Sn/p-Si metal yarı iletken Schottky yapıların elektriksel karakteristiklerinin radyasyon ve sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Investigation dependence of temperature and irradiation of the electrical characterizations of Sn/p-Si Schottky diode
- Tez No: 493750
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 44
Özet
Bu tez çalışmasında; Sn/p- Si Schottky bariyer diyotların elektriksel özellikleri sıcaklık ve radyasyona bağlı olarak akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri kullanarak incelendi. [100] yönelimli ve 1014 cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip p-tipi Si kristalinin doğrultucu tarafına kalay (Sn) buharlaştırılarak Sn/p-Si Shottky diyot oluşturuldu. Shottky bariyer diyotların elektriksel özellikleri sırasıyla; oda sıcaklığında (300 K), 400 K sıcaklığında ve 60Co radayasyon kaynağı ile 500 kGy gamma () ışınları ile incelendi. İdealite faktörleri (n), bariyer yükseklikleri (bo), seri direnç (RS) ve arayüz durumlarının yoğunluğu (NSS) gibi temel parametreler oda sıcaklığında, 400 K sıcaklığında 500 kGy gamma () radyasyonunda akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. İdealite faktörü ve seri direnç gibi temel parametreler sıcaklığın artması ile azalırken, aynı değerler radyasyona bağlı olarak ise artış gösterdi. Deneysel sonuçlar gösterdi ki Sn/p-Si Shottky yapı sıcaklığa ve radyasyona bağlı olarak hassastır. Bu durum iyonlaşmış takviye konsantrasyonunun sıcaklık ile azalmasına atfedilmiştir. Ayrıca arayüzey durum yoğunluklarının enerjiye bağlı değişimleri de akım-voltaj (I-V) ölçümlerinden elde edildi.
Özet (Çeviri)
In this study, we have examined effects of temperature and irradiation on the electrical properties of the Sn/p- Si Schottky barrier diodes by using the forward bias current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) measurements. The Sn/p-type Si Schottky barrier diodes have been prepared by evaporating tin (Sn) on oxidized bulk (1 0 0) p-type Si wafers with a carrier concentration of 1014 cm-3. The electrical properties of the Schottky barrier diode have been investigated at 300 K (room temperature), 400 K temperature and after under 500 kGy gamma irradiation with fluency 60Co gamma ()-rays, respectively. The main parameters such as barrier heights (b), ideality factors (n), and series resistances (RS) were calculated using the I–V measurements. The main parameters such as ideality factor and series resistance determined from the current–voltage data decreases with increasing temperature, whereas the same values increases with increasing gamma irradiation. It has been seen that the device is sensitive to temperature and to gamma irradiation. This has been attributed to decrease in ionized dopant concentration with temperature. Furthermore, the interface state densities (NSS) as a function of energy distribution (ESS- EV) were extracted from the forward-bias I–V measurements.
Benzer Tezler
- Sn/p-Si metal-yarıiletken yapıların oda sıcaklığında akım-voltaj ve kapasitans-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Sn/p-Si metal-semiconductor structures at room temparature current-voltage and capacitance-voltage charocteristics of the study
MEHMET DEMİRCİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Sn/p-Si metal- yarıiletken yapıların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Sn/p-Si semiconductor structures inventigation of the electrical and dielectric properties based temperature
ZEKERİYA KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure
GÜVEN ÇANKAYA
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAZIM UÇAR
- P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması
The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type
ABDULKADİR DARTICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN