Geri Dön

Metal-yarıiletken Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical characteristics of metal-semiconductor Schottky diodes

  1. Tez No: 268087
  2. Yazar: İDRİS KAYA
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 90

Özet

Bu çalışmada, Au/n-GaAs metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotların frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ve sıcaklığa bağlı akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 1 kHz-1 MHz frekans ve 300-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği ( ? Bo) ve arayüzey durum yoğunlukları (Nss) gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Ayrıca, ? Bo-q/2kT grafiğinden ortalama engel yüksekliği ( Bo) ve standart sapma ( ? s) değerleri sırasıyla 0.912 eV ve 0.132 V olarak elde edildi. Böylece, modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden, ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla, 0.914 eV ve 8.317 Acm-2K-2 olarak elde edildi.

Özet (Çeviri)

In this study, the frequency dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) and the temperature dependent current-voltage (I-V) characteristics of the Au/n-GaAs metal-semiconductor (MS) Schottky diodes were investigated in the frequency and temperature ranges of 1 kHz-1 MHz and 300-400 K, respectively. According to thermionic emission (TE) theory, the electrical parameters as the ideality factor (n), zero bias barrier height ( ? Bo) and interface state density (Nss) of these diodes were calculated from their experimental I-V measurements. Also, from ? Bo versus q/2kT plot was obtained the values of the mean barrier height and standard deviation at zero bias as 0.912 eV and 0.132 V for, respectively, Thus, from the modified [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2] versus q/kT plot was obtained the values of and A* as 0.914 eV and 8.317 Acm-2K-2, respectively.

Benzer Tezler

  1. Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

    DİLBER ESRA YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures

    FATİH YİĞİTEROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ

  3. Cr/Si Schottky eklemlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Electrical properties of Cr/Si Schottky diodes

    AYŞE EVRİM BULGURCUOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  4. Metal/GaN kontakların yapımı ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler

    Fabrication of Metal/GaN contacts and the temperature-dependent electrical measurements

    LEYLA ESMER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ

  5. Elektron demet ile ışınlanmış Alq3 arayüzey tabakalı metal/yarıiletken diyotların hazırlanması ve ışınlamanın aygıt performansına etkilerinin incelenmesi

    Preperation of metal/semiconductor diodes with electron beam irradiated Alq3 interfacial layer and investigation of irradiation effect on device performance

    MURAT DURMUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ UMUT AYDEMİR