Geri Dön

Sn/p-Si metal- yarıiletken yapıların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

Sn/p-Si semiconductor structures inventigation of the electrical and dielectric properties based temperature

  1. Tez No: 284431
  2. Yazar: ZEKERİYA KARA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 61

Özet

Bu çalışmada (100) yönelimine sahip 5-10 ?-cm özdirençli, 200 mm kalınlıklı Bor katkılı p-tipi silisyum kristal kullanılarak metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotları hazırlandı. Hazırlanan Schottky diyotunun deneysel akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümlerinden faydalanılarak diyodun idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri 80-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel olarak elde ettiğimiz I-V datalarından faydalanarak, sıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (?b) artış ve idealite faktöründe (n) bir azalma olduğu gözlendi. Kapasitans-voltaj karakteristiklerinden elde edilen engel yüksekliği akım- voltaj engel yüksekliğinden daha büyük olarak bulundu. Akım-voltaj ve kapasitans-voltaj ölçümlerinden elde edilen engel yüksekleri arasındaki fark metal-yarıiletken ara yüzeyindeki homejensizlikten ileri gelmektedir. MS yapı için dielektrik sabiti , dielektrik kayıp ve dielektrik kayıp açı C-V ve G/w-V ölçümlerinden faydalanarak hesaplandı. Dielektrik parametreler sıcaklıklığa bağlı olarak değişmektedir.

Özet (Çeviri)

In this work, metal-semiconductor (MS) Sn/p-Si Schottky diode was prepared by using p-type (Boron doped) singlecrystal silicon. The basic electrical parameters such as the ideality factor (n), potential barrier height (?b) and diode series resistance (Rs) from experimental measurements the current-voltage (I-V) and capacitancevoltage (C-V) of prepared metal-semiconductor (MS) Sn/p-Si Schottky diode having a resistivity of 5-10 ?-cm, the thickness 200 mm and the (100) direction were studied in the temperature range 80-400 K. The evaluation of the experimental I-V data reveals an increase of the zero bias barrier height and a decrease of the ideality factor (n) with increasing temperature. The barrier height obtained from C-V measurement is higher than obtained from I-V measurement. This discrepancy can be explained by introducing a spatial distribution of barrier height due to barrier height inhomogeneities, which are available at the nanostructure Sn/p-Si interface dielectric constant, dielectric loss and dielectric loss tangent for MS structure calculated from C-V and G/w-V measurements. Dielectric parameters changes with temparature.

Benzer Tezler

  1. Sn/p-Si metal-yarıiletken yapıların oda sıcaklığında akım-voltaj ve kapasitans-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi

    Sn/p-Si metal-semiconductor structures at room temparature current-voltage and capacitance-voltage charocteristics of the study

    MEHMET DEMİRCİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  2. Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure

    GÜVEN ÇANKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NAZIM UÇAR

  3. Sn/p-Si metal yarı iletken Schottky yapıların elektriksel karakteristiklerinin radyasyon ve sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Investigation dependence of temperature and irradiation of the electrical characterizations of Sn/p-Si Schottky diode

    MEHMET EMİN FIRAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  4. P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması

    The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type

    ABDULKADİR DARTICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN