Geri Dön

H2 öntavlamalı Au/N-GaaS diyotlarda elektriksel karakteristiklerin Schottky metal kalınlığı ve sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi

Investigation of Schottky metal thickness and temperature dependent changes on the electrical characteristics of Au/N-GaaS diodes with H2 pre-anneal

PDF İndir

  1. Tez No: 177027
  2. Yazar: ÖMER GÜLLÜ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET BİBER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 144

Özet

Bu çalışmada yarıiletken teknolojisinde verimli bir şekilde kullanılabilecek nanometre kalınlıklı Au/n-GaAs Schottky diyotlara ait akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) gibi elektriksel karakteristikler numune sıcaklığına ve ısıl tavlama sıcaklığına bağlı olarak detaylı bir şekilde ele alındı. Diyotlarda meydana gelen taşıyıcı iletim mekanizması, tekli ve ikili Gauss dağılımı temelinde incelendi. Ayrıca sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilen diyot parametreleri üzerine, engel metali kalınlığının ve hidrojen ile yüzey hazırlamanın etkileri araştırıldı. Hidrojen ortamında yapılan tavlama işleminin metal-yarıiletken yüzeyini pasive ederek potansiyel engelinin düşmesine neden olduğu görüldü. Ayrıca, artan metal kalınlığının diyotların engel yüksekliğini ve idealite faktörünü azalttığı gözlemlendi. Bu durumun literatür (Jin et al. (1991); Yuan et al. (1993); Wang ve Ashok (1994); Jang ve Lee (2002); Chen ve Chou (2004); Forment et al. (2004)) ile iyi bir uyum sergilediği sonucuna varıldı. Ayrıca, sıcaklığa bağlı ters beslem C-V ölçümlerinden engel yüksekliği ve taşıyıcı konsantrasyonları hesaplandı. En son olarak, tüm diyotlar azot ortamında ısıl tavlama işlemine maruz bırakıldı. Burada hidrojenle önceden tavlanan diyotların genel olarak daha geç bozulduğu görüldü. Bu da üretilen diyotlarda hidrojen ile tavlama işleminin diyotun ısıl kararlılığını artırarak MESFET'lerde verimli bir şekilde kullanılabilirliğini ortaya koymaktadır.

Özet (Çeviri)

In this study, the electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes with nm metal thickness, such as current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V), have been investigated as a function of sample temperature and thermal annealing temperature. Transport mechanisms of the diodes have been handled on the basis of single/double Gaussian barrier distribution. Also, it has been looked into impact mechanisms and effects of barrier metal thickness and hydrogen annealing procedure on the temperature dependent diode parameters. Barrier heights of the diodes fabricated from the samples annealed in hydrogen atmosphere were smaller than those of reference diodes. This was attributed to the fact that hydrogen atoms passivated dangling bonds on metal-semiconductor interface. It was seen that this result was in good agreement with studies of Jin et al. (1991); Yuan et al. (1993); Wang ve Ashok (1994); Jang ve Lee (2002); Chen ve Chou (2004); Forment et al. (2004). In addition, barrier height and carrier doping concentration of the device were obtained from temperature dependent reverse bias C-V measurements. Finally, all devices were exposed to thermal annealing in nitrogen atmosphere. It was observed that hydrogen pre-annealed devices have longer lifetimes. This demonsrates that hydrogen pre-annealing procedure enhances the stability of the diode, and can be efficiently used in MESFETs.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    419542

    İstatistiksel proses kontrolü ve bir flotasyon tesisine uygulanması

    Statistical process control and application to a flotation plant

    NURİYE GÖKMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Maden Mühendisliği ve MadencilikNiğde Üniversitesi

    Maden Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. METİN UÇURUM

  2. Tez No

    882632

    H2-reseptör antagonisti guanidin yapılı ilaçlarda etken madde tayini için potansiyometrik sensör geliştirilmesi, ülser ve mide koruyucu ilaç formülasyonlarında uygulanabilirliğinin araştırılması

    Development of a potentiometric sensor for determination of active substance in h2-receptor antagonist guanidine structured drugs, investigation of its applicability in ulcer and gastric protective drug formulations

    RABİA RANA YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    BiyomühendislikSamsun Üniversitesi

    Biyomedikal Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CİHAN TOPCU

  3. Tez No

    884358

    Yeni güvenlik yaklaşımları bağlamında Venezuela ve İran'ın enerji güvenliği politikaları

    Energy security policies of Venezuela and Iran in the context of new security

    BAYRAM ALİ ÇETİNKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiKastamonu Üniversitesi

    Uluslararası İlişkiler Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ELŞAN İZZETGİL

  4. Tez No

    247065

    Sezaryen operasyonlarında levobupivakain-fentanil ve bupivakain-fentanil ile uygulanan spinal anestezi yöntemlerinin karşılaştırılması

    Comparision of spinal anesthesia with hyperbaric bupivacaine-fentanyl and levobupivacaine-fentanyl for caesarean section.

    CİHAN KARAKAŞ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Anestezi ve ReanimasyonPamukkale Üniversitesi

    Anesteziyoloji ve Reanimasyon Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HABİP ATALAY

  5. Tez No

    252517

    Tetrakloroetenin hidrojene dayalı membran biyofilm reaktörü ile arıtılabilirlik çalışması

    Studies biyodegradability of tetrachloroetylene by hydrogen-based membrane biofilm reactor

    GAMZE ERŞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    İnşaat MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖZER ÇINAR

    PROF. DR. HALİL HASAR

Geri Dön