipital groove morphology and long head of biceps tendon differences on biceps tendinitis

    ZAFER GÜNEŞ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Ortopedi ve TravmatolojiSağlık Bilimleri Üniversitesi

    Ortopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEM NURİ AKTEKİN

  5. Tez No

    610515

    Tiyofenli Schiff bazı türevlerinin DFT çalışması ve antimikrobiyal aktiviteleri

    DFT study and antimicrobial activities of Schiff bases derivates with thiophene

    ELA ESMER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NEVİN SÜLEYMANOĞLU

    DOÇ. DR. ŞAHİN DİREKEL

Geri Dön