Investigation of structural, electrical and optical properties of Cu1-XAgXInSe2thin films as a function of x content
Cu1-XAgXInSe2 ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin x içeriğinin bir fonksiyonu olarak incelenmesi
- Tez No: 269040
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 122
Özet
Bu çalışmada, CuInSe2 bileşiğinde gümüş (Ag) katkısının ve bu elementin bakır (Cu) ile yer değişimi etkilerinin incelenmesi için Cu1-xAgxInSe2 dört elementli bileşiği üzerine yoğunlaşılacaktır. Bu bileşik, yapı olarak üç elementli yarıiletken kalkopirit CuInSe2 ve AgInSe2 bileşiklerinin arasında yer almaktadır. Bu bileşikler aygıt üretiminde önemli bir faktör olan yüksek soğurma katsayıları, sırasıyla ~1.05 ve ~1.24 eV olan doğrudan bant aralıkları ve havadaki mükemmel termal kararlılıkları sayesinde fotovoltaik hücrelerde en yaygın kullanılan malzemelerdendirler. Dört elementli bileşik olmasıyla Cu1-xAgxInSe2, komposizyonuna bağlı olarak yasak enerji aralığı gibi özelliklerinde büyük çeşitlilik göstereceği ve bu özelliklerinin kullanım için uygun hale getirilebilineceği beklenmektedir. Ayrıca Cu1-xAgxInSe2 kristal yapısında, x değerinin (Ag içeriği) değişimi ile tavlamaya bağlı olarak yapıdaki Ag davranışı ve Cu boşluklarına Ag geçişinin etkileri analiz edilecektir.Kristal, yapısal olarak X-ışını kırınımı ile karakterize edilecektir. Bu yöntem, kristallik yapısını tanımlamak, kristal kusursuzluğunun ve bileşime bağlı olarak kafes (lattice) parametrelerinin belirlenmesi için kullanılacaktır. EDXA'lı taramalı elektron mikroskobu kullanılarak filmlerin yüzey özellikleri ve içeriği incelenecektir. Sıcaklık bağımlı elektriksel iletkenlik ve Hall etkisi ölçümleri ile elde edilen taşıyıcı konsantrasyonları ve mobilitesini içeren elektriksel özellikler, soğurma katsayısı, fotoiletkenlik, tayfsal geçirgenlik ve yasak enerji aralığını içeren optiksel özellikler belirlenerek elektron demeti buharlaştırma tekniği ile büyütülmüş Cu1-xAgxInSe2 ince filmleri karakterize edilecektir.
Özet (Çeviri)
In this work, we will focus on the quaternary system Cu1-xAgxInSe2 (CAIS) to investigate the effects of silver (Ag) contribution and exchange with copper (Cu) in CuInSe2. This system is located between the ternary semiconducting chalcopyrite compounds CuInSe2 and AgInSe2. These are two most popular materials applied in photovoltaic cells because of their high optical absorption coefficient, which is an important factor for the manufacture of devices, direct energy gap with values Eg ~1.05 and 1.24 eV, respectively, and excellent thermal stabilities in air. As being a quaternary alloy, we expect that Cu1-xAgxInSe2 will show the advantage of a large degree of variation of their properties as a function of the composition, which allows adjusting of the band gap and other properties. We will analyze the behavior of Ag in the structure depending on the annealing and the effects of the Ag exchange to the Cu vacancies in this crystal structure by changing x (Ag content).The crystals will be characterized structurally by X-ray diffraction (XRD). It will be used to prove crystallinity, determine perfection and lattice parameters depending on composition. Surface morphology and stoichiometry will be examined using scanning electron microscope (SEM) equipped with EDXA. Moreover, electrical properties including the temperature dependent electrical conductivity, and carrier concentrations and mobility extracted from Hall effect measurements, and, optical properties including absorption coefficient, photoconductivity, spectral transmission, and optical band gap have been determined to characterize Cu1-xAgxInSe2 thin films deposited using e-beam evaporation technique.
Benzer Tezler
- Investigation of structural, morphological, andoptical properties of Cu-Sn doped ZnO films by silar method
Sılar yöntemiyle Cu-Sn katkılı ZnO filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi
BERKAN HAFIZOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA
- Güneş pili uygulamaları için ultrasonik kimyasal püskürtme yöntemiyle CuxS ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu
Characterization and fabrication of CuxS thin films by ultrasonic spray pyrolysis method for solar cell applications
YUNUS EMRE FIRAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET PEKSÖZ
- CuGaTe2 ince filmlerinin yapısal elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of CuGaTe2 thin films
YUNUS KAMAC
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KORAY YILMAZ
- CuGaSe2 ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of CuGaSe2 thin films
H. MELTEM CEYLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KORAY YILMAZ
- Co katkılı TlGaS2 kristalinin yapısal, elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of Co doped TlGaS2 crystal
BEKİR BOZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN KARABULUT