Geri Dön

Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması

y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode

  1. Tez No: 299981
  2. Yazar: SERHAT GÜLOĞLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky bariyer, Schottky diyot, y-ışın radyasyonu, Seri direnç, Schottky barriers, Schottky diodes, y-ray irradiation, Series resistance
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 50

Özet

Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 ?m kalınlıklı ve direnci 5-10 ?cm arasında olan p-tipi Silisyum yarıiletken kristali kullanıldı. Amacımız Metal/Yarıiletken (MS) Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımını belirlemek ve deneysel etkin engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki lineer ilişkinin nedenlerini araştırmaktır.Silisyum, Al/p-Si Schottky diyotun fabrikasyondan önce oda sıcaklığında 60Co ?-ışın radyasyonu altında ışınlandı. Diyotun karakteristik parametreleri olan akım-gerilim (I-V) ölçümleri radyasyon öncesinde ve sonrasında belirlenmiştir. ?-ışın radyasyonu üzerinde Al/p-Si hala bir düzeltme davranışı olduğu görülmüştür. ?-ışın radyasyonu Al/p-Si Schottky diyotun idealite faktörü ve engel yüksekliği elektriksel parametreleri üzerinde büyük bir etki göstermiştir. Ayrıca arayüzey durum yoğunluğu ışınlamadan sonra artmıştır.MS p-tipi Si'dan yapılan diyotlarda, seri direnç hesaba katılmadan elde edilen N_ss arayüzey durum yoğunluğunun, seri direnç hesaba katılarak elde edilen N_ss'den daha büyük bir değere sahip olduğu görüldü. Diyotların seri direnç değerleri dikkate alınarak hesaplama yapıldığında, Al/p-Si MS Schottky diyotların N_ss değerlerinin yasaklanmış enerji aralığının ortasından valans bandın tepesine doğru üstel olarak arttığı görüldü.

Özet (Çeviri)

In this study, we have used p-Si with (100) orientation, 400 ?m thickness and resistivity 5-10 ?cm. Our purpose is experimentally to investigate the characteristic parameters and the interface state density distribution of metal/semiconductor (MS) Al/p-Si contacts. Therefore, it has also been exampled the reason of the linear relationship between effective barrier heights and ideality factors.The Si was irradiated under 60Co ?-ray irradiation at room temperature before the fabrication of Al/p-Si Schottky diode. Characteristic parameters of the diode were determined from its current-voltage (I-V) measurements before and after irradiation. It was seen that Al/p-Si with ?--ray irradiation has still a rectification behavior. ?--ray irradiation has shown a big effect on electrical parameters of Al/p-Si Schottky diode with higher values of ideality factor and barrier height. Furthermore interface state density increased after irradiation.The N_ss values obtained taking into account the series resistance values are lower than those obtained without considering the series resistance. After considering the series resistance value in the calculation related to the interface state density distribution (ISDD), an exponential rise of the interface state density for the MS Al/p-Si contact from midgap towards the top of valence bands.

Benzer Tezler

  1. Al/Bi4Ti3O12/p-Si schottky bariyer diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependent electrical characterization of Al/Bi4Ti3O12/p-Si schottky barrier diodes

    MERT YILDIRIM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ

    DOÇ. DR. MUHARREM GÖKÇEN

  2. DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

    Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties

    NURAY URGUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Mekatronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN

  3. Hibrit PDCTI-C8/p-Si organik-inorganik heteroeklem diyotun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu

    Production and electrical characterization of PTCDI-C8/P-Si hybrid organic/inorganic heterojunction diode

    MURAT ERDAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ CİHAT ÖZAYDIN

  4. Al/TiO2/p-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri

    Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al/TiO2/P-Si schottky diodes

    SEFA BURAK KAYA AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBozok Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. HATİCE KANBUR ÇAVUŞ

  5. Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Electrical and optical properties of Al/SnO2/p-Si mis diode

    ASLI AYTEN TAYŞİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE