MIS yapıların dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of dielectric properties of MIS structures
- Tez No: 268086
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 80
Özet
Au/SnO2/n-Si (MIS) yapıların; dielektrik sabiti ( ? '), dielektrik kayıp ( ?“), dielektrik kayıp açısı (tan ? ), ac elektrik iletkenlik ( ? ac), reel ve imajiner elektrik modülü ( ? ' and ? ”) gibi dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklık bağımlılığı, 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri kullanılarak araştırıldı. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin güçlü bir şekilde frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. ?' ve ?'' artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac elektriksel iletkenlik (sac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Arayüzey kutuplanması düşük frekanslarda daha kolay gerçekleşebilmekte ve yarıiletken/yalıtkan arayüzeyinde arayüzey durum yoğunluğu sayısı, MIS yapının dielektrik özelliklerinin iyileştirilmesine katkı sağlamaktadır.Anahtar Kelimeler : MIS yapılar; Dielektrik özellikler; Frekans ve sıcaklığa bağlılık; Elektriksel iletkenlik
Özet (Çeviri)
The frequency and temperature dependence of dielectric properties such as dielectric constant ( ? '), dielectric loss ( ?“), dielectric loss tangent (tan ? ), ac electrical conductivity ( ?? c), real and imaginary part of electric modulus ( ? ' and M”) of the Au/SnO2/n-Si (MIS) structures have been investigated in the frequency range of 100 Hz-1 MHz and temperature range of 100-400 K by using experimental capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. Experimental results show that both electrical and dielectric parameters were strongly frequency and temperature dependent. The ?' and ?'' were decreasing with increasing frequency while increasing with increasing temperature. Also, the ac electrical conductivity increases both with increasing frequency and with increasing temperature. The interfacial polarization can be more easily occurred at low frequencies, and the number of interface states density between semiconductor/insulator interfaces, consequently, contributes to the improvement of dielectric properties of MIS structure.Key Words : MIS structures; Dielectric properties; Frequency andtemperature dependence; Electrical conductivity
Benzer Tezler
- Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları
The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses
ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures
TUĞÇE ATASEVEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties
NURAY URGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mekatronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN
- Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties
NESLİHAN DELEN
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY