Metal-yarıiletken Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical characteristics of metal-semiconductor Schottky diodes
- Tez No: 268087
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 90
Özet
Bu çalışmada, Au/n-GaAs metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotların frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ve sıcaklığa bağlı akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 1 kHz-1 MHz frekans ve 300-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği ( ? Bo) ve arayüzey durum yoğunlukları (Nss) gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Ayrıca, ? Bo-q/2kT grafiğinden ortalama engel yüksekliği ( Bo) ve standart sapma ( ? s) değerleri sırasıyla 0.912 eV ve 0.132 V olarak elde edildi. Böylece, modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden, ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla, 0.914 eV ve 8.317 Acm-2K-2 olarak elde edildi.
Özet (Çeviri)
In this study, the frequency dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) and the temperature dependent current-voltage (I-V) characteristics of the Au/n-GaAs metal-semiconductor (MS) Schottky diodes were investigated in the frequency and temperature ranges of 1 kHz-1 MHz and 300-400 K, respectively. According to thermionic emission (TE) theory, the electrical parameters as the ideality factor (n), zero bias barrier height ( ? Bo) and interface state density (Nss) of these diodes were calculated from their experimental I-V measurements. Also, from ? Bo versus q/2kT plot was obtained the values of the mean barrier height and standard deviation at zero bias as 0.912 eV and 0.132 V for, respectively, Thus, from the modified [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2] versus q/kT plot was obtained the values of and A* as 0.914 eV and 8.317 Acm-2K-2, respectively.
Benzer Tezler
- Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures
DİLBER ESRA YILDIZ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Cr/Si Schottky eklemlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Electrical properties of Cr/Si Schottky diodes
AYŞE EVRİM BULGURCUOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Metal/GaN kontakların yapımı ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler
Fabrication of Metal/GaN contacts and the temperature-dependent electrical measurements
LEYLA ESMER
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Elektron demet ile ışınlanmış Alq3 arayüzey tabakalı metal/yarıiletken diyotların hazırlanması ve ışınlamanın aygıt performansına etkilerinin incelenmesi
Preperation of metal/semiconductor diodes with electron beam irradiated Alq3 interfacial layer and investigation of irradiation effect on device performance
MURAT DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ UMUT AYDEMİR