GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi
Electron transport in GaN
- Tez No: 155886
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
GaN YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Abdullah YILDIZ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ocak 2004 ÖZET Bu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütme yöntemi ile SiN üzerine büyütülen n tipi GaN yarıiletkeninin elektron iletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-345 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hail Mobilitesi, ISBE ve iki bant modeli kullanılarak analiz edildi. Hail taşıyıcı yoğunluğu ise iki bant ve Wolfe-Stillman modelleri kullanılarak analiz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisi tahmin edildi. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler : GaN, elektron iletimi, Hail Mobilitesi, ISBE Sayfa Adedi : 55 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP
Özet (Çeviri)
ELECTRON TRANSPORT IN GaN (M.Sc. Thesis) Abdullah YILDIZ GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY JANUARY 2004 ABSTRACT In this work, electron transport properties in n type GaN semiconductor grown on SiN/AI203 by MOVPE crystal growth technique have been investigated. Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at the temperature range 15-345K. Hall mobility has been analysed using ISBE and two band model. Hall carrier concentration has been analysed by using the two band and Wolfe-Stillman models. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activation energy were also estimated experimentally. Science Code Keywords : GaN, Electron tranport, Hall mobility, ISBEPage Number : 55 Adviser : Ass. Prof. Mehmet KASAP
Benzer Tezler
- Structural and electronic properties of monolayer and multilayer gallium nitride crystals
Tek ve çok atomik katman galyum nitrür kristalinin yapısal ve elektronik özellikleri
ABDULLATİF ÖNEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ENGİN DURGUN
- GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi
Optical properties of GaN thin films semiconductor investigated by photoluminescence technique
SANCAR CEBE
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- GaN Yarıiletken Bileşiğinde Taşınım Özelliklerinin Monte Carlo Simülasyonu ile Belirlenmesi
Monte Carlo Study of Transport Properties in GaN
FATİH ERKAN ÇEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
- In katkılanmış GaN yarıiletken bileşiğinin fiziksel özelliklerinin iteratif yöntemle belirlenmesi
Determination od physical properties of In doped GaN semiconductor compound by iterative method
HURİYE SENEM AYDOĞDU
- Fotonik ve metamateryal yapıların fotovoltaikteki uygulamaları
The applications of photonic and metamaterial structures in photovoltaics
SEDA PALABIYIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALUK ŞAFAK