Sn/p-Si metal- yarıiletken yapıların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Sn/p-Si semiconductor structures inventigation of the electrical and dielectric properties based temperature
- Tez No: 284431
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 61
Özet
Bu çalışmada (100) yönelimine sahip 5-10 ?-cm özdirençli, 200 mm kalınlıklı Bor katkılı p-tipi silisyum kristal kullanılarak metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotları hazırlandı. Hazırlanan Schottky diyotunun deneysel akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümlerinden faydalanılarak diyodun idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri 80-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel olarak elde ettiğimiz I-V datalarından faydalanarak, sıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (?b) artış ve idealite faktöründe (n) bir azalma olduğu gözlendi. Kapasitans-voltaj karakteristiklerinden elde edilen engel yüksekliği akım- voltaj engel yüksekliğinden daha büyük olarak bulundu. Akım-voltaj ve kapasitans-voltaj ölçümlerinden elde edilen engel yüksekleri arasındaki fark metal-yarıiletken ara yüzeyindeki homejensizlikten ileri gelmektedir. MS yapı için dielektrik sabiti , dielektrik kayıp ve dielektrik kayıp açı C-V ve G/w-V ölçümlerinden faydalanarak hesaplandı. Dielektrik parametreler sıcaklıklığa bağlı olarak değişmektedir.
Özet (Çeviri)
In this work, metal-semiconductor (MS) Sn/p-Si Schottky diode was prepared by using p-type (Boron doped) singlecrystal silicon. The basic electrical parameters such as the ideality factor (n), potential barrier height (?b) and diode series resistance (Rs) from experimental measurements the current-voltage (I-V) and capacitancevoltage (C-V) of prepared metal-semiconductor (MS) Sn/p-Si Schottky diode having a resistivity of 5-10 ?-cm, the thickness 200 mm and the (100) direction were studied in the temperature range 80-400 K. The evaluation of the experimental I-V data reveals an increase of the zero bias barrier height and a decrease of the ideality factor (n) with increasing temperature. The barrier height obtained from C-V measurement is higher than obtained from I-V measurement. This discrepancy can be explained by introducing a spatial distribution of barrier height due to barrier height inhomogeneities, which are available at the nanostructure Sn/p-Si interface dielectric constant, dielectric loss and dielectric loss tangent for MS structure calculated from C-V and G/w-V measurements. Dielectric parameters changes with temparature.
Benzer Tezler
- Sn/p-Si metal-yarıiletken yapıların oda sıcaklığında akım-voltaj ve kapasitans-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Sn/p-Si metal-semiconductor structures at room temparature current-voltage and capacitance-voltage charocteristics of the study
MEHMET DEMİRCİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure
GÜVEN ÇANKAYA
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAZIM UÇAR
- Sn/p-Si metal yarı iletken Schottky yapıların elektriksel karakteristiklerinin radyasyon ve sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Investigation dependence of temperature and irradiation of the electrical characterizations of Sn/p-Si Schottky diode
MEHMET EMİN FIRAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması
The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type
ABDULKADİR DARTICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN