MIS yapıların dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of dielectric properties of MIS structures
- Tez No: 268086
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 80
Özet
Au/SnO2/n-Si (MIS) yapıların; dielektrik sabiti ( ? '), dielektrik kayıp ( ?“), dielektrik kayıp açısı (tan ? ), ac elektrik iletkenlik ( ? ac), reel ve imajiner elektrik modülü ( ? ' and ? ”) gibi dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklık bağımlılığı, 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri kullanılarak araştırıldı. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin güçlü bir şekilde frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. ?' ve ?'' artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac elektriksel iletkenlik (sac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Arayüzey kutuplanması düşük frekanslarda daha kolay gerçekleşebilmekte ve yarıiletken/yalıtkan arayüzeyinde arayüzey durum yoğunluğu sayısı, MIS yapının dielektrik özelliklerinin iyileştirilmesine katkı sağlamaktadır.Anahtar Kelimeler : MIS yapılar; Dielektrik özellikler; Frekans ve sıcaklığa bağlılık; Elektriksel iletkenlik
Özet (Çeviri)
The frequency and temperature dependence of dielectric properties such as dielectric constant ( ? '), dielectric loss ( ?“), dielectric loss tangent (tan ? ), ac electrical conductivity ( ?? c), real and imaginary part of electric modulus ( ? ' and M”) of the Au/SnO2/n-Si (MIS) structures have been investigated in the frequency range of 100 Hz-1 MHz and temperature range of 100-400 K by using experimental capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. Experimental results show that both electrical and dielectric parameters were strongly frequency and temperature dependent. The ?' and ?'' were decreasing with increasing frequency while increasing with increasing temperature. Also, the ac electrical conductivity increases both with increasing frequency and with increasing temperature. The interfacial polarization can be more easily occurred at low frequencies, and the number of interface states density between semiconductor/insulator interfaces, consequently, contributes to the improvement of dielectric properties of MIS structure.Key Words : MIS structures; Dielectric properties; Frequency andtemperature dependence; Electrical conductivity
Benzer Tezler
- The verbal functional domain in the Denizli dialect of Turkish
Türkçe'nin Denizli ağzı'ndaki işlevsel eylem bölgesi
YAĞMUR SAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
DilbilimBoğaziçi ÜniversitesiDilbilim Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE HAMİDE ASLI GÖKSEL
- MEB ortaöğretim dil ve anlatım ders kitaplarındaki basit zaman çekimli fiillerde zaman ve görünüş
Tense and aspeckt in verbs of simple tenses in MEB secondary school language and expressions textbooks
İSMAİL BAĞÇEVAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
DilbilimPamukkale ÜniversitesiTürk Dili ve Edebiyatı Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KERİM DEMİRCİ
- Electrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/N-Si MIS contact
Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu
MASOUD GIYATHADDIN OBAID
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Modüllerin idealleştirilmesi
Idealization of modules
TUĞBA ARKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
MatematikYıldız Teknik ÜniversitesiMatematik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KÜRŞAT HAKAN ORAL
- SIP ye sahip modül ailelerinin genellemeleri üzerine
On generalizations of modules which have the SIP
ÖZGÜR TAŞDEMİR