Geri Dön

Sn/p-Si metal-yarıiletken yapıların oda sıcaklığında akım-voltaj ve kapasitans-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi

Sn/p-Si metal-semiconductor structures at room temparature current-voltage and capacitance-voltage charocteristics of the study

PDF İndir

  1. Tez No: 269213
  2. Yazar: MEHMET DEMİRCİOĞLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 67

Özet

Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 200 mm kalınlıklı ve özdirenci 5?10 ?-cm olan Bor katkılı p-tipi Si kristali kullanıldı. Metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotunun deneysel akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve iletkenlik-voltaj-frekans (G/w-V-f) ölçümlerinden faydalanılarak diyodun idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri oda sıcaklığında incelendi. MS yapıların en önemli fiziksel parametreleri olan engel yüksekliği (?b), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) değerlerini hesaplamak için bilinen geleneksel metot, akım voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristiklerini kullanmaktır. Sn/p-Si Schotty diyotun doyum akımı I0=2,67x10-9 A, sıfır beslem engel yüksekliğ(?b), 0,79 eV, idealite faktörü (n) 1.21 olarak elde edildi. Seri direnç (Rs) değerleri ise Cheung ve Norde fonksiyonlarının yardımıyla H(I)-I, dV/dln(I)-I ve F(V)-V eğrilerinden sırası ile 36.28 ?, 30.28 ? ve 23.28 ? olarak bulundu. Kapasitans-voltaj karakteristiklerinden elde edilen engel yüksekliği akım-voltaj karakteristiklerinden elde edilen engel yüksekliğinden daha büyük olarak buundu. Akım-voltaj ve kapasitans voltaj ölçümlerinden elde edilen engel yükseklikleri arasındaki fark metal-yarıiletken ara yüzeyindeki inhomojenlikten ileri gelmektedir. Norde fonksiyonundan elde edilen engel yüksekliği ve seri direnç değeri Cheung fonksiyonundan elde edilen değerler ile karşılaştırıldı. Ayrıca, akım-voltaj karakteristiklerinden ara yüzey durumları enerjinin bir fonksiyonu olarak elde edildi.

Özet (Çeviri)

In this study, we have used p-Si wafers with (100) orientation, 200mm thickness and resistivity betwen 5-10 ?-cm. The basic electrical parameters such as the ideality factor (n), potential barrier height (?b) and diode series resistance (Rs) from experimental measurements the current-voltage (I-V), capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage frequency (G/w-V-f) of metal-semiconductor (MS) Sn/p-Si Schottky diode were studied at room temperature. The experimental characteristics of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) methods are usually used to find the most important physical properties of Schottky diodes such as barrier height (?b) ideality factor (n) and series resistance (Rs). For Sn/p-Si Schottky diode, the main diode parameters such as saturation current I0=2,67x10-9 A, ideality factor, barrier height obtained as 1.21 and 0,79 eV The values of series resistance obtained from Cheung and Norde methods were found as 36.28 ?, 30.28 ?, and 23.78 ? respectively. The barrier height obtained from C?V measurement is higher than obtained from I?V measurement and this discrepancy can be explained by introducing a spatial distribution of barrier heights due to barrier height inhomogeneities, which are available at the nanostructure Sn/p-Si interface. Furthermore, the energy distribution of interface state density was determined from the forward bias I?V characteristics by taking into account the bias dependence of the effective barrier height.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    493750

    Sn/p-Si metal yarı iletken Schottky yapıların elektriksel karakteristiklerinin radyasyon ve sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Investigation dependence of temperature and irradiation of the electrical characterizations of Sn/p-Si Schottky diode

    MEHMET EMİN FIRAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  2. Tez No

    23111

    P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması

    The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type

    ABDULKADİR DARTICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  3. Tez No

    131578

    Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure

    GÜVEN ÇANKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NAZIM UÇAR

  4. Tez No

    173686

    Germanyum ve silisyum 'dan yapılmış metal-yarıiletken metal yapılarında azınlık taşıyıcılarının elektriksel iletkenliğe etkisi

    Başlık çevirisi yok

    NECMİ SERİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1977

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    DOÇ.DR. UĞUR BÜGET

  5. Tez No

    284431

    Sn/p-Si metal- yarıiletken yapıların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Sn/p-Si semiconductor structures inventigation of the electrical and dielectric properties based temperature

    ZEKERİYA KARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

Geri Dön