Geri Dön

CdO: F filmlerinin üretimi ve karakterizasyonu

Production and characterization of CdO: F films

  1. Tez No: 266370
  2. Yazar: ELİF KETENCİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. FERHUNDE ATAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: X ışını kırınımı, Yarı iletken ince filmler, Yarı iletkenler, Yarı iletkenlik, X ray diffraction, Semiconductor thin films, Semiconductors, Semiconductivity
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada II-VI grup ikili bileşiklerinden olan CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 300 ±5°C taban sıcaklığında üretilmiştir ve CdO yarıiletken filmlerinin fiziksel özelliklerine Flor elementi katkısının (%1, %2, %3, %4, %5) etkisi araştırılmıştır. CdO:F filmlerinin spektroskopik elipsometri ölçümlerinden kalınlıkları belirlenmiş ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılma indisi) saptanmıştır. Elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenleri incelendiğinde tüm filmlerin polikristal yapıda oluştuğu ve %1 F katkı oranının yapısal özellikleri iyileştirmek açısından en iyi katkı oranı olduğu sonucuna ulaşılmıştır. CdO:F yarıiletken filmlerinin optik özellikleri incelenmiş, direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmış ve ayrıca 2.40eV-2.56eV arasında yasak enerji araklıklarına sahip oldukları belirlenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile filmlerin üç boyutlu yüzey topografileri ve faz görüntüleri alınmıştır. Bu görüntülerden taneli yapılanmanın varlığı dikkati çekmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla iki uç metodu kullanılmıştır. Bunun sonucunda %1 oranında F katkısının en yüksek iletkenlik değerini verdiği gözlenmiştir. Tüm sonuçlar opto elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneş pili uygulamaları açısından değerlendirilmiş ve F katkısının her bir fiziksel özellik üzerinde önemli bir etki yarattığı belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this work, CdO films which belong to II-VI group binary compounds have been produced by Ultrasonic spray pyrolysis (USP) technique at the substrate temperature of 300±5°C and the effect of F doping (at 1%, 2%, 3%, 4% and 5 %) on the physical properties of CdO semiconductor films has been investigated. Thicknesses and some optical parameters such as refractive index and extinction coefficient have been determined by spectroscopic ellipsometry. X-ray diffraction studies showed that all of the films have polycrystalline structure and F doping at 1 % made the best improvement in point of view of the structural properties. Optical properties have been investigated and CdO:F films were found to have direct band structure with band gap values between 2.40eV and 2.56eV. Three dimensional surface topography and phase images of the films have been taken by atomic force microscope (AFM). Existence of a granular structure on the surface has been noticed. Two probe method has been used to determine the electrical conductivity and resistivity values of the films. It has been seen that electrical conductivity values are high for F doping at 1 %. All of the results have been appreciated in point of view of optoelectronic industry and photovoltaic solar cell applications and it has been concluded that F doping has a noticeable affect on each physical property.

Benzer Tezler

  1. Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications

    P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları

    FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

    PROF. DR. MUSTAFA ALTUN

  2. İki bileşenli metal oksit nanomalzemelerinin morfolojik ve elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu

    Characterization of morphological and electrical properties of two-component metal oxide nanomaterials

    BÜŞRA İNCE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Metalurji MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TÜLAY YILDIZ

  3. Cds, Cdo ve Zno yarıiletken nanoyapılarının boyut kontrollü üretimi ve karakterizasyonu

    The characterization and the size controlled production of Cds, Cdo and Zno semiconductor nanostructures

    NİLGÜN ORHAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M.CELALETTİN BAYKUL

  4. Production and characteriztion of (CdZnS: Cu) nanomaterial for x-ray photon detection

    X-ışını fotonu algılamak iҫin (CdZnS: Cu) nanomalzemelerin üretimi ve karakterızasyonu

    AHMED ABDULHASAN HUSSEIN ZARKOOSHI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KALELİ

  5. Sol jel metodu ile ZnO-Cdo nanomalzemelerin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of ZnO-Cdo nanomaterials by sol-gel method

    HASAN KATI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERMİN OZAN