Geri Dön

Gan yarıiletkeninde kusurlar ve kusurların etkisi: yoğunluk fonksiyoneli teorisi (YFT) hesaplamaları

The effect of defects and defects in gan semiconuctor:density functional theory (DFT) calculation

  1. Tez No: 268158
  2. Yazar: ZÜHAL KESİCİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT KUTLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

Bu tezde, boşluk ve katkı atomları içeren zinck- blend GaN yarıiletkenin yapısal ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyon teorisi (YFT) hesaplamaları yapılarak belirlendi. Boşluk ve katkı konsantrasyonu ile GaN da yasak enerji aralığı ve durum yoğunluğu değişimleri YFT'yi temel alan CASTEP paket programı kullanılarak hesaplandı. Simülasyonlarda Perdew, Burke ve Ernzerhof (PBE) tarafından verilen Exchange (değiş tokuş) korelasyon fonksiyonları genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GEY) kullanıldı. Elektron-iyon etkileşmeleri için ultrasoft sözde potansiyel seçildi. Simülasyonlar sonuçunda boşluk, Mg ve Ge safsızlıkları atomları için yasak enerji aralığının değiştiği görüldü. Diğer taraftan Mg ve Ge konsantrasyonları için yasak enerji aralığı ve örgü parametresinin değişimlerini tanımlayan bowing parametreleri elde edildi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, we predict the structural end electronic properties of GaN (zinc-blend) semi conductor including vacancy and impurity atoms by first principle density functinal theory (DFT) calculations. The band gap and density of state variation with concentrations of impurity and vacancy in GaN are performed using the CASTEP program package which is DFT code, operating in a plane- wave basis set in the simulations, the generalized gradient appraximation (GGA) is used with the excharge correlation potential by Perdew and Burke and Ernzerhof (PBE). The electron-ion interaction was considered in the ultrasoft pseudopotential. I was found that band gap modifications occur for vacancy, Mg and Ge impurity atoms. In the other hand, the bowing parameters which was determining the variations of band gap and lattice parameter for the Mg and Ge concentrations are estimated.

Benzer Tezler

  1. Mn katkılanmış ınn ince filminin manyetik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of magnetic properties of Mn doped inn thin film

    MERVE ERTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN

  2. A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission

    GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi

    MURAT ODUNCUOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL

  3. GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi

    Electron transport in GaN

    ABDULLAH YILDIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP

  4. Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör

    Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain

    FAHRETTİN SARCAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  5. Simulation of betavoltaic batteries with geant4

    Betavoltaik pillerin geant4 programı ile benzetimi

    BERRİN CANKILIÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ATİLLA REYHANCAN